牧原克典 (Katsunori Makihara) - マイポータル

基本情報

所属: 名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻情報デバイス工学准教授

学位: 博士（工学）(広島大学)

研究者番号: 90553561
J-GLOBAL ID: 201801000870230794
researchmap会員ID: B000323723

外部リンク: http://www.nuee.nagoya-u.ac.jp/labs/miyazakilab/

研究キーワード

Si系量子ドット

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

経歴

2017年4月 - 現在

名古屋大学, 大学院工学研究科電子工学専攻情報デバイス工学, 准教授
2014年4月 - 2017年3月

名古屋大学, 大学院工学研究科量子工学専攻量子ナノエレクトロニクス, 准教授
2013年6月 - 2014年3月

名古屋大学, 大学院工学研究科量子工学専攻量子ナノエレクトロニクス, 助教
2010年12月 - 2013年5月

名古屋大学, 大学院工学研究科電子情報システム専攻, 助教
2009年4月 - 2010年11月

広島大学大学院先端物質科学研究科、研究員
2006年4月 - 2009年3月

日本学術振興会特別研究員（PD）

学歴

2003年4月 - 2006年3月

広島大学, 先端物質科学研究科, 半導体集積科学

受賞

論文

174

Alignment control of self-assembling Si quantum dots

Yuki Imai, Ryoya Tsuji, Katsunori Makihara, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, Seiichi Miyazaki

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 162 2023年8月
Room Temperature Light Emission from Superatom-like Ge-Core/Si-Shell Quantum Dots

Katsunori Makihara, Yuji Yamamoto, Yuki Imai, Noriyuki Taoka, Markus Andreas Schubert, Bernd Tillack, Seiichi Miyazaki

NANOMATERIALS 13(9) 2023年4月
Formation of ultra-thin NiGe film with single crystalline phase and smooth surface

Shunsuke Nishimura, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62(SC) 2023年4月
Evaluation of chemical structure and Si segregation of Al/Si(111)

Taiki Sakai, Akio Ohta, Keigo Matsushita, Noriyuki Taoka, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62(SC) 2023年4月
Effects of Cl passivation on Al2O3/GaN interface properties

Taisei Nagai, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62(SA) 2023年1月
Study on Electron Emission from Phosphorus ?-Doped Si-QDs/Undoped Si-QDs Multiple-Stacked Structures

Katsunori Makihara, Tatsuya Takemoto, Shuji Obayashi, Akio Ohta, Noriyuki Taoka, Seiichi Miyazaki

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E105C(10) 610-615 2022年10月
Magnetic-Field Dependent Electron Transport of Fe3Si Nanodots

Jialin Wu, Katsunori Makihara, Hai Zhang, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, Seiichi Miyazaki

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E105C(10) 616-621 2022年10月
Impact of substrate heating during Al deposition and post annealing on surface morphology, Al crystallinity, and Ge segregation in Al/Ge(111) structure

Keigo Matsushita, Akio Ohta, Noriyuki Taoka, Shohei Hayashi, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 61(SH) 2022年7月
Characterization of electronic charged states of high density self-aligned Si-based quantum dots evaluated with AFM/Kelvin probe technique

Yuki Imai, Katsunori Makihara, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, Seiichi Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 61(SD) 2022年6月
Effect of substrate temperature on plasma-enhanced self-assembling formation of high-density FePt nanodots

Shunsuke Honda, Katsunori Makihara, Noriyuki Taoka, Hiroshi Furuhata, Akio Ohta, Daiki Oshima, Takeshi Kato, Seiichi Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 61(SA) 2022年1月
Segregation control for ultrathin Ge layer in Al/Ge(111) system

Akio Ohta, Masato Kobayashi, Noriyuki Taoka, Mistuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 61(SA) 2022年1月
Surface flattening and Ge crystalline segregation of Ag/Ge structure by thermal anneal

Akio Ohta, Kenzo Yamada, Hibiki Sugawa, Noriyuki Taoka, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 60(SB) 2021年5月
Energy band diagram for SiO2/Si system as evaluated from UPS analysis under vacuum ultraviolet with variable incident photon energy

Akio Ohta, Takuya Imagawa, Noriyuki Taoka, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 60(SA) 2021年1月
Formation of ultrathin segregated-Ge crystal on Al/Ge(111) surface

Masato Kobayashi, Akio Ohta, Masashi Kurosawa, Masaaki Araidai, Noriyuki Taoka, Tomohiro Simizu, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics 2020年4月1日査読有り
Characterization of magnetic-field dependent electron transport of Fe3Si nanodots by using a magnetic AFM probe

J. Wu, H. Zhang, H. Furuhata, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, S. Miyazaki

ECS Transactions 98(5) 493-498 2020年
Crystallization of Ge thin films on sapphire(0001) by thermal annealing

H. Sugawa, A. Ohta, M. Kobayashi, N. Taoka, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

ECS Transactions 98(5) 505-511 2020年
Impact of surface pre-treatment on Pt-nanodot formation induced by remote H-2-plasma exposure

Fujimori Shuntaro, Makihara Katsunori, Ikeda Mitsuhisa, Ohta Akio, Miyazaki Seiichi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 2019年8月1日
Effect of H-2-dilution in Si-cap formation on photoluminescence intensity of Si quantum dots with Ge core

Fujimori Shuntaro, Nagai Ryo, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 2019年8月1日
Comparative study of photoluminescence properties obtained from SiO2/GaN and Al2O3/GaN structures

Takada Noriharu, Taoka Noriyuki, Ohta Akio, Yamamoto Taishi, Nguyen Xuan Truyen, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Shimizu Mitsuaki …

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 2019年8月1日
Characterization of Electron Field Emission from Multiple-Stacking Si-Based Quantum Dots

Futamura Yuto, Makihara Katsunori, Ohta Akio, Ikeda Mitsuhisa, Miyazaki Seiichi

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E102C(6) 458-461 2019年6月

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MISC

151

Total photoelectron yield spectroscopy of energy distribution of electronic states density at GaN surface and SiO2/GaN interface

Akio Ohta, Nguyen Xuan Truyen, Nobuyuki Fujimura, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics 57(6) 2018年6月1日
Low-temperature formation of Ga-oxide/GaN interface with remote oxygen plasma and its interface properties

Taishi Yamamoto, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, Nguyen Xuan Truyen, Hisashi Yamada, Tokio Takahashi, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Mitsuaki Shimizu, Seiichi Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics 57(6) 2018年6月1日
Interface properties of SiO2/GaN structures formed by chemical vapor deposition with remote oxygen plasma mixed with Ar or He

Nguyen Xuan Truyen, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, Katsunori Makihara, Hisashi Yamada, Tokio Takahashi, Mitsuhisa Ikeda, Mitsuaki Shimizu, Seiichi Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics 57(6) 2018年6月1日
Evaluation of resistive switching properties of Si-rich oxide embedded with Ti nanodots by applying constant voltage and current

Akio Ohta, Yusuke Kato, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics 57(6) 2018年6月1日
Energy band structure and electrical properties of Ga-oxide/GaN interface formed by remote oxygen plasma

Taishi Yamamoto, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, Nguyen Xuan Truyen, Hisashi Yamada, Tokio Takahashi, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Osamu Nakatsuka, Mitsuaki Shimizu …

Japanese Journal of Applied Physics 57(6) 2018年6月1日
Growth of two-dimensional Ge crystal by annealing of heteroepitaxial Ag/Ge(111) under N2 ambient

Ito Koichi, Ohta Akio, Kurosawa Masashi, Araidai Masaaki, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

Japanese Journal of Applied Physics 57(6) 06HD08-06HD08 2018年5月24日
High thermal stability of abrupt SiO2/GaN interface with low interface state density

Nguyen Xuan Truyen, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, Katsunori Makihara, Hisashi Yamada, Tokio Takahashi, Mitsuhisa Ikeda, Mitsuaki Shimizu, Seiichi Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics 57(4) 2018年4月1日
Direct evaluation of electrical dipole moment and oxygen density ratio at high-k dielectrics/SiO2 interface by X-ray photoelectron spectroscopy analysis

Nobuyuki Fujimura, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics 57(4) 2018年4月1日
Segregated SiGe ultrathin layer formation and surface planarization on epitaxial Ag(111) by annealing of Ag/SiGe(111) with different Ge/(Si + Ge) compositions

Ito Koichi, Ohta Akio, Kurosawa Masashi, Araidai Masaaki, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

Japanese Journal of Applied Physics 57(4) 04FJ05-04FJ05 2018年3月9日
Carrier Conduction in SiO2/GaN Structure with Abrupt Interface

Nguyen Xuan Truyen, Taoka Noriyuki, Ohta Akio, Yamada Hisashi, Takahashi Tokio, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Shimizu Mitsuaki, Miyazaki Seiichi

2018 INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, SYSTEMS AND APPLICATION (VLSI-TSA) . 2018年
Electroluminescence of superatom-like Ge-core/Si-shell quantum dots by alternate field-effect-induced carrier injection

K. Makihara, M. Ikeda, N. Fujimura, K. Yamada, A. Ohta, S. Miyazaki

Applied Physics Express 11 011305 (4pages) 2018年査読有り
Segregated SiGe ultrathin layer formation and surface planarization on epitaxial Ag(111) by annealing of Ag/SiGe(111) with different Ge/(Si+Ge) compositions

K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

Japanese Jounal of Applied Physics 57 04FJ05 2018年査読有り
Characterization of remote O2-plasma-enhanced CVD SiO2/GaN(0001) structure using photoemission measurements

N. X. Truyen, A. Ohta, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki

Japanese Jounal of Applied Physics 57 01AD02 2018年査読有り
Formation of Mn-germanide nanodots on ultrathin SiO2 induced by remote hydrogen plasma

Yinghui Wen, Katsunori Makihara, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda, Seiichi Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics 57(1) 2018年1月1日
Electroluminescence of superatom-like Ge-core/Si-shell quantum dots by alternate field-effect-induced carrier injection

Katsunori Makihara, Mitsuhisa Ikeda, Nobuyuki Fujimura, Kentaro Yamada, Akio Ohta, Seiichi Miyazaki

Applied Physics Express 11(1) 2018年1月1日
Characterization of remote O2-plasma-enhanced CVD SiO2/GaN(0001) structure using photoemission measurements

Nguyen Xuan Truyen, Akio Ohta, Katsunori Makihara, Mitsuhisa Ikeda, Seiichi Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics 57(1) 2018年1月1日
Impact of phosphorus doping to multiple-stacked Si quantum dots on electron emission properties

Daichi Takeuchi, Katsunori Makihara, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda, Seiichi Miyazaki

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 70 183-187 2017年11月
Magnetoelectronic transport of double stack FePt nanodots

Katsunori Makihara, Taiga Kawase, Akio Ohta, Mitsuhisa Ikeda, Seiichi Miyazaki

APPLIED PHYSICS LETTERS 111(5) 2017年7月
XPSによるHigh-k/SiO₂界面の化学構造およびダイポールの評価 (シリコン材料・デバイス)

藤村信幸, 大田晃生, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(101) 19-23 2017年6月20日
定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価 (シリコン材料・デバイス)

大田晃生, 加藤祐介, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(101) 25-29 2017年6月20日

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講演・口頭発表等

652

Ge量子ドット像のXANAMによるX線エネルギー依存性測定

鈴木秀士, 向井慎吾, 田旺帝, 野村昌治, 藤森俊太郎, 池田弥央, 牧原克典, 宮﨑誠一, 朝倉清高

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年
Sapphire(0001)上にスパッタ形成したGe薄膜の結晶化

須川響, 大田晃生, 小林征登, 田岡紀之, 池田弥央, 牧原克典, 宮﨑誠一

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年
Reduced-Pressure CVDによるGeコアSi量子ドットの高密度一括形成と発光特性評価

牧原克典, Yamamoto Yuji, 藤森俊太郎, 前原拓哉, 池田弥央, Tillack Bern, 宮崎誠一

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年
グラフェン電極を用いたSi量子ドット多重集積構造からの電界電子放出

新林智文, 牧原克典, 大田晃生, 池田弥央, 宮崎誠一

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年
Al/Ge(111)の表面偏析制御による極薄Ge結晶形成

小林征登, 大田晃生, 田岡紀之, 池田弥央, 牧原克典, 宮﨑誠一

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年
Application of Surface Chemical Imaging by XANAM to Ge Surfaces

S. Suzuki, S. Mukai, W. J. Chun, M. Nomura, S. Fujimori, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, K. Asakura

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 2019年11月27日
Characterization of Photoluminescence from Si-QDs with B δ-Doped Ge Core

T. Maehara, S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, S. Miyazaki

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 2019年11月27日
High Density Formation and Magnetoelectronic Transport Properties of Magnetic Fe-silicide Nanodots

H. Zhang, X. Liu, K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, S. Miyazaki

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 2019年11月27日
Formation of High Density Fe-silicide Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma and Characterization of Their Magnetic Properties

J. Wu, H. Furuhata, H. Zhang, Y. Hashimoto, M. Ikeda, A. Ohta, A. Kohno, K. Makihara, S. Miyazaki

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 2019年11月27日
Fabrication of Impurity Doped Si Quantum Dots with Ge Core for Light Emission Devices

K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki

8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 2019年11月27日招待有り
Formation of High Density PtAl Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma Exposure

K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, S. Miyazaki

41st International Symposium on Dry Process 2019年11月21日
Determination of Complex Dielectric Function of Oxide Film from Photoemission Measurements

A. Ohta, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 2019年11月1日
Impact of Boron Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Photoluminescence Properties

S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, S. Miyazaki

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 2019年11月1日
Operand Study of Multiple Stacked Si Quantum Dots by Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy

M. Ikeda, A. Ohta, K. Makihara, S. Miyazaki

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 2019年11月1日
Characterization of Ni/GaN(0001) Interfaces by Photoemission Measurements

K. Watanabe, A. Ohta, N. Taoka, H. Yamada, M. Ikeda, K. Makihara, M. Shimizu, S.Miyazaki

32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference 2019年10月28日
Growth of Hetero-epitaxial Al on Ge(111) and Segregation of Ge Crystal by Annealing

M. Kobayashi, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, N. Taoka, T. Shimizu, K. Makihara, S. Miyazaki

32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference 2019年10月28日
Impact of Boron Doping into Si Quantum Dots with Ge Core on Their Photoluminescence Properties

K. Makihara, S. Fujimori, M. Ikeda, A. Ohta, S. Miyazaki

32nd International Microprocesses and Nanotechnology Conference 2019年10月28日
Ge試料表面構造のXANAM像の取得

鈴木秀士, 向井慎吾, 田旺帝, 野村昌治, 藤森俊太郎, 池田弥央, 牧原克典, 宮﨑誠一, 朝倉清高

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日
GeコアSi 量子ドットにおけるGe選択成長温度が発光特性に及ぼす影響

藤森俊太郎, 前原拓哉, 今井友貴, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日
リモート水素プラズマ支援による磁性合金FeSiナノドットの高密度・一括形成

橋本靖司, 牧原克典, 大田晃生, 池田弥央, 香野淳, 宮崎誠一

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

ゲルマニウム二次元結晶のヘテロ構造形成と電子物性制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2022年4月 - 2025年3月

大田晃生, 柚原淳司, 田岡紀之, 牧原克典
ゲルマニウム二次元結晶のヘテロ構造形成と電子物性制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2022年4月 - 2025年3月

大田晃生, 柚原淳司, 田岡紀之, 牧原克典
ハイブリッドスーパーアトム創成による量子物性制御と新機能デバイス開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2021年4月 - 2024年3月

宮崎誠一, 牧原克典, 大田晃生
Si-Ge系スーパーアトムの内部ポテンシャル変調による量子機能材料創成

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2019年4月 - 2023年3月

牧原克典, 大田晃生, 洗平昌晃
シリコン酸化膜に覆われたゲルマネンを用いた超高速エレクトロニクスの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 2020年7月 - 2022年3月

大田晃生, 牧原克典, 田岡紀之, 洗平昌晃
ナノドットの超高密度規則配列と電子・スピン結合制御

日本学術振興会科学研究費助成事業国際共同研究加速基金(国際共同研究強化(A)) 国際共同研究加速基金(国際共同研究強化(A)) 2019年 - 2021年

牧原克典
一次元連結磁性合金ナノドットのスピン物性制御と新機能メモリ開発

財団法人立松財団財団法人立松財団 A1.特別研究助成 2019年7月 - 2020年3月
価電子制御シリコン量子ドットのドット間結合制御による熱起電力創出

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 挑戦的研究(萌芽) 2017年6月 - 2019年3月

牧原克典
Ｆｅ系磁性合金ハイブリッドドット創成によるスピン・電子制御と新機能メモリ応用

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(A) 若手研究(A) 2016年4月 - 2019年3月

牧原克典
Si-Ge系スーパーアトム構造のセルフアライン集積による光・電子物性制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S) 基盤研究(S) 2015年5月 - 2019年3月

宮崎誠一, 牧原克典, 大田晃生
Si-Ge系スーパーアトム構造のセルフアライン集積による光・電子物性制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S) 2015年4月 - 2019年3月

宮崎誠一
新規IV族系二次元物質の創製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2015年4月 - 2018年3月

白石賢二, 財満鎭明, 宮崎誠一, 中山隆史, 牧原克則, 初貝安弘, 洗平昌晃, 中塚理
空間制御型抵抗変化メモリの創成とスイッチングメカニズムの解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2015年4月 - 2018年3月

高瀬浩一, 清水智弘, 牧原克典
磁性合金ナノドットハイブリッド集積によるスピン物性制御と新機能メモリ応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2015年4月 - 2016年3月

宮崎誠一, 牧原克典, 大田晃生
一次元連結ハイブリッドドットのキャリア輸送・保持制御と高効率発光デバイス創成

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(A) 若手研究(A) 2013年4月 - 2016年3月

牧原克典
シリコン系スーパーアトムの超高密度配列と量子物性制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2012年4月 - 2015年3月

宮崎誠一, 牧原克典, 村上秀樹, 村上秀樹
一次元連結ハイブリッドドットのキャリア輸送・保持制御と高効率発光デバイス創成

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(A) 2013年4月 - 2015年3月
シリコン系スーパーアトムの超高密度配列と量子物性制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2012年4月 - 2014年3月

宮崎誠一
価電子制御シリコン系量子ドット立体集積構造における高輝度エレクトロルミネッセンス

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(スタートアップ) 2009年4月 - 2011年3月
価電子制御シリコン系量子ドット立体集積構造における高輝度エレクトロルミネッセンス

日本学術振興会科学研究費助成事業研究活動スタート支援研究活動スタート支援 2009年 - 2010年

牧原克典

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産業財産権

特願2012-041844 半導体薄膜およびその製造方法

牧原克典, 宮崎誠一, 林司
2010-232401 結晶半導体の製造方法およびそれを用いた半導体素子の製造方法

岡田竜弥, 牧原克典, 宮崎誠一
2010-153610 半導体製造装置、ゲルマニウムドットの製造方法およびそれを用いた半導体メモリの製造方法

牧原克典, 宮崎誠一
2010-153612 金属ドットの製造方法およびそれを用いた半導体メモリの製造方法

牧原克典, 宮崎誠一
12/212,406(US) 発光素子およびその製造方法

牧原克典, 宮崎誠一, 東清一郎
PCT/JP2008/002067 測定装置および測定方法

牧原克典, 宮崎誠一, 東清一郎
特願2008-77082 バイオセンサーおよびその製造方法

牧原克典, 宮崎誠一, 東清一郎, 村上秀樹
特願2008-70602 発光素子およびその製造方法

牧原克典, 宮崎誠一, 東清一郎
PCT/JP2007/001361 半導体メモリ、それを用いた半導体メモリシステム、および半導体メモリに用いられる量子ドットの製造方法

牧原克典, 宮崎誠一, 東清一郎
PCT/JP2007/001360 半導体素子

牧原克典, 宮崎誠一, 東清一郎, 村上秀樹

牧原克典

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