特許権 ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドMISFETの製造方法 国立研究開発法人物質・材料研究機構 劉 江偉, 小出 康夫, リャオ メイヨン, 井村 将隆, 松元 隆夫, 柴田 直哉, 幾原 雄一 出願番号 特願2015-174571 出願日 2015年9月4日 公開番号 特開2017-050485 公開日 2017年3月9日 リンク情報 J-GLOBALhttps://jglobal.jst.go.jp/detail?JGLOBAL_ID=201703009011438550URLhttp://jglobal.jst.go.jp/public/201703009011438550 ID情報 J-Global ID : 201703009011438550