2013年4月 - 2017年3月
巨大分極電荷を利用する新機能ダイヤモンド電子デバイスの開発
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(A) 基盤研究(A)
本研究の目的は、正孔濃度の比較的高い表面伝導層を持つ特徴を活かすために、高性能なダイヤモンド電界効果トランジスタ(FET)を開発することであった。原子層堆積法酸化アルミニウム/スパッタリング法高誘電率酸化膜からなる2層積層ゲート構造を用いて2層酸化膜内正負固定電荷を制御することによりノーマリオン/オフモード動作を制御可能なプロセス法を構築し、それらFETを組み合わせた論理回路チップの開発に世界で初めて成功した。同時に、伝導チャネル内正孔発生メカニズムを微細構造解析を通して解明するととともに大きなドレイン電流を持つAlN膜ゲート構造を用いたダイヤモンドヘテロ接合型FETの開発にも成功した。
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- 課題番号 : 25249054
- 体系的課題番号 : JP25249054