産業財産権

特許権

ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドMISFETの製造方法

  • 劉 江偉
  • ,
  • 小出 康夫
  • ,
  • リャオ メイヨン
  • ,
  • 井村 将隆
  • ,
  • 松元 隆夫
  • ,
  • 柴田 直哉
  • ,
  • 幾原 雄一

出願番号
特願2015-174571
出願日
2015年9月4日
公開番号
特開2017-050485
公開日
2017年3月9日

リンク情報
J-GLOBAL
https://jglobal.jst.go.jp/detail?JGLOBAL_ID=201703009011438550
URL
http://jglobal.jst.go.jp/public/201703009011438550
ID情報
  • J-Global ID : 201703009011438550