河村貴宏 (Takahiro Kawamura) - マイポータル

基本情報

所属: 三重大学大学院工学研究科機械工学専攻助教

学位: 工学博士(九州大学)

J-GLOBAL ID: 201901007438931996
researchmap会員ID: B000376731

外部リンク: https://www.qm.mach.mie-u.ac.jp/

研究キーワード

研究分野

ナノテク・材料 / 結晶工学 /

経歴

2010年4月 - 現在

三重大学, 大学院工学研究科, 助教
2008年4月 - 2010年3月

大阪大学, 大学院工学研究科, 特任研究員

学歴

2005年4月 - 2008年3月

九州大学, 大学院工学府, 航空宇宙工学専攻博士後期課程
2003年4月 - 2005年3月

九州大学, 大学院工学府, 航空宇宙工学専攻博士前期課程
1999年4月 - 2003年3月

九州大学, 工学部, 機械航空工学科

委員歴

2022年 - 現在

日本結晶成長学会, 理事・総務委員
2021年 - 現在

日本学術振興会 R032産業イノベーションのための結晶成長委員会, 委員
2019年 - 現在

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), Steering Committee, Accounting
2019年 - 現在

日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科, 会計幹事
2017年 - 現在

公益社団法人応用物理学会東海支部, 幹事
2022年 - 2022年

電子材料シンポジウム (EMS 41) 実行委員, 展示委員
2021年11月 - 2022年1月

IWSingularity 2022 / ISWGPDs 2022, Steering Committee
2019年 - 2021年

8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8), Program Committee, Secretary
2019年 - 2019年

9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), Local Arrangement Committee, Member
2016年 - 2018年

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018), Steering Committee, Accounting
2016年 - 2018年

International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy 2018 (ICMOVPE-19), Steering Committee, Public Affairs
2017年 - 2017年

電子材料シンポジウム (EMS 36), 実行委員, 会場委員
2016年 - 2017年

International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD2017), Steering Committee, General Affairs
2016年 - 2016年

電子材料シンポジウム (EMS 35), 実行委員, 会場委員
2014年 - 2016年

International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18), Local Arrangement Committee, member
2014年 - 2016年

6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Steering Committee, Public Affairs

受賞

2005年8月

講演奨励賞, 分子動力学法によるAlN/GaN超格子の熱伝導率解, 日本結晶成長学会

河村貴宏, 寒川義裕, 柿本浩一

論文

OVPE成長条件下におけるGaN表面構造と点欠陥がGaNの光学特性へ与える影響

河村貴宏, 秋山亨, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介, 森川良忠, 寒川義裕

日本結晶成長学会誌 50(1) 02-1-02-8 2023年4月査読有り招待有り筆頭著者責任著者
Effect of lattice constraint on structural stability and miscibility of (AlxGa1−x)2O3 films: a first-principles study

Shuri Fujita, Toru Akiyama, Takahiro Kawamura, Tomonori Ito

Japanese Journal of Applied Physics 2023年4月1日査読有り
Bandgap Change in Short-Period InN/AlN Superlattices Induced by Lattice Strain

Takahiro Kawamura, Kouhei Basaki, Akito Korei, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 2023年2月査読有り筆頭著者責任著者
Epitaxial Junction of Inversion Symmetry Breaking AlN and Centrosymmetric NbN: A Polarity Control of Wide-Bandgap AlN

Atsushi Kobayashi, Shunya Kihira, Toru Akiyama, Takahiro Kawamura, Takuya Maeda, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka

ACS Applied Electronic Materials 2023年1月9日査読有り
Role of charged oxygen vacancies and substrate lattice constraint on structural stability of Ga2O3 polymorphs

Toru Akiyama, Takahiro Kawamura, Tomonori Ito

Applied Physics Express 2023年1月1日査読有り
Structures and stability of GaN/Ga2O3 interfaces: a first-principles study

Fumiaki Hishiki, Toru Akiyama, Takahiro Kawamura, Tomonori Ito

Japanese Journal of Applied Physics 2022年6月1日査読有り
Influence of oxygen-related defects on the electronic structure of GaN

Satoshi Ohata, Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Tomoaki Sumi, Junichi Takino

Japanese Journal of Applied Physics 61(6) 2022年6月1日査読有り責任著者
Bandgap engineering of alpha-Ga2O3 by hydrostatic, uniaxial, and equibiaxial strain

Takahiro Kawamura, Toru Akiyama

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 61(2) 021005 2022年2月査読有り筆頭著者責任著者
Activation free energies for formation and dissociation of N–N, C–C, and C–H bonds in a Na–Ga melt

Takahiro Kawamura, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa

Computational Materials Science 194 110366-110366 2021年6月査読有り筆頭著者
Computational discovery of stable phases of graphene and h-BN van der Waals heterostructures composed of group III–V binary compounds

Toru Akiyama, Takahiro Kawamura, Tomonori Ito

Applied Physics Letters 118(2) 023101-023101 2021年1月11日査読有り
Absolute surface energies of oxygen-adsorbed GaN surfaces

Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto

Journal of Crystal Growth 549 125868-125868 2020年11月査読有り
First-Principles Calculation of Bandgaps of Al1-xInxN Alloys and Short-Period Al1-xInxN/Al1-yInyN Superlattices

Takahiro Kawamura, Yuma Fujita, Yuya Hamaji, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa, Izabela Gorczyca, Tadeusz Suski, Malgorzata Wierzbowska, Stanislaw Krukowski

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 1900530-1-5 2019年10月査読有り
First-principles study of polar, nonpolar, and semipolar GaN surfaces during oxide vapor phase epitaxy growth

Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Toru Akiyama

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57(11) 115504-1-7 2018年11月査読有り
First-principles study of the surface phase diagrams of GaN(0001) and (000-1) under oxide vapor phase epitaxy growth conditions

Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 254(8) 1600706-1-6 2017年8月査読有り
Prediction of oxidation behavior of near-α titanium alloys

T. Kitashima, T. Kawamura

Scripta Materialia 124 56-58 2016年11月査読有り
Strain energy analysis of screw dislocations in 4H-SiC by molecular dynamics

Takahiro Kawamura, Mitsutoshi Mizutani, Yasuyuki Suzuki, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(3) 031301-5 2016年3月査読有り
Mechanism for enhanced single-crystal GaN growth in the C-assisted Na-flux method

Takahiro Kawamura, Hiroki Imabayashi, Mihoko Maruyama, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa

APPLIED PHYSICS EXPRESS 9(1) 015601-1-4 2016年1月査読有り
分子動力学法を用いたTiAl系金属間化合物における転位挙動の解析

竹内俊一, 河村貴宏, 鈴木泰之, 北嶋具教

日本金属学会誌 79(8) 413-418 2015年8月査読有り
First-principles investigation of the GaN growth process in carbon-added Na-flux method

Takahiro Kawamura, Hiroki Imabayashi, Mihoko Maruyama, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 252(5) 1084-1088 2015年5月査読有り
Growth of Bulk Nitrides from a Na Flux

Yusuke Mori, Mamoru Imade, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Hisanori Yamane, Fumio Kawamura, Takahiro Kawamura

Handbook of Crystal Growth: Bulk Crystal Growth: Second Edition 2 505-533 2014年12月17日査読有り

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MISC

ラメラ組織を有するTiAl系金属間化合物の圧縮応力の方位依存性に関する分子動力学シミュレーション

濱口知也, 河村貴宏, 鈴木泰之, 北嶋具教

日本金属学会講演概要(CD-ROM) 163rd 2018年
分子動力学法によるラメラ組織を有するTiAl系金属間化合物の転位挙動解析

戸塚友多朗, 竹内俊一, 青木涼馬, 河村貴宏, 鈴木泰之, 北嶋具教

日本金属学会講演概要(CD-ROM) 158th 2016年
耐熱チタン合金の酸化挙動とその予測

北嶋具教, 河村貴宏, 御手洗容子, 萩原益夫

日本金属学会講演概要(CD-ROM) 159th 2016年
分子動力学法を用いた高温環境下におけるラメラ組織を有するTiAl系金属間化合物の転位挙動の評価

戸塚友多朗, 河村貴宏, 鈴木泰之, 北嶋具教

日本金属学会講演概要(CD-ROM) 159th 2016年
分子動力学法を用いたTiAl金属間化合物における転位挙動の解析

竹内俊一, 河村貴宏, 鈴木泰之, 北嶋具教

日本金属学会講演概要(CD-ROM) 155th 2014年
GaN/AlN量子ドットの熱伝導率解析

河村貴宏, 寒川義裕, 柿本浩一

日本結晶成長学会誌 33(4) 208-208 2006年11月30日
単層及び多層カーボンナノチューブの熱伝導率解析

河村貴宏, 寒川義裕, 柿本浩一

日本結晶成長学会誌 33(4) 283-283 2006年11月30日
03aC14 一方向凝固多結晶シリコンのラマン散乱による応力解析(結晶評価・その場観察(2),第36回結晶成長国内会議)

松尾整, 河村貴宏, 寒川義裕, 柿本浩一, 新船幸二, 大下祥雄, 山口真史

日本結晶成長学会誌 33(4) 337-337 2006年11月1日
分子動力学法による格子欠陥を考慮したGaNの熱伝導率解析

河村貴宏, 寒川義裕, 柿本浩一

日本結晶成長学会誌 32(3) 138-138 2005年8月17日
分子動力学法によるAlN/GaN超格子の熱伝導率解析

河村貴宏, 寒川義裕, 柿本浩一

日本結晶成長学会誌 32(3) 139-139 2005年8月17日
分子動力学法によるGaNの熱伝導率解析

河村貴宏, 柿本浩一

日本結晶成長学会誌 = Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 31(3) 264-264 2004年8月25日

書籍等出版物

Handbook of Crystal Growth, 2nd Edition, Vol.2 Bulk Crystal Growth

Yusuke Mori, Mamoru Imade, Mihoko Maruyama, Masashi Yoshimura, Hisanori Yamane, Fumio Kawamura, Takahiro Kawamura (担当:分担執筆, 範囲:13 - Growth of Bulk Nitrides from a Na Flux, Pages 505-533)

Elsevier 2015年

講演・口頭発表等

113

First-principles calculations of band structures of α-Ga2O3/Al2O3 superlattices

Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa

International Conference on Crystal Growth and Epitaxy 2023年8月3日
β-Nb2N/AlN超格子の電子構造解析

河村貴宏, 秋山亨, 小林篤

第15回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 2023年6月15日
第一原理計算によるGaNの結晶欠陥と光物性および熱物性に関する研究

河村貴宏, 西山稜悟, 秋山亨, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

光・量子ビーム科学合同シンポジウム2023 2023年6月14日
α-Ga2O3/ Al2O3超格子のバンド構造解析

河村貴宏, 秋山亨

第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月16日
GaNの熱伝導率に対する点欠陥の影響

河村貴宏, 西山稜悟, 秋山亨, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 2022年11月25日
Influence of biaxial strain on bandgaps of β-Ga2O3

Takahiro Kawamura, Toru Akiyama

4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2022年10月25日
Effect of Lattice Strain on Bandgaps of Beta-Ga2O3

R. Ito, T. Yasuda, T. Kawamura, T. Akiyama

第41回電子材料シンポジウム 2022年10月21日
Bandgap change in InN/AlN superlattices induced by lattice strain

T. Kawamura, K. Basaki, A. Korei, T. Akiyama, Y. Kangawa

International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 2022年10月12日
2軸歪みによるβ-Ga2O3のバンドギャップ変化

河村貴宏, 秋山亨

第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月20日
Effect of point and complex defects on optical properties of GaN

河村貴宏, 大畑智嗣, 場崎航平, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

光・量子ビーム科学合同シンポジウム2022 2022年6月29日
Influence of Point and Complex Defects on Electronic Structure of GaN

Takahiro Kawamura, Satoshi Ohata, Toru Akiyama, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA2022) 2022年4月21日
格子歪みによるα-Ga2O3のバンドギャップエンジニアリング

河村貴宏, 秋山亨

第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月26日
First-principles calculation of optical properties of III-V nitride semiconductors

Takahiro Kawamura, Kouhei Basaki, Satoshi Ohata, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa

IWSingularity 2022/ISWGPDs 2022 2022年1月11日招待有り
歪み制御によるInN/AlN超格子のバンドギャップエンジニアリング

場崎航平, 是井明人, 河村貴宏, 秋山亨, 寒川義裕

第13回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 2021年12月3日
GaN中の点欠陥および複合欠陥が光学特性に与える影響の解明

大畑智嗣, 河村貴宏, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第13回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 2021年12月3日
格子歪みによるα-Ga2O3のバンドギャップ制御

河村貴宏, 秋山亨

第13回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 2021年12月3日
GaN中の点欠陥が光学特性に与える影響の解明

大畑智嗣, 河村貴宏, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月10日
InN/AlN超格子のバンドギャップに対する格子歪みの影響

場崎航平, 是井昭人, 河村貴宏, 秋山亨, 寒川義裕

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月10日
Effect of point defects on optical properties of GaN

河村貴宏, 大畑智嗣, 場崎航平, 今西正幸, 森勇介, 吉村政志

光・量子ビーム科学合同シンポジウム2021 2021年6月22日
First-Principles Calculation of Electronic Structure of GaN with Point and Complex Defects

Satoshi Ohata, Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Masayuki Imanishi, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori

The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8) 2021年3月2日

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

潜在空間における複雑な結晶成長モデルの構築とプロセス設計

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2022年4月 - 2025年3月

宇治原徹, 沓掛健太朗, 原田俊太, 烏山昌幸, 河村貴宏, 岡野泰則
第一原理計算によるα-Ga2O3/Al2O3超格子のバンド構造解析

九州大学応用力学研究所全国共同利用研究 2023年4月 - 2024年3月

河村貴宏、寒川義裕、秋山亨
酸化ガリウムを原料とした気相法による低転位GaN結晶の厚膜成長技術開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2020年4月 - 2023年3月

今西正幸
OVPE法による超低抵抗・厚膜GaN結晶成長技術

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2020年4月 - 2023年3月

森勇介
GaN中の点欠陥および複合欠陥が光学物性に与える影響の解明

大阪大学レーザー科学研究所令和3年度（2021）共同利用・共同研究 2021年4月 - 2022年3月
GaN中の点欠陥が光学物性に与える影響の解明

⼤阪⼤学レーザー科学研究所令和2年度（2020）共同利用・共同研究 2020年11月 - 2021年3月
高品質バルクGaN成長に適した気相成長条件および結晶成長プロセスの解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2018年4月 - 2021年3月

河村貴宏
計算科学によるヘテロボンドの理論的材料設計

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究（研究領域提案型） 2016年6月 - 2021年3月

伊藤智徳
OVPE成長条件下におけるGaN非極性表面構造の第一原理計算

九州大学応用力学研究所全国共同利用研究 2017年4月 - 2018年3月

河村貴宏
大型バルクGaN単結晶の開発に向けた結晶成長機構の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 2015年4月 - 2018年3月

河村貴宏
OVPE成長条件下における安定なGaN(0001)表面構造の検討

九州大学応用力学研究所全国共同利用研究 2016年4月 - 2017年3月

河村貴宏
SiC結晶中の応力・熱歪みにともなう転位挙動の解析

九州大学応用力学研究所全国共同利用研究 2015年4月 - 2016年3月

河村貴宏
SiCデバイスの実用化に向けた応力・熱歪みに伴う転位挙動の解明

公益財団法人天野工業技術研究研究助成 2015年4月 - 2016年3月

河村貴宏
フラックス法による窒化ガリウム結晶成長における不純物効果の解明

三重大学若手研究支援事業 2014年7月 - 2015年3月

河村貴宏
SiC結晶中におけるらせん転位周りの圧力分布解析

九州大学応用力学研究所全国共同利用研究 2014年4月 - 2015年3月

河村貴宏
SiC結晶表面上でのグラフェン成長過程の分子動力学シミュレーション

九州大学応用力学研究所全国共同利用研究 2013年4月 - 2014年3月

河村貴宏
第一原理計算によるGaN(0001)面上でのNaフラックスGaN成長に関する研究

公益財団法人村田学術振興財団第28回（平成25年度）海外派遣 2013年8月 - 2013年8月

河村貴宏
分子動力学法によるSiC結晶中の点欠陥の拡散挙動解析

九州大学応用力学研究所全国共同利用研究 2012年4月 - 2013年3月

河村貴宏
分子動力学法によるGaN単結晶の溶液成長過程の解析

三重大学若手研究プロジェクト 2011年8月 - 2012年3月

河村貴宏
GaN系窒化物半導体の結晶成長シミュレーション

九州大学応用力学研究所全国共同利用研究 2011年4月 - 2012年3月

河村貴宏

河村貴宏

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