藤野真久 (Masahisa Fujino) - マイポータル

基本情報

所属: Agency for Science, Technology and Research (A*STAR) Institute of Microelectronics (IME) Senior Scientist

学位: 博士(工学)(東京大学)

ORCID iD: https://orcid.org/0000-0001-5281-846X
J-GLOBAL ID: 201601020411395663
researchmap会員ID: B000256987

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

経歴

2024年9月 - 現在

Agency for Science, Technology and Research (A*STAR), Institute of Microelectronics (IME), Senior Scientist
2023年10月 - 2024年8月

国立研究開発法人産業技術総合研究所, 先端半導体研究センター 3D集積技術研究チーム, 主任研究員
2020年4月 - 2023年9月

国立研究開発法人産業技術総合研究所, デバイス技術研究部門 3D集積システムグループ, 主任研究員
2017年10月 - 2020年3月

国立研究開発法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロニクス研究部門 3D集積システムグループ, 主任研究員
2007年12月 - 2017年9月

東京大学, 大学院工学系研究科精密工学専攻, 助教
2005年10月 - 2007年11月

Fraunhofer Institute IZM, Environmental Engineering Department, Guest Researcher

論文

Interfacial analysis of bonded SiCn interfaces by neutron reflectometry

Masahisa Fujino, Kenji Takahashi, Katsuya Kikuchi, Tetsuya Ueda, Noboru Miyata, Tsukasa Miyazaki

2021 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2021 10 2021年10月5日
Surface activated bonding of Nb-Nb for surperconducting device interconnect

Yuta Takahashi, Masahisa Fujino, Takashi Matsumae, Hiroshi Nakagawa, Katsuya Kikuchi, Tohru Taino

2021 International Conference on Electronics Packaging, ICEP 2021 21-22 2021年5月12日
Transfer of ferroelectric thin film capacitor using internal stress of plated film

Kazutaka Sueshige, Masahisa Fujino, Tadatomo Suga, Masaaki Ichiki

IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines 141(2) 39-43 2021年2月1日
Wafer-level hybrid bonding for Cu/Interlayer-dielectric bonding

Masahisa Fujino, Kenji Takahashi, Katsuya Kikuchi

Proceedings of 2019 6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2019 44 2019年5月1日
Low temperature de-oxidation for copper surface by catalyzed formic acid vapor

Pei Wen Chou, Jenn Ming Song, Zong Yu Xie, Masatake Akaike, Tadatomo Suga, Masahisa Fujino, Jing Yuan Lin

Applied Surface Science 456 890-898 2018年10月31日査読有り
Mechanism of bonding and debonding using surface activated bonding method with Si intermediate layer

Kai Takeuchi, Masahisa Fujino, Yoshiie Matsumoto, Tadatomo Suga

Japanese Journal of Applied Physics 57(4) 2018年4月査読有り
Room temperature bonding and debonding of polyimide film and glass substrate based on surface activate bonding method

Kai Takeuchi, Masahisa Fujino, Yoshiie Matsumoto, Tadatomo Suga

Japanese Journal of Applied Physics 57(2) 2018年2月査読有り
Bonding and transferring of carbon nanotube bumps using magnetron sputtering

Masahisa Fujino, Hidenori Terasaka, Tadatomo Suga

Japanese Journal of Applied Physics 57(2) 2018年2月査読有り
Room temperature temporary bonding of glass substrates based on SAB method using si intermediate layer

Kai Takeuchi, Masahisa Fujino, Tadatomo Suga

IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology 7(10) 1713-1720 2017年10月査読有り
Preparation of pine-like Cu-Ni-P coating and its application in 3D integration

Wenjing Zhang, Yinghui Wang, Tadatomo Suga, Hiromu Kawai, Michitaka Yamamoto, Eiji Higurashi, Masahisa Fujino, Ming Li

18th International Conference on Electronic Packaging Technology, ICEPT 2017 54-58 2017年9月19日査読有り
Cu/adhesive hybrid bonding through a Cu-first bonding approach by using H-containing HCOOH vapor surface treatment

Ran He, Masahisa Fujino, Masatake Akaike, Tadatomo Suga, Taiji Sakai, Seiki Sakuyama

18th International Conference on Electronic Packaging Technology, ICEPT 2017 865-870 2017年9月19日査読有り
SiC wafer bonding using surface activation method for power device

Fengwen Mu, Masahisa Fujino, Tadatomo Suga, Kenichi Iguchi, Haruo Nakazawa, Yoshikazu Takahashi

18th International Conference on Electronic Packaging Technology, ICEPT 2017 660-663 2017年9月19日査読有り
GaN-Si direct wafer bonding at room temperature for thin GaN device transfer after epitaxial lift off

Fengwen Mu, Yuki Morino, Kathleen Jerchel, Masahisa Fujino, Tadatomo Suga

APPLIED SURFACE SCIENCE 416 1007-1012 2017年9月査読有り
Combined surface activated bonding using H-containing HCOOH vapor treatment for Cu/Adhesive hybrid bonding at below 200 °C

Ran He, Masahisa Fujino, Masatake Akaike, Taiji Sakai, Seiki Sakuyama, Tadatomo Suga

Applied Surface Science 414 163-170 2017年8月31日査読有り
Cu/Adhesive Hybrid Bonding at 180 °c in H-Containing HCOOH Vapor Ambient for 2.5D/3D Integration

Ran He, Masahisa Fujino, Masatake Akaike, Taiji Sakai, Seiki Sakuyama, Tadatomo Suga

Proceedings - Electronic Components and Technology Conference 1243-1248 2017年8月1日査読有り
Room temperature SiC-SiC direct wafer bonding by SAB methods

Fengwen Mu, Kenichi Iguchi, Haruo Nakazawa, Yoshikazu Takahashi, Masahisa Fujino, Tadatomo Suga

Proceedings of 2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2017 3 2017年6月13日査読有り
Room temperature bonding and debonding of PI film and glass substrate based on SAB method

K. Takeuchi, M. Fujino, Y. Matsumoto, T. Suga

Proceedings of 2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2017 38 2017年6月13日査読有り
Surface activated bonding of Si wafers at liquid nitrogen temperature

Yasuhisa Morishita, Masahisa Fujino, Tadatomo Suga

Proceedings of 2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2017 67 2017年6月13日査読有り
The effect of surface activation process for the GaAs device properties

Masahisa Fujino, Nobuto Managaki, Hiroshi Yamada, Tadatomo Suga

2017 International Conference on Electronics Packaging, ICEP 2017 177-180 2017年6月5日査読有り
Reduction reaction analysis of nanoparticle copper oxide for copper direct bonding using formic acid

Masahisa Fujino, Masatake Akaike, Naoya Matsuoka, Tadatomo Suga

Japanese Journal of Applied Physics 56(4) 2017年4月査読有り

もっとみる

MISC

Low Temperature Bonding for 3D Integration FOREWORD

Naoteru Shigekawa, Hideki Takagi, Masahisa Fujino, Eiji Higurashi, Nobuhiko Nishiyama, Takehito Shimatsu, Noriaki Toyoda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59 2020年2月
複合表面活性化法によるCu/Dielectricハイブリッド接合

赫然, 藤野真久, 山内朗, 須賀唯知

マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集 26 299-302 2016年9月8日
複合表面活性化接合(SAB)による3D集積化のための低温ウエハ接合

赫然, 藤野真久, 山内朗, 須賀唯知

マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集 25 321-324 2015年9月3日
表面活性化接合法に基づいてSiCウェハ接合

須賀唯知, 母鳳文, 藤野真久

マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集 24 175-178 2014年9月4日
ボイドフリー親水化接合のための拡張表面活性化接合プロセス

赫然, 藤野真久, 山内朗, 須賀唯知

マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集 24 271-274 2014年9月4日
銀-錫微粉末を用いた焼結接合技術における焼結温度条件の検討

成澤弘純, 倉持譲, 藤野真久, 日暮栄治, 須賀唯知, 白鳥俊幸, 水野正孝

マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集 24 267-270 2014年9月4日
多接合型太陽電池のためのGeとGaAsの表面活性化接合

河野元紀, 藤野真久, 山下大之, 渡辺健太郎, 杉山正和, 中野義昭, 須賀唯知

精密工学会大会学術講演会講演論文集 2014 ROMBUNNO.E21 2014年3月1日
Directly bonded Ge/GaAs by surface activated bonding for high efficiency III-V multi-junction solar cells

Genki Kono, Masahisa Fujino, Daiji Yamashita, Kentaroh Watanabe, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Tadatomo Suga

Proceedings of 2014 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, LTB-3D 2014 50 2014年1月1日

共同研究・競争的資金等の研究課題

原子層堆積ハイブリッド表面の局所ダイナミクスの解明と3Dヘテロデバイスへの応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2023年4月 - 2026年3月

井上史大, 藤野真久
自己組織化単分子膜およびナノ密着層を用いたグラフェンのガラスへの転写

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 2014年4月 - 2017年3月

藤野真久
プラチナ触媒を使ったギ酸処理による低温接合手法の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2014年4月 - 2017年3月

須賀唯知, 藤野真久, 赤池正剛

藤野真久

基本情報

研究分野

経歴

論文

MISC

共同研究・競争的資金等の研究課題

メニュー

共著者の一覧