山根啓輔 (Keisuke Yamane) - マイポータル

基本情報

所属: 豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系助教

J-GLOBAL ID: 201801016759968940
researchmap会員ID: B000292215

研究キーワード

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

経歴

2022年9月 - 現在

豊橋技術科学大学, 大学院工学研究科電気・電子情報工学系, 准教授
2014年4月 - 2022年8月

豊橋技術科学大学, 大学院工学研究科電気・電子情報工学系, 助教
2011年4月 - 2014年3月

山口大学大学院, 理工学研究科物質工学系学域量子デバイス工学分野, 特任助教

学歴

2008年4月 - 2011年3月

豊橋技術科学大学, 工学研究科, 博士後期課程電子･情報工学専攻
2006年4月 - 2008年3月

豊橋技術科学大学, 工学研究科, 修士課程電気･電子工学専攻
2004年4月 - 2006年3月

豊橋技術科学大学, 工学部, 電気･電子工学課程
1999年4月 - 2004年3月

津山工業高等専門学校, 電気工学科

委員歴

2023年4月 - 2025年2月

電子材料シンポジウム実行委員会, 会場委員
2014年8月 - 2015年11月

ISGN-6組織委員会, 現地実行委員
2012年6月 - 2012年8月

応用物理学会中国四国支部, 2012年度支部学術講演会会計委員

受賞

2022年12月

優秀口頭発表賞, 希薄窒化物混晶中に導入した空孔による点欠陥低減に関する理論的解析, 高専-TUT太陽電池合同シンポジウム実行委員会

大根駿, 山根啓輔
2016年11月

結晶工学分科会発表奨励賞, モノリシックIII-V/Si多接合太陽電池に向けたGaAsPN混晶の結晶成長, 応用物理学会

山根啓輔, 佐藤健人, 関口寛人, 岡田浩, 若原昭浩
2013年5月

ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第5回窒化物半導体結晶成長講演会研究奨励賞, 流量変調法を用いたハイドライド気相成長によるGaNの平坦性およびGa原料利用効率の改善, 日本結晶成長学会

山根啓輔, 橋本健宏, 岡田成仁, 只友一行
2012年3月

春季第59回応用物理学会関係連合学術講演会講演奨励賞受賞, ハイドライド気相成長による非極性面GaNの低転位化, 応用物理学会

岡田成仁, 上野元久, 内田健充, 大下弘康, 髙見成希, 古家大士, 山根啓輔, 只友一行

論文

Franz-Keldysh Effect in Lateral pin Photodetectors of Ge Strip on Si at C-, L- and U-Band Wavelengths

Shohei Kaneko, Jose A. Piedra-Lorenzana, Keisuke Yamane, Junichi Fujikata, Yasuhiko Ishikawa

IEEE International Conference on Group IV Photonics GFP 2024年4月査読有り
Enhancement in photoluminescence from GaPAsN/GaP alloys by 6-MeV electrons irradiation and rapid thermal annealing

E. M. Pavelescu, D. Ticoş, O. Ligor, C. Romaniţan, A. Matei, F. Comănescu, V. Ţucureanu, S. I. Spânulescu, C. Ticoş, T. Ohshima …

Optical Materials 149 115075-1-115075-5 2024年3月査読有り最終著者
Anti-relaxation of tensile lattice strain in Si-embedded Ge strip structure for photonic device applications

Joshua Chombo, Mohd Faiz Bin Amin, Jose A. Piedra-Lorenzana, Takeshi Hizawa, Keisuke Yamane, Mingjun Jiang, Donghwan Ahn, Kazumi Wada, Yasuhiko Ishikawa

Japanese Journal of Applied Physics 63(3) 03SP32-1-03SP32-7 2024年3月1日査読有り
High-quality Ge epitaxial film based on dislocation trapping mechanism in patterned Si substrate

Mohd Faiz Bin Amin, Jose A. Piedra-Lorenzana, Keisuke Yamane, Takeshi Hizawa, Tetsuya Nakai, Yasuhiko Ishikawa

Japanese Journal of Applied Physics 63 02SP78-1-02SP78-5 2023年12月25日査読有り
Mechanism of improved crystallinity by defect-modification in proton-irradiated GaAsPN photovoltaics: Experimental and first-principle calculations approach

Keisuke Yamane, Yuito Maki, Shun One, Akihiro Wakahara, Emil Mihai Pavelescu, Takeshi Ohshima, Tetsuya Nakamura, Mitsuru Imaizumi

Journal of Applied Physics 132(6) 2022年8月14日査読有り筆頭著者責任著者
Improved crystallinity of GaP-based dilute nitride alloys by proton/electron irradiation and rapid thermal annealing

Keisuke Yamane, Ryo Futamura, Shigeto Genjo, Daiki Hamamoto, Yuito Maki, Emil Mihai Pavelescu, Takeshi Ohshima, Taishi Sumita, Mitsuru Imaizumi, Akihiro Wakahara

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 61(2) 2022年2月査読有り筆頭著者
Growth of phosphide-based type-II stacked quantum dots for III–V/Si photovoltaic applications

José Alberto Piedra-Lorenzana, Keisuke Yamane, Akihito Hori, Akihiro Wakahara

Japanese Journal of Applied Physics 60(4) 045502-045502 2021年4月1日査読有り
Influence of electron irradiation and rapid thermal annealing on photoluminescence from GaAsNBi alloys

E.-M. Pavelescu, O. Ligor, J. Occena, C. Ticoş, A. Matei, R. L. Gavrilă, K. Yamane, A. Wakahara, R. S. Goldman

Applied Physics Letters 117(14) 142106-142106 2020年10月5日査読有り
GaN-Based Monolithic Inverter Consisting of Enhancement- and Depletion-Mode MOSFETs by Si Ion Implantation

Hiroshi Okada, Kiyomasa Miwa, Taichi Yokoyama, Keisuke Yamane, Akihiro Wakahara, Hiroto Sekiguchi

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science 217(3) 1900550-1-1900550-8 2020年2月1日査読有り
Observation of single optical site of Eu and Mg codoped GaN grown by NH<inf>3</inf>-source molecular beam epitaxy

Hiroto Sekiguchi, Masaru Sakai, Takuho Kamada, Keisuke Yamane, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara

Journal of Applied Physics 125(17) 175702-1-175702-5 2019年5月7日査読有り
Fabrication and optical properties of regularly arranged GaN-based nanocolumns on Si substrate

Hiroto Sekiguchi, Yukimasa Higashi, Keisuke Yamane, Akihiro Wakahara, Hiroshi Okada, Katsumi Kishino

Journal of Vacuum Science and Technology B: Nanotechnology and Microelectronics 37(3) 031207 2019年5月1日査読有り
Regularly arranged Eu-doped GaN nanocolumns grown by RF-plasma-assisted molecular beam epitaxy through Ti-mask selective-area growth technique

Hiroto Sekiguchi, Kohei Date, Tomohiko Imanishi, Hiroki Tateishi, Keisuke Yamane, Hiroshi Okada, Katsumi Kishino, Akihiro Wakahara

Journal of Crystal Growth 511 73-78 2019年4月査読有り
Estimation of Ga adatom diffusion length for GaP growth by molecular beam epitaxy

Jose A. Piedra-Lorenzana, Keisuke Yamane, Koki Shiota, Junya Fujimoto, Shunsuke Tanaka, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara

Journal of Crystal Growth 512 37-40 2019年4月査読有り
Self-Organized Eu-Doped GaN Nanocolumn Light-Emitting Diode Grown by RF-Molecular-Beam Epitaxy

Atsushi Sukegawa, Hiroto Sekiguchi, Ryousuke Matsuzaki, Keisuke Yamane, Hiroshi Okada, Katsumi Kishino, Akihiro Wakahara

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science 216(1) 2019年1月9日査読有り
Monolithic integration of GaN-LED and Si-MOSFET for bio-application

Hiroto Sekiguchi, Hiroki Yasunaga, Kazuaki Tsuchiyama, Hiroshi Okada, Keisuke Yamane, Akihiro Wakahara

Proceedings of the International Display Workshops 2 649-651 2019年査読有り
Si基板に格子整合したIII‐V‐N混晶の成長とデバイス応用

若原昭浩, 山根啓輔

応用物理 87(7) 494‐500 2018年7月10日査読有り
Impact of temperature and nitrogen composition on the growth of GaAsPN alloys

Keisuke Yamane, Shun Mugikura, Shunsuke Tanaka, Masaya Goto, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara

Journal of Crystal Growth 486 24-29 2018年3月15日査読有り
Bulk GaN substrate with overall dislocation density on the order of 10(5)/cm(2) fabricated by hydride vapor phase epitaxy

Shin Goubara, Tohoru Matsubara, Kota Yukizane, Naoki Arita, Satoru Fujimoto, Tatsuya Ezaki, Ryo Inomoto, Keisuke Yamane, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 478 123-128 2017年11月査読有り
Doping control of GaAsPN alloys by molecular beam epitaxy for monolithic III-V/Si tandem solar cells

Keisuke Yamane, Kento Sato, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 473 55-59 2017年9月査読有り
Growth of a lattice-matched GaAsPN p-i-n junction on a Si substrate for monolithic III-V/Si tandem solar cells

Keisuke Yamane, Masaya Goto, Kenjiro Takahashi, Kento Sato, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara

APPLIED PHYSICS EXPRESS 10(7) 2017年7月査読有り

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MISC

Ge-on-SiフォトニックデバイスのためのAlNストレッサー層【JST・京大機械翻訳】

PIEDRA-LORENZANA Jose A., KANEKO Shohei, FUKUSHIMA Takaaki, YAMANE Keisuke, FUJIKATA Junichi, ISHIKAWA Yasuhiko

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 84th 2023年
Si上のGeフォトニックデバイス用のストレッサーとしての反応性スパッタリングによるAlN膜

PIEDRA-LORENZANA Jose A., KANEKO Shohei, FUKUSHIMA Takaaki, YAMANE Keisuke, FUJIKATA Junichi, ISHIKAWA Yasuhiko

電子情報通信学会技術研究報告(Web) 123(41(ED2023 1-9)) 2023年
Si上Ge層の固相成長におけるGeエピタキシャル緩衝層の効果

古家聖輝, 葛谷樹矢, PIEDRA-LORENZANA Jose A., 飛沢健, 山根啓輔, 石川靖彦

電子情報通信学会技術研究報告(Web) 123(41(ED2023 1-9)) 2023年
Si上Ge埋め込みエピタキシャル成長におけるトレンチ幅の影響

前田匠海, 加藤滉大, PIEDRA-LORENZANA Jose A., 山根啓輔, 飛沢健, 中井哲弥, 石川靖彦

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 84th 2023年
Si上Ge層の固相成長におけるGeエピタキシャル中間層の影響

古家聖輝, 葛谷樹矢, PIEDRA-LORENZANA Jose A., 飛沢健, 山根啓輔, 藤原弘康, 石川靖彦

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 84th 2023年
オプトジェネティクス応用を目指した窒化物半導体マイクロLEDの開発

関口寛人, 関口寛人, 山根啓輔, 若原昭浩

セラミックス基礎科学討論会講演要旨集 58th 2020年
GaPN混晶でのリン空孔を介した窒素起因点欠陥の消滅に関する理論的解析

牧唯人, 山根啓輔, 若原昭浩

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年
電子線照射によるIII-V-N混晶の結晶性回復メカニズムの検討(2)

二村綾, 山根啓輔, 高山凪, 住田泰史, 今泉充, 若原昭浩

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年
窒化物半導体集積回路プロセスの検討 : Siイオン注入による閾値制御の試み (シリコン材料・デバイス)

岡田浩, 横山太一, 三輪清允, 山根啓輔, 若原昭浩, 関口寛人

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 119(36) 77-80 2019年5月16日
InPをドーパント源に用いたPドープZnTe薄膜のアニール効果

三島聖也, 齊藤勝彦, GUO Q., 山根啓輔, 若原昭浩, 田中徹

フロンティア太陽電池セミナー 4th 2019年
超大規模光電子融合チップのための基板構造およびモノリシック集積型GaN-μLED用駆動回路の開発 (電子デバイス)

土山和晃, 宇都宮脩, 中川翔太, 山根啓輔, 関口寛人, 岡田浩, 若原昭浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(356) 79-83 2016年12月12日
学生実験用の青色LED製作工程の開発

塩貝一樹, 和田直樹, 若原昭浩, 山根啓輔, 酒井士郎

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th ROMBUNNO.14a‐P1‐12 2016年9月1日
絶縁ゲート型トランジスタに向けた絶縁体/窒化物半導体界面形成プロセスの検討 (電子デバイス)

近藤佑隆, 篠原正俊, 彦坂朋輝, 馬場真人, 岡田浩, 関口寛人, 山根啓輔, 若原昭浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(48) 19-23 2016年5月19日
Ⅲ-Ⅴ/Siヘテロエピタキシーのための界面制御 (電子デバイス)

山根啓輔, 関口寛人, 岡田浩, 若原昭浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(48) 61-65 2016年5月19日
表面窒化を用いたGaAsN混晶のN組成制御 (シリコン材料・デバイス)

浦上法之, 山根啓輔, 関口寛人

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115(65) 21-26 2015年5月28日
X線マイクロ回折法による半極性面(20-21)GaN厚膜の欠陥分布評価

内山星郎, 竹内正太郎, 荒内琢士, 橋本健宏, 山根啓輔, 岡田成仁, 今井康彦, 木村滋, 只友一行, 酒井朗

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th 2015年
周期溝加工(22-43)サファイア基板上半極性面(20-21)GaNの微視的結晶構造解析

荒内琢士, 竹内正太郎, 橋本健宏, 中村芳明, 今井康彦, 山根啓輔, 山根啓輔, 岡田成仁, 木村滋, 只友一行 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th 2014年
X線回折法による半極性(20-21)GaN膜の膜厚・成長条件依存性評価

内山星郎, 竹内正太郎, 荒内琢士, 橋本健宏, 中村芳明, 山根啓輔, 山根啓輔, 岡田成仁, 只友一行, 酒井朗

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th 2014年
S1660106 サファイア加工基板を用いた非極性面GaNの結晶成長とデバイス応用([S166]窒化物半導体デバイスの精密加工プロセス)

只友一行, 山根啓輔, 岡田成仁, 稲垣卓志, 中尾洸太

年次大会 2014 _S1660106--_S1660106- 2014年
Self-Separation of Large Freestanding Semipolar {1122} GaN Films Using r-Plane Patterned Sapphire Substrates (Special Issue : Recent Advances in Nitride Semiconductors)

Furuya Hiroshi, Yamane Keisuke, Okada Narihito

Japanese journal of applied physics : JJAP 52(8) 08JA09-1-4 2013年8月

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講演・口頭発表等

269

アンチモン添加によるリン系Ⅲ-Ⅴ希薄窒化物結晶の高品質化に関する理論的解析

久野倭, 山根啓輔

第71 回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月25日
III-V希薄窒化物混晶の成長過程におけるアンチモンサーファクタント効果

山根啓輔, 彦坂昌志, 若原昭浩

第71 回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月24日
発光デバイス応用に向けたHfGe混晶の理論的検討

佐々木祐太, 久野倭, 石川靖彦, 山根啓輔

第71 回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月24日
Franz-Keldysh Effect in Lateral pin Photodetectors of Ge Strip on Si at C-, L- and U-Band Wavelengths

Shohei Kaneko, Jose A. Piedra-Lorenzana, Keisuke Yamane, Junichi Fujikata, Yasuhiko Ishikawa

Photonic Device Workshop 2023 2023年12月7日
Formation of TEOS-SiOx film by PECVD for Si photonics applications

Taichi Miyasaka, Koki Tsutsumi, Makito Sato, Jose A. Piedra-Lorenzana, Daisuke Akai, Takeshi Hizawa, Keisuke Yamane, Junichi Fujikata, Yasuhiko Ishikawa

Photonic Device Workshop 2023 2023年12月7日
発光デバイス応用に向けたHf 添加 Geのエネルギーバンドの理論的検討

佐々木祐太, 久野倭, 石川靖彦, 山根啓輔

第10回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 2023年11月3日
Si 系光導波路用スポットサイズ変換器の作製に向けた SiOxの堆積

宮坂泰地, 堤光輝, 佐藤真希斗, Jose A. Piedra-Lorenzana, 赤井大輔, 飛沢健, 山根啓輔, 石川靖彦

第10回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会 2023年11月3日
Si上Ge埋め込みエピタキシャル成長におけるトレンチ幅の影響

前田匠海, 加藤滉大, Piedra-Lorenzana Jose A, 山根啓輔, 飛沢健, 中井哲弥, 石川靖彦

第83回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月22日
Ge epitaxial layer grown on V-groove patterned Si substrate

FAIZ FAIZ MOHD, Jose A. Piedra-Lorenzana, Keisuke Yamane, Takeshi Hizawa, Tetsuya Nakai, Yasuhiko Ishikawa

第83回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月23日
Si上Ge層の固相成長におけるGeエピタキシャル中間層の影響

古家聖輝, 葛谷樹矢, Piedra-Lorenzana Jose A, 飛沢健, 山根啓輔, 藤原弘康, 石川靖彦

第83回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月22日
AlN Stressor Layer for Ge-on-Si Photonic Devices

Jose Alberto Piedra, Shohei Kaneko, Takaaki Fukushima, Keisuke Yamane, Junichi Fujikata, Yasuhiko Ishikawa

第83回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月19日
AlN film by reactive sputtering as a stressor for Ge photonic devices on Si

電子情報通信学会 2023年5月19日
Si上Ge層の固相成長におけるGeエピタキシャル緩衝層の効果

古家聖輝, 葛谷樹矢, Jose A. Piedra-Lorenzana, 飛沢健, 山根啓輔, 石川靖彦

電子情報通信学会 2023年5月19日
希薄窒化物結晶の結合状態制御に向けたGaPN混晶への電子線照射試験 (2)

平井健登, 山根啓輔, 若原昭浩, 大島武, 中村徹哉, 今泉充

第70 回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月16日
InP/GaPN系Type II量子ドット太陽電池構造の作製

有本岳史, 山根啓輔, 若原昭浩

第70 回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月16日
アンチモン被覆GaP表面への窒素原子取り込み様式の理論的解析

大根駿, 若原昭浩, 山根啓輔

第70 回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月15日
希薄窒化物混晶中に導入した空孔による点欠陥低減に関する理論的解析

大根駿, 山根啓輔

第12回高専-TUT 太陽電池合同シンポジウム 2022年12月27日
InP/GaP系Type-II量子ドット太陽電池構造におけるバンドオフセットのドットサイズ依存性

有本岳史, 山根啓輔, 若原昭浩

第5回結晶工学xISYSE合同研究会 2022年11月18日
Antimony surfactant-mediated epitaxy of GaP-based diluted nitride alloys for III-V/Si solar cells

Keisuke Yamane, Masashi Hikosaka, Akihiro Wakahara

33rd International Conference on Photovoltaic Science and Engineering Conference 2022年11月15日
希薄窒化物半導体を用いた格子整合系III-V/Siヘテロエピタキシーと太陽電池応用

山根啓輔, 若原昭浩

第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月20日招待有り

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

高効率フレキシブル太陽電池に向けたGaAsPN混晶の結晶成長

日本学術振興会科研費基盤C#19K04488 2019年4月 - 2022年3月

山根啓輔
高効率大面積III-V/Si多接合太陽電池実現に向けたGaAsPNサブセルの実証試験

日比科学技術振興財団研究開発助成 2020年5月 - 2021年5月

山根啓輔
高効率大面積III-V族太陽電池に向けたGaAsPN混晶の電気伝導メカニズムの解明

東海産業技術振興財団研究助成 2020年4月 - 2021年3月

山根啓輔
高効率太陽電池に向けた光生成キャリアの空間分離促進型pn接合

八洲環境技術振興財団研究開発・調査助成 2020年4月 - 2021年3月

山根啓輔
完全無欠陥III-V/Siヘテロ成長技術の創生にむけたGaP系半導体材料の成長様式の解明と太陽電池応用

村田学術振興財団研究助成 2018年6月 - 2020年5月

山根啓輔
大面積化合物半導体太陽電池応用に向けた希薄窒化物混晶の高効率ドーピングメカニズムの解明

内藤科学技術振興財団研究助成 2019年6月 - 2020年3月

山根啓輔
Si上GaAsPN多接合太陽電池のための新規ドーパント材料の開拓とデバイス化

中部電気利用基礎研究振興財団研究助成 2018年4月 - 2020年3月

山根啓輔
ヘテロ成長とウエハ接合を組み合わせた大面積化合物半導体多接合太陽電池の開発

立松財団特別研究助成 2017年7月 - 2018年6月

山根啓輔
Si基板上GaAsPN混晶をベースとした大面積フレキシブル多接合太陽電池の開発

東海産業技術振興財団研究助成 2017年4月 - 2018年3月

山根啓輔
高効率大面積フレキシブル太陽電池に向けた化合物半導体結晶の薄膜転写技術の開発

内藤科学技術振興財団研究助成 2016年6月 - 2017年3月

山根啓輔
高原料利用効率ハイドライド気相成長法による高品質大面積非極性面GaN基板の開発

日本学術振興会若手研究(B) #26790044 2014年4月 - 2017年3月

山根啓輔
サファイア加工基板側壁を成長起点とした半極性｛２０－２－１｝面ＧａＮ基板の作製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2013年4月 - 2016年3月

只友一行, 山田陽一, 酒井朗, 岡田成仁, 山根啓輔
ハイドライド気相成長法による低転位非極性面GaN基板の作製技術の開発

日本学術振興会科研費#23860033 研究活動スタート支援 2011年4月 - 2013年3月

山根啓輔
Fabrication of freestanding {20-21} GaN substrates by HVPE and LED application

矢崎科学技術振興記念財団国際交流援助 2013年

山根啓輔
ハイドライド気相成長法における流量変調法によるGaN層の平坦性およびGa原料利用効率の改善

徳山科学技術振興財団国際交流助成 2013年

山根啓輔
Morphological Investigation of S-doped GaPN grown by Molecular Beam Epitaxy

丸文研究交流財団国際交流助成 2010年

山根啓輔
Si/III-V-N/Si異種接合に作製された発光ダイオードにおける駆動電圧の低減

村田学術振興財団研究者海外派遣援助 2010年

山根啓輔

産業財産権

特願2023-188035 縦型構造半導体の製造方法

山根啓輔, 若原昭浩, 餅田湖, 平井健登, 今泉充, 中村徹哉
特許6923900 希薄窒化物犠牲層を用いた化合物半導体薄膜の製造方法

山根啓輔
特許第6013743号半導体装置の製造方法

古家大士, 東正信, 只友一行, 岡田成仁, 山根啓輔
特開2016-147787 半導体基板及びその製造方法、並びにそれに用いる気相成長装置

岡田成仁, 只友一行, 山根啓輔
特開2014-196230 窒化ガリウム結晶自立基板の製造方法

橋本健宏, 古家大士, 只友一行, 岡田成仁, 山根啓輔
WO2014-136416 半導体装置の製造方法及びIII−V族半導体の結晶成長方法

山根啓輔, 只友一行, 岡田成仁
特開2013-193918 窒化ガリウム結晶自立基板及びその製造方法

古家大士, 東正信, 只友一行, 岡田成仁, 山根啓輔
特開2013-175652 半導体装置の製造方法

古家大士, 東正信, 只友一行, 岡田成仁, 山根啓輔
特開2013-173641 窒化ガリウム結晶積層基板及びその製造方法

古家大士, 東正信, 只友一行, 岡田成仁, 山根啓輔

メディア報道

偶然の発見から生まれた、放射線照射で性能が向上する太陽電池

応用物理学会応用物理学会プレスリリース記事 https://www.jsap.or.jp/pressrelease/pr20220914 2022年9月インターネットメディア
レビュー応用物理学会21年春季講演会

産業タイムズ社電子デバイス産業新聞 007面当該記事欄４段目 GaAsPNは窒素・・ 2021年6月3日新聞・雑誌
希薄窒化物結晶ー太陽電池新材料の開拓に向けてー

FM豊橋天伯之城ギカダイ 2020年11月21日テレビ・ラジオ番組
中部イノベネットー産業技術の芽ーⅢ-V/Si 結晶成長技術を応用したフレキシブル化合物太陽電池層の形成方法

中部イノベネット http,//www.cstc.or.jp/cicn/about 2018年1月15日インターネットメディア
電子デバイス産業新聞 ” 豊橋技科大 Si上にGaAs 安価にPVを製造”

電子デバイス産業新聞 2017年7月20日新聞・雑誌

山根啓輔

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講演・口頭発表等

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共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

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