2021年2月1日
A 26-GHz-Band High Back-Off Efficiency Stacked-FET Power Amplifier IC with Adaptively Controlled Bias and Load Circuits in 45-nm CMOS SOI
IEICE Transactions on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences
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- ,
- 巻
- E104.A
- 号
- 2
- 開始ページ
- 477
- 終了ページ
- 483
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- DOI
- 10.1587/transfun.2020gcp0012
- 出版者・発行元
- Institute of Electronics, Information and Communications Engineers (IEICE)
- リンク情報
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- DOI
- https://doi.org/10.1587/transfun.2020gcp0012
- URL
- https://www.jstage.jst.go.jp/article/transfun/E104.A/2/E104.A_2020GCP0012/_pdf
- Scopus
- https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85100863446&origin=inward
- Scopus Citedby
- https://www.scopus.com/inward/citedby.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85100863446&origin=inward
- ID情報
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- DOI : 10.1587/transfun.2020gcp0012
- ISSN : 0916-8508
- eISSN : 1745-1337
- SCOPUS ID : 85100863446