嘉数誠 (Makoto Kasu) - マイポータル

基本情報

所属: 佐賀大学理工学系理工学部電気電子工学部門教授

学位: 博士（工学）(1992年5月)

研究者番号: 50393731
J-GLOBAL ID: 202001006119891692
researchmap会員ID: R000001065

研究キーワード

研究分野

経歴

2019年4月 - 現在

佐賀大学, 海洋エネルギー研究センター, 教授
2011年10月 - 現在

佐賀大学, 大学院工学系研究科電気電子工学講座, 教授
2019年4月 - 2021年3月

佐賀大学, 理工学部理工学科電子デバイスコース, 主任
2016年5月 - 2020年3月

国立研究開発法人産業技術総合研究所, クロスアポイントメントフェロー
2015年4月 - 2017年3月

国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構, 客員教授
2013年4月 - 2014年3月

佐賀大学, 電気電子工学, 学科主任
2013年4月 - 2014年3月

佐賀大学, 電気電子工学, 専攻長
2010年4月 - 2012年3月

早稲田大学, 基幹理工学部電子光システム学科, 非常勤講師
2000年10月 - 2011年9月

日本電信電話株式会社, 物性科学基礎研究所, 主幹研究員
2011年3月 - 2011年3月

筑波大学, 大学院数理物質科学研究科, 大学等非常勤研究員
2007年7月 - 2011年1月

日本電信電話株式会社, 物性科学基礎研究所薄膜材料研究グループ, リーダー
2007年2月 - 2007年3月

パリ大学, （第13）工学部材料工学専攻, 招聘教授
2005年4月 - 2007年3月

日本電信電話株式会社, 物性科学基礎研究所, 特別研究員
2003年1月 - 2003年12月

東京大学, 大学院工学研究科応用科学光学専攻, 非常勤講師
2003年1月 - 2003年12月

東京理科大学, 基礎工学部材料工学専攻, 非常勤講師
2002年7月 - 2003年7月

ドイツ・ウルム大学, 電子デバイス回路学科, 客員研究員
2001年1月 - 2001年12月

立命館大学, 理工学部電子光情報工学科, 非常勤講師
1990年4月 - 2000年9月

日本電信電話株式会社, 基礎研究所, 研究員

学歴

- 1990年3月

京都大学, 工学研究科, 電気工学,博士課程・博士後期課程,単位取得満期退学
- 1985年3月

京都大学, 工学部, 電気電子工学科

受賞

2025年3月

応用物理学会論文賞, Structural characterization of defects in EFG- and HVPE-grown beta-Ga2O3 crystals, 応用物理学会

嘉数誠
2023年5月

2023年半導体オブザイヤー2023半導体デバイス部門優秀賞, ダイヤモンド半導体パワーデバイスの世界最高の出力電力・電圧, 産業タイムズ社

嘉数誠
2020年3月

APEX JJAP 編集貢献賞, 応用物理学会
2016年9月

応用物理学会フェロー, 応用物理学会
2016年5月

表面科学会フェロー, 表面科学会
2010年7月

論文賞, 日本結晶成長学会
2007年2月

技術誌Technical Review論文賞, NTT
2005年2月

物性研所長表彰業績賞, NTT
2005年2月

先端総研所長報道特別賞, NTT
2004年2月

先端総研所長表彰報道特別賞, NTT
2004年2月

物性研所長表彰業績賞, NTT
2003年2月

先端総研所長表彰業績賞, NTT
2001年7月

電子材料シンポジウム（EMS）アワード, NTT
2001年2月

物性研所長表彰業績賞, NTT

論文

188

4067 h of Long-Period Continuous Operation of Diamond MOSFETs

Niloy Chandra Saha, Masanori Eguchi, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 2026年
(100) Microcracks induced by (1 ± 11) stacking faults in halide vapor deposited (001) β-Ga2O3: Origin of reverse leakage current in Schottky barrier diodes observed by high-sensitive emission microscopy and synchrotron x-ray topography

Masanori Eguchi, Makoto Sato, Niloy Chandra Saha, Toshiyuki Oishi, Badari Narayana Rao, Chia-Hung Lin, Kohei Sasaki, Makoto Kasu

Journal of Applied Physics 138(18) 2025年11月10日
High off-state voltage (4266 V) diamond metal oxide semiconductor field effect transistors

Niloy Chandra Saha, Masanori Eguchi, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 43(4) 2025年7月
Dynamic switching operation of diamond MOSFETs with NO₂ p-type doping and Al₂O₃ gate insulation and passivation

Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Masanori Eguchi, Toshiyuki Oishi, Makoto Kasu

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 42(5) 2024年9月
Killer defect responsible for reverse leakage current in halide vapor phase epitaxial (011) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes investigated via ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron x-ray topography

S. Sdoeung, Y. Otsubo, K. Sasaki, A. Kuramata, M. Kasu

2023 Applied Physics Letters 123(12),122101 123(12) 122101 2023年12月1日
Observation of comet-shaped defect as killer defect in halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 and its impact on Schottky barrier diodes

S. Sdoeung, K. Sasaki, K Kawasaki, A. Kuramata, M. Kas

Jpn. J. Appl. Phys. 62 71001 2023年12月1日
AC Stable (100 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs

Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Toshiyuki Oishi, M. Kas

IEEE Electron Device Letters 44 1704 2023年10月31日
Characterization of dislocation of halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 by ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography and its influence on Schottky barrier diodes

Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata and Makoto Kasu

Jpn. J. Appl. Phys 62 SF1001 2023年9月30日
1651-V All-ion-implanted Schottky Barrier Diode on Heteroepitaxial Diamond with 3.6×105 On/off Ratio

Niloy Chandra Saha , Yuya Irie, Yuhei Seki, Yasushi Hoshino, Jyoji Nakata, Seong-Woo Kim , Toshiyuki Oishi,

IEEE Electron Dev. Lett. 44 293 2023年9月30日
Long Stress (190 h) Operation of NO2 p-Type Doped Diamond MOSFETs

Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Toshiyuki Oishi, M. Kasu

IEEE Electron Device Letters 44 975 2023年6月30日
Fast Switching NO2-doped p-Channel Diamond MOSFETs

Niloy Chandra Saha, Tomoki Shiratsuchi, Seong-Woo Kim, Koji Koyama, Toshiyuki Oishi, and Makoto Kasu

IEEE Electron Device Letters 44 793 2023年3月31日
The improvement of Schottky barrier diodes fabricated only by B ion implantation doping accomplished by refinement of the electrode structure

Yuhei Seki, Niloy Chandra Saha, Seiya Shigematsu, Yasushi HOSHINO, Jyoji Nakata, Toshiyuki Oishi and Makoto Kasu

Jpn. J. Appl. Phys. 62 40902 2023年3月31日
3659-V NO? p-Type Doped Diamond MOSFETs on Misoriented Heteroepitaxial Diamond Substrates

Niloy Chandra Saha; Seong-Woo Kim; Koji Koyama; Toshiyuki Oishi; Makoto Kasu

IEEE Electron Dev. Lett. 44 112 2023年1月31日
Identification of dislocation responsible for leakage current in halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes investigated via ultrahigh-sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography

Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, and Makoto Kasu

Appl. Phys. Express 15 111001 2022年12月31日
Initial growth mechanism of high-quality CVD diamond on Ir/sapphire substrate compared with Ir/MgO substrate

Makoto Kasu, Ryota Takaya, Ryo Masaki, and Seong-Woo Kim

Diamond and Related Materials 128 109287 2022年12月31日
3326-V Modulation-Doped Diamond MOSFETs

Niloy Chandra Saha , Seong-Woo Kim , Toshiyuki Oishi , and Makoto Kasu

IEEE Electron Dev. Lett. 43 1303 2022年12月31日
Growth of high-quality inch-diameter heteroepitaxial diamond layers on sapphire substrates in comparison to MgO substrates

M. Kasu, R. Takaya, S. ?W. Kim

Diamond and Related Materials 126 109086 2022年12月31日
875-MW/cm2 Low-Resistance NO2 p-type Doped Chemical Mechanical Planarized Diamond MOSFET

N. C. Saha, S. -W. Kim, T. Oishi, and M. Kasu

IEEE Electron Device Letters 43(5) 777 2022年12月31日
Structural characterization of defects in EFG- and HVPE-grown ?-Ga2O3 crystals

Osamu Ueda, Makoto Kasu, Hirotaka Yamaguchi

Japanese Journal of Applied Physics 61 50101 2022年12月31日
High Crystal Quality of Vertical Bridgman and Edge-defined Film-fed Growth-Grown β-Ga2O3 Bulk Crystal Investigated Using High-Resolution X-ray Diffraction and Synchrotron X-ray Topography

Muhidul Islam Chaman, Keigo Hoshikawa, Sayleap Sdoeung, and Makoto Kasu

Japanese Journal of Applied Physics 61 55501 2022年12月31日

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MISC

Microgrooves with low-index facets in halide vapor deposited (001) β-Ga₂O₃: origin of reverse leakage current in Schottky barrier diodes observed by high-sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography

Makoto Kasu, Yuto Otsubo, Sayleap Sdoeung, Masanori Eguchi, Niloy Chandra Saha, Toshiyuki Oishi, Kohei Sasaki, Chia-Hung Lin, Jun Arima, Katsumi Kawasaki …

APPLIED PHYSICS EXPRESS 17(7) 2024年7月1日
ダイヤモンド半導体

嘉数誠

學士會会報 2022年2月1日
ダイヤモンドパワー半導体デバイスの高出力化成功 5年後実用化に照準合わす

嘉数誠

ダイヤモンドパワー半導体デバイスの高出力化成功 5年後実用化に照準合わす (972) 2021年11月15日
ダイヤモンドウェハおよびトランジスタ技術の最近の進展

嘉数誠

かがやき 33 2021年11月1日
パワー半導体デバイス応用を目指したダイヤモンド，酸化ガリウムのシンクロトロンX 線トポグラフィー観察

嘉数誠、桝谷聡士

放射光学会Nov. 2019 Vol.32 No.6、285-291 32(6) 285 2020年1月査読有り
資源問題と表面科学

嘉数誠

表面科学 35(12) 2014年12月
シンクロトロン光・X線トポグラフィーを用いたダイヤモンド単結晶の転位の同定

嘉数誠、村上竜一、桝谷聡士

ニューダイヤモンド 30(4) 113-116 2014年4月
ダイヤモンド結晶成長：パワーデバイス応用への現状と課題

嘉数誠、平間一行、佐藤寿志

結晶成長学会誌 39(4) 6 2012年12月
NO2及びO3吸着による水素終端ダイヤモンド表面での正孔生成

嘉数誠、佐藤寿志、M. Kubovic、前田文彦

表面科学 33(10) 575 2012年10月
CVD 単結晶ダイヤモンドの異常成長粒子、転位、不純物ドーピングの機構

嘉数誠

結晶成長学会誌 39(4) 38-42 2012年4月

書籍等出版物

ダイヤモンドヘテロエピタキシャル結晶成長とダイヤモンドＦＥＴへの応用

嘉数誠、金聖祐 (担当:共著)

NTS 2022年1月1日
ダイヤモンドデバイスのスマートフォン・タッチパネル向けデバイスへの応用の可能性

嘉数誠 (担当:分担執筆)

2013年4月
水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタ

嘉数誠 (担当:分担執筆)

2009年
ダイヤモンド半導体２．デバイス

嘉数誠 (担当:分担執筆)

2009年
ダイヤモンド高周波デバイス

嘉数誠 (担当:分担執筆)

2008年
第６節ＡｌＮ遠紫外発光ダイオードの現状と課題

谷保芳孝、嘉数誠、牧本俊樹 (担当:分担執筆)

2007年
AlN light-emitting diodes

Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto (担当:分担執筆)

2006年
微傾斜面とエピタキシー

嘉数誠 (担当:分担執筆)

2002年

講演・口頭発表等

305

(001)面方位HVPEエピ厚膜?型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの多結晶欠陥列のエミッション顕微鏡観察

大坪優斗, 佐々木公平, 有馬潤, 藤田実, 川崎克己, 倉又朗人, 嘉数誠

25p-61A-11、応用物理学会春季学術講演会、2024年3月25日 2024年3月25日
ダイヤモンドMOSFETの高電圧(105V) スイッチング動作

白土智基, ニロイチャンドラサハ, 大石敏之, 嘉数誠

25a-52A-6、応用物理学会春季学術講演会、2024年3月25日 2024年3月25日
Diamond High Power and Voltage MOSFETs: Physics, Fabrication, Static and Dynamic Characterization

M, Kasu、Niloy, Chandra Saha

16th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 17th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science / 13th Asia-Pacific International Symposium on the Basics and Applications of Plasma Technology (ISPlasma2024 / IC-PLANTS2024 / APSPT-13) ISPlasma 2024、名古屋、2024年3月5日 2024年3月5日招待有り
ダイヤモンドパワー半導体開発の現状

嘉数誠

エレトロニクス実装学会「部品内蔵技術委員会技術調査研究会公開研究会『パワーデバイスと関連技術』」、2024年3月1日 2024年3月1日招待有り
パワー半導体に向けたダイヤモンドMOSFETの最近の進展

嘉数誠

応用物理学会電子デバイス界面研究会、三島、2024年2月1日 2024年2月1日招待有り
ダイヤモンド半導体の最近の進展～パワー半導体デバイスと大口径ウェハ～

嘉数誠

映像情報メディア学会、佐賀、2024年1月25日 2024年1月25日招待有り
ダイヤモンドパワー半導体デバイス技術の現状

嘉数誠

パワーエレクトロニクス学会「」、大阪、2023年12月16日 2023年12月16日招待有り
ダイヤモンドパワー半導体デバイス技術の現状

嘉数誠

SEMICON「STSパワーデバイスセッション、飛躍するパワーデバイスの技術と応用最前線」、東京、2023年12月15日 2023年12月15日招待有り
ダイヤモンド半導体デバイスの作製とインチ径ウェハの成長メカニズム

嘉数誠

日本テクノセンター「次世代パワー半導体の基礎と最新動向」 2023年12月7日招待有り
ダイヤモンドの最近の進展：パワー半導体と大口径ウェハの開発

嘉数誠

機械学会「第 14 回マイクロ・ナノ工学シンポジウム」、2023年11月8日 2023年11月8日招待有り
ダイヤモンド半導体

嘉数誠

トランジスタ技術ミニセミナー（招待）、2023年11月2日 2023年11月2日招待有り
ダイヤモンド半導体デバイスの作製とインチ径ウェハの成長メカニズム

嘉数誠

ナノ科学シンポジウム（招待）、東京、2023年10月27日 2023年10月27日招待有り
ダイヤモンドMOSFETの最近の進展～次世代パワーデバイスへの道を拓く～

嘉数誠

サタディプラズマ（招待）、オンライン、2023年10月14日 2023年10月14日招待有り
佐賀発！ダイヤモンド半導体の開発～佐大から宇宙へ～

嘉数誠

DRPネットワーク研究会（招待）、佐賀、2023年10月13日 2023年10月13日招待有り
ダイヤモンドNO2 p 型ドープMOSFET の長時間(100h)AC ストレス測定

白土智基, ニロイチャンドラサハ, 大石敏之, 嘉数誠

23p-B201-4、第84回応用物理学会秋季学術講演会、2023年9月23日 2023年9月23日
放射光X 線トポグラフィーによるEFG (001) β-Ga2O3 の部分転位に関連する積層欠陥の観察

Sayleap Sdoeung、Yuto Ostubo、Kohei Sasaki、Chia-Hung Lin、Akito Kuramata、Makoto Kasu

19a-A302-5、第84回応用物理学会秋季学術講演会、2023年9月19日 2023年9月19日
(011)面方位HVPE ?型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの多結晶欠陥の断面STEM 観察

スダーンセイリープ, 佐々木公平, 倉又朗人, 嘉数誠

19a-A302-2、第84回応用物理学会秋季学術講演会、2023年9月19日 2023年9月19日
ダイヤモンドパワー半導体デバイスの作製とデバイス応用に向けた課題

嘉数誠

技術情報協会（招待）、オンライン、2023年9月12日 2023年9月12日招待有り
ダイヤモンド半導体デバイスの開発～佐大から宇宙へ～

嘉数誠

菱の実会（招待）、佐賀、2023年9月2日 2023年9月2日招待有り
宇宙応用に向けたダイヤモンド半導体パワーデバイスの開

嘉数誠

マイクロ波無線送電技術ビジネス化研究会（招待）、東京、2023年8月31日 2023年8月31日招待有り

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

サファイア、SiC基板上ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長とMOSFETへの応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2025年4月 - 2030年3月

嘉数誠, SAHA・NILOY CHANDRA
結晶格子の異なる基板上のインチ径ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長機構の学理

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2022年4月 - 2025年3月

嘉数誠, SAHA・NILOY CHANDRA, 高橋和敏, 大石敏之
結晶格子の異なる基板上のインチ径ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長機構の学理

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2022年4月 - 2025年3月

嘉数誠, SAHA・NILOY CHANDRA, 高橋和敏, 大石敏之
Si/ダイヤモンド直接接合界面ナノ構造の熱処理による制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2021年4月 - 2025年3月

重川直輝, 嘉数誠, 大野裕, 梁剣波
Si/ダイヤモンド直接接合界面ナノ構造の熱処理による制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2021年4月 - 2025年3月

重川直輝, 嘉数誠, 大野裕, 梁剣波
三方晶系サファイア基板上の立方晶系ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長の基礎研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2019年4月 - 2022年3月

嘉数誠, 高橋和敏, 大石敏之
高効率素子に向けたワイドギャップ半導体／ダイヤモンド直接接合及び界面相構造の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 2018年6月 - 2020年3月

重川直輝, 嘉数誠, 梁剣波
パワー素子に向けたダイヤモンド/シリコン常温接合とその結晶工学的機構の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2016年4月 - 2018年3月

重川直輝, 嘉数誠, 梁剣波
超高濃度二次元キャリアをもつダイヤモンドMOS構造の電子物性と界面構造の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2015年4月 - 2018年3月

嘉数誠, 高橋和敏
ダイヤモンド表面の超高濃度キャリア生成機構の統一的解明と次世代デバイスへの展開

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2012年4月 - 2015年3月

嘉数誠, 白石賢二
窒化物半導体ステップフリーヘテロ構造の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2010年 - 2012年

赤坂哲也, 後藤秀樹, 小林康之, 嘉数誠
超伝導人工原子を用いた量子メモリーの研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2010年 - 2012年

仙場浩一, 根本香絵, 齋藤志郎, 角柳孝輔, 中ノ勇人, ZHU Xiaobo, 狩元慎一, 嘉数誠, 水落憲和

嘉数誠

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