山本 哲也

• 特許第7448909号(P7448909) 成膜方法、及び成膜装置 

  北見尚久, 山本哲也
• 特願2022-211766 成膜装置 

  岡田悠悟, 前原誠, 北見尚久, 山本哲也
• 特開2022-078057(P2022-78057A) 負イオン生成装置 

  北見尚久, 野本 淳一, 酒見 俊之, 山本 哲也
• 特許第7023319号(P7023319) 負イオン生成装置 

  北見尚久, 野本淳一, 酒見俊之, 山本哲也
• 特許 I 750711 成膜方法及び成膜装置 

  北見尚久, 山本哲也
• 特開2021-107570(P2021-107570A) 成膜装置 

  北見尚久, 山本哲也
• 特開2021-4402(P2021-4402A) 成膜方法、及び成膜装置 

  北見尚久, 山本哲也
• 特開2021-4396(P2021-4396A) 負イオン照射装置 

  北見尚久, 酒見俊之, 山本哲也
• 特許6779487 成膜システム及び成膜方法 

  北見尚久, 野本淳一, 酒見俊之, 山本哲也
• 特開2020-145205(P2020-145205A) 負イオン生成装置 

  北見尚久, 野本淳一, 酒見俊之, 山本哲也
• 特開2020-37717(P2020-37717A) 成膜装置、及び膜構造体の製造装置 

  北見尚久, 酒見俊之, 古林寛, 山本哲也
• 特開2020-002400(P2020-2400A) イオン照射装置、イオン照射方法、成膜装置、及び成膜方法 

  北見尚久, 野本淳一, 酒見俊之, 山本哲也
• 特開2020-002401(P2020-2401A) 成膜・イオン照射システム、及び成膜・イオン照射方法 

  北見尚久, 野本淳一, 酒見俊之, 山本哲也
• 特許658498 成膜装置 

  北見尚久, 酒見俊之, 山本哲也, 野本淳一
• 特開2016-138303 ZnO系透明導電膜 

  山本哲也, 野本淳一, 中田邦彦
• 特開2018-109201(P2018-109201A) 成膜システム、及び成膜方法 

  北見尚久, 野本淳一, 酒見俊之, 山本哲也
• 特許6116989 Cu ドープp型ZnO系半導体結晶層とその製造方法 

  佐野道宏, 加藤裕幸, 山本哲也
• 特開2017-25407(P2017-25407A) 成膜装置 

  北見尚久, 酒見俊之, 山本哲也, 野本淳一
• 特開2016-135904 近赤外領域波長低光学損失の透明導電膜及び該透明導電膜の製造方法 

  野本淳一, 山本哲也
• 特開2015-137189 Agドープp型ZnO系半導体結晶層 

  佐野道宏, 加藤裕幸, 齋藤千寿, 山本哲也