赤澤正道

J-GLOBALへ         更新日: 18/03/27 17:42
 
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研究者氏名
赤澤正道
 
アカザワ マサミチ
所属
北海道大学
部署
量子集積エレクトロニクス研究センター 量子マルチメディアシステム研究分野
職名
准教授
学位
博士(工学)(北海道大学)

研究分野

 
 

経歴

 
1995年4月
 - 
現在
北海道大学 准教授
 
1988年11月
 - 
1995年3月
北海道大学 助手
 

学歴

 
1988年4月
 - 
1988年10月
北海道大学 工学研究科 電気工学専攻
 
1984年4月
 - 
1988年3月
北海道大学 工学部 電気工学科
 

委員歴

 
1995年5月
 - 
現在
電子情報通信学会  ソサイエティ論文誌編集委員会査読委員
 
2014年11月
 - 
2015年10月
2015年固体素子・材料コンファレンス  実行委員
 
2002年5月
 - 
2003年5月
電子情報通信学会  シリコン材料・デバイス研究専門委員会幹事
 
2002年4月
 - 
2003年3月
応用物理学会  シリコンテクノロジー研究分科会常任出版幹事
 
2000年11月
 - 
2002年5月
電子情報通信学会  シリコン材料・デバイス研究専門委員会幹事補佐
 

受賞

 
2016年9月
応用物理学会 応用物理学会優秀論文賞 Characterization of electronic states at insulator/(Al)GaN interfaces for improved insulated gate and surface passivation structures of GaN-based transistors
受賞者: Zenji Yatabe, Yujin Hori, Wan-Cheng Ma, Joel T. Asubar, Masamichi Akazawa, Taketomo Sato, and Tamotsu Hashizume
 
2013年5月
CSManTech 2013 Paper Awards (He Bong Kim Award) Characterization and Control of Insulated Gate Interfaces
受賞者: Tamotsu Hashizume and Masamichi Akazawa
 
1998年10月
Best Paper Award at the 5th International Conference on Soft Computing and Information/ Intelligent Systems (IIZUKA '98) A Functional Neuro-MOS Circuit for Implementing Cellular-Automaton Picture-Processing Devices
受賞者: M. Ikebe, M. Akazawa and Y. Amemiya
 
1990年8月
International Conference on Solid State Devices and Materials SSDM Young Researcher Award In0.53Ga0.47As MISFETs Having an Ultrathin MBE Si Interface Control Layer and Photo-CVD SiO2 Insulator
受賞者: M. Akazawa
 

論文

 
Detection of deep-level defects and reduced carrier concentration in Mg-ion-implanted GaN before high-temperature annealing
M. Akazawa, N. Yokota, and K. Uetake
AIP Advances   8(2) 025310-1-025310-7   2018年2月   [査読有り]
Reduction of interface state density at SiO2/InAlN interface by inserting ultrathin Al2O3 and plasma oxide interlayers
Masamichi Akazawa and Atsushi Seino
Phys. Status Solidi B   254(8) 1600691-1-1600691-6   2017年8月   [査読有り]
Measurement of Electronic States Generated in GaN by Mg Ion Implantation
N. Yokota, K. Uetake, and M. Akazawa
Abstracts of 29th International Conference on Defects in Semiconductors      2017年7月   [査読有り]
M. Matys, B. Adamowicz, A. Domanowska, A. Michalewicz, R. Stoklas, M. Akazawa, Z. Yatabe, and T. Hashizume
J. Appl. Phys.   120(22) 12   2016年12月   [査読有り]
Reduction of Interface State Density at SiO2/InAlN Interface by Inserting Ultrathin Interlayers
M. Akazawa, A. Seino, N. Yokota and T. Hasezaki
Abstract Book of the International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN2016, Hilton Orlando Lake Buena Vista, Orlando, Florida, USA, October 2 - 7, 2016),   193-193   2016年10月   [査読有り]

書籍等出版物

 
第2版 応用物理ハンドブック 応用物理学会編
赤澤正道 (担当:分担執筆, 範囲:第9章 半導体デバイス 9.12半導体センサとトランスデューサ 9.12.1 磁電効果デバイス, p.643; 9.12.2 熱電効果デバイス, p.644; 9.12.4 放射線検出デバイス, p.645. )
丸善   2002年4月   
電子情報通信ハンドブック 6-13編 新概念集積回路
雨宮好仁、宮永喜一、赤澤正道 (担当:分担執筆, 範囲:pp. 808 - 814)
オーム社   1998年6月   

講演・口頭発表等

 
Mgイオン注入したGaNの電気的特性の熱処理による変化(2)
植竹啓、横田直茂、赤澤正道
第65回応用物理学会春季学術講演会   2018年3月19日   
プラズマ酸化膜介在層を有するSiO2/InAlN界面の特性
北嶋翔平、赤澤正道
第65回応用物理学会春季学術講演会   2018年3月17日   
Al2O3およびプラズマ酸化物超薄膜介在層を有するSiO2/InAlN界面の特性
北嶋翔平、赤澤正道
第53回応用物理学会北海道支部/第14回日本光学会北海道支部合同学術講演会   2018年1月6日   
Al2O3超薄膜介在層を有するSiO2/InAlN界面の特性
北嶋翔平、赤澤正道
第78回応用物理学会秋季学術講演会   2017年9月7日   
Mgイオン注入したGaNの電気的特性の熱処理による変化
横田直茂、植竹啓、赤澤正道
第78回応用物理学会秋季学術講演会   2017年9月7日   

競争的資金等の研究課題

 
高温熱処理アルミナ超薄膜による絶縁体/窒化インジウムアルミニウム界面の制御と応用
文部科学省: 科学研究費補助金(基盤研究(C))
研究期間: 2015年4月 - 2018年3月    代表者: 赤澤正道
文部科学省: 科学研究費補助金(基盤研究(C))
研究期間: 2012年4月 - 2015年3月    代表者: 赤澤 正道
文部科学省: 科学研究費補助金(基盤研究(A))
研究期間: 2009年 - 2012年    代表者: 橋詰 保
窒化物半導体ヘテロ界面を利用した高電子移動度トランジスタ(HEMT)の劣化特性と表面・バルク電子準位との相関、表面・バルク電子準位の特性解明、電子準位制御構造の開発、新しく提案する多重台形チャネル構造の適用と評価を通して、真にロバストな窒化物半導体トランジスタ構造技術の構築を目的として研究を展開した。本年度の主な成果を以下にまとめる。1)2つのゲートを有するAlGaN/GaN HEMTを用いて、オフ状態電界ストレス後に生じる電流減少(コラプス)を詳細に評価し、ゲート端からの電子注入による表...
文部科学省: 科学研究費補助金(萌芽研究)
研究期間: 2008年 - 2008年    代表者: 長谷川 英機
本研究の目的は、III-V化合物半導体metal-insulator-semiconductor(MIS)構造の界面準位分布に関する「ピンニング・スポット面内分布(Dps)モデル」を、理論解析とSi超薄膜界面層(Si ICL)構造を用いた実験により定量的に検証することにあり、次の成果を得た。(重)従来界面準位は、面内で均一分布すると仮定されてきた。DSPモデルでは、界面準位分布は面内でナノスケール尺度の不均一性をもち、強いフェルミ準位ピンニングを引き起こすスポット状の領域「ピンニング・スポ...
文部科学省: 科学研究費補助金(基盤研究(B))
研究期間: 2006年 - 2007年    代表者: 長谷川 英機
本研究では、環境にやさしく化学的に安定な表面をもつAlGaN/GaNウエハ上に、将来オンチップ集積により、ユビキタス・センサ・ネットワークに組み込み可能な集積化センサを実現するための要素技術を基礎的な立場から検討し、次の成果を得た:(1)半導体界面のモデルを概観し、AlGaN/GaNのショットキ障壁について、フェルミ準位ピンニング、障壁高、逆方向リーク電流についての問題点を指摘した。さらに電流輸送機構を、代表者らのTSBモデルで説明し、逆方向リーク電流が、酸素ゲッタリング・プロセスで大幅に...

特許

 
特願2011-208741 : 電界効果トランジスタおよびその製造方法
橋詰 保,赤澤 正道,廣木 正伸