曲勇作 (Yusaku Magari) - マイポータル

基本情報

所属: 北海道大学電子科学研究所助教

学位: 博士（工学）(2020年3月高知工科大学)

研究者番号: 20874887
ORCID ID: https://orcid.org/0000-0001-9655-4283
J-GLOBAL ID: 202001012719938838
researchmap会員ID: R000003147

研究キーワード

研究分野

自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理 /

経歴

2022年9月 - 現在

北海道大学, 電子科学研究所, 助教
2020年10月 - 2022年8月

島根大学, 総合理工学部物質科学科, 助教
2020年4月 - 2020年10月

高知工科大学, 環境理工学群, 助教

学歴

2017年4月 - 2020年3月

高知工科大学, 工学研究科, 基盤工学専攻
2015年4月 - 2017年3月

高知工科大学, 環境理工学群, マテリアル工学専攻
2011年4月 - 2015年3月

高知工科大学, 環境理工学群, 機能材料専攻

委員歴

2022年11月 - 現在

薄膜材料デバイス研究会組織委員
2022年9月 - 現在

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) プログラム委員

受賞

2021年11月

優秀論文発表賞A, 酸化物半導体の低温形成技術とフレキシブルデバイス応用, 一般社団法人電気学会

曲勇作
2021年11月

ベストペーパーアワード, 高移動度水素化多結晶In2O3:H薄膜トランジスタ, 第18回薄膜材料デバイス研究会

曲勇作
2020年3月

佐久間賞(学長賞), 高知工科大学

曲勇作
2019年8月

Outstanding Presentation Awards, Origin of Schottky diode properties in InGaZnO/AgxO oxide hetero interface, The 7th International Symposium on Frontier Technology

Yusaku Magari
2019年7月

講演奨励賞, 酸化物半導体Schottky接合制御と金属半導体電界効果トランジスタ応用, 第14回応用物理学・物理系中四国支部学術講演会

曲勇作
2018年9月

講演奨励賞, Ar+O2+H2スパッタIn–Ga–Zn–OによるSchottkyダイオード特性向上, 第79回応用物理学会秋季学術講演会

曲勇作
2017年10月

ベストペーパーアワード, HeおよびArプラズマによるInGaZnOX導電層形成メカニズムと自己整合型トランジスタ応用, 第14回薄膜材料デバイス研究会

曲勇作
2017年3月

佐久間賞(学長賞), 高知工科大学

曲勇作
2016年1月

技術委員会奨励賞, プラズマ処理による低抵抗IGZO領域の形成とセルフアライン型TFTへの応用～プラズマ処理時の基板バイアスの効果～, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会

曲勇作

論文

Improved Electron Transport Properties of Zn-Rich In–Ga–Zn–O Thin-Film Transistors

Prashant Ghediya, Hui Yang, Takashi Fujimoto, Yuqiao Zhang, Yasutaka Matsuo, Yusaku Magari, Hiromichi Ohta

The Journal of Physical Chemistry C 2023年1月25日
Thermopower Modulation Analyses of High-Mobility Transparent Amorphous Oxide Semiconductor Thin-Film Transistors

Hui Yang, Yuqiao Zhang, Yasutaka Matsuo, Yusaku Magari, Hiromichi Ohta

ACS Applied Electronic Materials 4(10) 5081-5086 2022年10月25日査読有り
Influence of Grain Boundary Scattering on the Field-Effect Mobility of Solid-Phase Crystallized Hydrogenated Polycrystalline In2O3 (In2O3:H)

Yusaku Magari, Wenchang Yeh, Toshiaki Ina, Mamoru Furuta

Nanomaterials 12(17) 2958-2958 2022年8月26日査読有り
固相結晶化In2O3:Hによる薄膜トランジスタの高移動度化(>100 cm2V-1s-1)

曲勇作, 片岡大樹, 葉文昌, 古田守

信学技報 122(8) 61-64 2022年4月招待有り
High-mobility hydrogenated polycrystalline In2O3 (In2O3:H) thin-film transistors

Yusaku Magari, Taiki Kataoka, Wenchang Yeh, Mamoru Furuta

Nature Communications 13(1) 2022年2月28日査読有り
Bottom gate single crystal Si thin-film transistors fabricated by all sputtering processes

Wenchang YEH, Kaisei Ohtoge, Yusaku Magari

Japanese Journal of Applied Physics 2022年2月23日査読有り
Defect Passivation and Carrier Reduction Mechanisms in Hydrogen-Doped In-Ga-Zn-O (IGZO:H) Films upon Low-Temperature Annealing for Flexible Device Applications

Rostislav Velichko, Yusaku Magari, Mamoru Furuta

Materials 15(1) 334-334 2022年1月3日査読有り
Nondegenerate Polycrystalline Hydrogen-Doped Indium Oxide (InOx:H) Thin Films Formed by Low-Temperature Solid-Phase Crystallization for Thin Film Transistors

Taiki Kataoka, Yusaku Magari, Hisao Makino, Mamoru Furuta

Materials 15(1) 187-187 2021年12月27日査読有り
Activation of IGZO Devices at 150°C via Reduction Process Using Hydrogen Gas During Sputtering

Yusaku Magari, S G Mehadi Aman, Daichi Sasaki, Mamoru Furuta

SID Symposium Digest of Technical Papers 52(1) 1096-1099 2021年5月査読有り
High Mobility Hydrogenated Polycrystalline In‐Ga‐O (IGO:H) Thin‐Film Transistors formed by Solid Phase Crystallization

Mamoru Furuta, Kenta Shimpo, Taiki Kataoka, Daiki Tanaka, Toshihiro Matsumura, Yusaku Magari, Rostislav Velichko, Daichi Sasaki, Emi Kawashima, Yuki Tsuruma

SID Symposium Digest of Technical Papers 52(1) 69-72 2021年5月査読有り
Investigation of the effect of adding a moderate amount of hydrogen on the properties of tin oxide films deposited by DC magnetron sputtering

Rostislav Velichko, Yusaku Magari, Hisao Makino, Mamoru Furuta

Japanese Journal of Applied Physics 60(5) 055503-055503 2021年5月1日査読有り
Hydrogenated In–Ga–Zn–O thin-film transistors with anodized and fluorinated Al2O3 gate insulator for flexible devices

Syuya Kono, Yusaku Magari, Marin Mori, S. G. Mehadi Aman, Norbert Fruehauf, Hiroshi Furuta, Mamoru Furuta

Japanese Journal of Applied Physics 60(SB) SBBM05-SBBM05 2021年5月1日査読有り
Effects of water and hydrogen introduction during In–Ga–Zn–O sputtering on the performance of low-temperature processed thin-film transistors

Yusaku Magari, Mamoru Furuta

Japanese Journal of Applied Physics 60(SB) SBBM04-SBBM04 2021年1月8日査読有り
酸化物半導体の低温欠陥制御とフレキシブルデバイス応用

曲勇作, 古田守

信学技報 120(272) 37-41 2020年12月招待有り
Record-High-Performance Hydrogenated In–Ga–Zn–O Flexible Schottky Diodes

Yusaku Magari, S. G. Mehadi Aman, Daichi Koretomo, Kentaro Masuda, Kenta Shimpo, Hisao Makino, Mutsumi Kimura, Mamoru Furuta

ACS Applied Materials & Interfaces 12(42) 47739-47746 2020年10月21日査読有り
Low-Temperature Processed Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor with In–Ga–Zn–O Channel Deposited by Ar+O2+H2 Sputtering

Yusaku Magari, Mamoru Furuta

ECS Transactions 98(7) 89-95 2020年9月23日査読有り
水素化In–Ga–Zn–Oの表面およびバルク電子状態評価

曲勇作, 増田健太郎, 牧野久雄, 古田守

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.2 2378-2378 2020年8月26日
Marked improvement in reliability of 150 °C processed IGZO thin-film transistors by applying hydrogenated IGZO as a channel material

Daichi Koretomo, Shuhei Hamada, Marin Mori, Yusaku Magari, Mamoru Furuta

Applied Physics Express 13(7) 076501-076501 2020年7月1日査読有り
Origin of work function engineering of silver oxide for an In–Ga–Zn–O Schottky diode

Yusaku Magari, Hisao Makino, Shinsuke Hashimoto, Mamoru Furuta

Applied Surface Science 512 144519-144519 2020年5月査読有り
Quantum Confinement Effect in Amorphous In–Ga–Zn–O Heterojunction Channels for Thin-Film Transistors

Daichi Koretomo, Shuhei Hamada, Yusaku Magari, Mamoru Furuta

Materials 13(8) 1935-1935 2020年4月20日査読有り

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MISC

酸化物半導体の低温形成技術とフレキシブルデバイス応用 (電子材料研究会フレキシブル素子応用に向けた新規薄膜電子材料の合成と評価)

曲勇作, 葉文昌, 古田守

電気学会研究会資料. EFM 2021(1) 13-16 2021年11月18日
Effect of Deposition Temperature and Source Gas Chemistry in PE-CVD SiO<inf>2</inf> Passivation on InGaZnO TFTs

S. G.Mehadi Aman, Daichi Koretomo, Yusaku Magari, Mamoru Furuta

AM-FPD 2018 - 25th International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices: TFT Technologies and FPD Materials, Proceedings 2018年8月15日
招待講演フレキシブルデバイスに向けた低温プロセス自己整合型InGaZnO薄膜トランジスタ (シリコン材料・デバイス)

古田守, 戸田達也, 辰岡玄悟, 曲勇作

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(1) 53-56 2016年4月8日
プラズマ処理による低抵抗IGZO領域の形成とセルフアライン型TFTへの応用 : プラズマ処理時の基板バイアスの効果 (情報ディスプレイ)

曲勇作, 戸田達也, 牧野久雄

映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report 40(2) 41-44 2016年1月
Low-temperature processed metal-semiconductor field-effect transistor with In-GaZn-O/AgOx Schottky gate

Y. Magari, S. Hashimoto, K. Hamada, M. Furuta

THIN FILM TRANSISTORS 13 (TFT 13) 75(10) 139-144 2016年
Self-aligned top-gate InGaZnO thin-film transistor fabricated at 150°C using coatable organic insulator

Tatsuya Toda, Yusaku Magari, Mamoru Furuta

Proceedings of the International Display Workshops 1 83-84 2015年1月1日

講演・口頭発表等

High-Mobility Thin-Film Transistors with Polycrystalline In2O3:H Channel Deposited by Pulsed Laser Deposition under High-Base Pressure

Yusaku Magari

The 23rd International Meeting on Information Display (IMID) 2023年8月24日招待有り
High-mobility In2O3:H thin films and thin-film transistors deposited under varied base pressure by pulsed laser deposition

Yusaku Magari

AWAD2023 2023年7月10日
High-mobility polycrystalline In2O3:H thin-film transistors fabricated through low-temperature solid-phase crystallization

Yusaku Magari

AM-FPD'23 2023年7月6日招待有り
High-mobility In2O3:H thin-film transistors by pulsed laser deposition under high-base pressure

Yusaku Magari

The 4th Workshop on Functional Materials Science 2023年6月20日
Base pressure controlled fabrication of high-mobility In2O3 thin film transistors

Yusaku Magari

ULSIC VS TFT 8 2023年5月17日
高背圧下でのPLDによる高移動度In2O3薄膜作製

曲勇作

第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月15日
High-mobility (>100 cm2V−1s−1) In2O3:H Thin-film Transistors by Solid-phase Crystallization

Yusaku Magari

The 29th International Display Workshops 2022年12月14日招待有り
Hydrogenated Polycrystalline In2O3 (In2O3:H) Thin-Film Transistor with High Mobility Exceeding 100 cm2V−1s−1 Via Solid-Phase Crystallization

Yusaku Magari

The 242th Electrochemical Society (ECS) 2022年10月12日招待有り
固相結晶化In2O3:Hによる薄膜トランジスタの高移動度化(>100 cm2V−1s−1)

曲勇作

シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 2022年4月23日招待有り
水素化In2O3(In2O3:H)固相結晶化温度がキャリア輸送特性に及ぼす影響

曲勇作

第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月25日
酸化物半導体の低温形成技術とフレキシブルデバイス応用

曲勇作

電気学会電子材料研究会 2021年11月18日招待有り
高移動度水素化多結晶In2O3:H 薄膜トランジスタ

曲勇作

第18回薄膜材料デバイス研究会 2021年11月11日
高移動度水素化In2O3薄膜トランジスタ

曲勇作

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月12日
Activation of IGZO Devices at 150°C via Reduction Process Using Hydrogen Gas During Sputtering

Yusaku Magari

SID Display Week Symposium 2021 2021年5月17日
酸化物半導体の低温欠陥制御とフレキシブルデバイス応用

曲勇作

電子情報通信学会 2020年12月2日招待有り
酸化物半導体フレキシブルデバイス

曲勇作

高知化学シンポジウム 2020年10月31日招待有り
Low-Temperature Processed Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor with In–Ga–Zn–O Channel Deposited By Ar+O2+H2 Sputtering

Yusaku Magari

The 238th Electrochemical Society (ECS) 2020年10月6日
Effects of water and hydrogen introduction during In–Ga–Zn–O sputtering on the performance of low-temperature processed thin-film transistors

Yusaku Magari

International Conference on Solid State Devices and Materials 2020年9月28日
水素化In–Ga–Zn–Oの表面およびバルク電子状態評価

曲勇作

第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020年9月10日
酸化物半導体ショットキーフレキシブルデバイス

曲勇作

Combined Exhibition of Advanced Technologies (CEATEC) 2019年10月17日招待有り

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共同研究・競争的資金等の研究課題

半導体レーザーによる酸化物半導体の単結晶帯成長と高性能フレキシブルデバイスの創出

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究若手研究 2022年4月 - 2026年3月

曲勇作
酸化物半導体の低温固相成長制御による高性能フレキシブルデバイスの創出

日本学術振興会科学研究費助成事業研究活動スタート支援研究活動スタート支援 2020年9月 - 2022年3月

曲勇作

曲勇作

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