須原理彦 (Michihiko Suhara) - マイポータル

基本情報

所属: 東京都立大学システムデザイン研究科電子情報システム工学域教授

学位: 博士（工学）(金沢大学)

J-GLOBAL ID: 200901032363122881
researchmap会員ID: 5000016277

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

論文

Admittance Spectroscopy Up to 67 GHz in InGaAs/InAlAs Triple-Barrier Resonant Tunneling Diodes

Kotaro AIKAWA, Michihiko SUHARA, Takumi KIMURA, Junki WAKAYAMA, Takeshi MAKINO, Katsuhiro USUI, Kiyoto ASAKAWA, Kouichi AKAHANE, Issei WATANABE

IEICE Transactions on Electronics E105.C(10) 622-626 2022年10月1日
III–V nanowire backward diodes with high sensitivity above 1 MV W ⁻¹ for low-power microwave energy harvesting

Tsuyoshi Takahashi, Kenichi Kawaguchi, Masaru Sato, Michihiko Suhara, Naoya Okamoto

Japanese Journal of Applied Physics 60(SB) SBBH14-SBBH14 2021年2月9日
Highly Sensitive p-GaAsSb/n-InAs Nanowire Backward Diodes with 2.2 MV/W for Low Power Microwave Harvesting

Tsuyoshi Takahashi, Kenichi Kawaguchi, Masaru Sato, Michihiko Suhara, Naoya Okamoto

Extended Abstracts of the 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials 2020年9月30日
Improved microwave sensitivity to 706 kV/W by using p-GaAsSb/n-InAs nanowire backward diodes for low-power energy harvesting at zero bias

Tsuyoshi Takahashi, Kenichi Kawaguchi, Masaru Sato, Michihiko Suhara, Naoya Okamoto

AIP Advances 10(8) 2020年8月1日
Large-Signal Modelling of sub-THz InP Triple-Barrier Resonant Tunneling Diodes

S. Clochiatti, K. Aikawa, K. Arzi, E. Mutlu, M. Suhara, N. Weimann, W. Prost

2020 Third International Workshop on Mobile Terahertz Systems (IWMTS) 1-5 2020年7月
Achieving a high breakdown voltage for GaAsSb-based backward diodes using the carrier depletion effect originating from nanowires

Tsuyoshi Takahashi, Kenichi Kawaguchi, Masaru Sato, Michihiko Suhara, Naoya Okamoto

Japanese Journal of Applied Physics 59(SG) SGGH03-SGGH03 2020年2月6日
Realization of Large Breakdown Voltage of GaAsSb-Based Backward Diodes using Carrier Depletion Effect Originating from Nanowires

T. Takahashi, K. Kawaguchi, M. Sato, M. Suhara, N. Okamoto

Extended Abstracts of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials 2019年9月5日
Type-II p-GaAsSb/n-InAs multi-nanowire backward diodes for rectification of low-power RF signals under a zero-bias condition

Tsuyoshi Takahashi, Kenichi Kawaguchi, Masaru Sato, Naoya Okamoto, Michihiko Suhara

Applied Physics Express 12(10) 106502-106502 2019年9月2日
Highly Sensitive p-GaAsSb/n-InAs Nanowire Backward Diodes for Low-Power Microwaves

Tsuyoshi Takahashi, Kenichi Kawaguchi, Masaru Sato, Michihiko Suhara, Naoya Okamoto

ESSDERC 2019 - 49th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC) 214-217 2019年9月
Log-spiral Antenna Integrated with GaAsSb-base Backward Diodes for Microwave Energy Harvesting

Masaru Sato, Kenichi Kawaguchi, Tsuyoshi Takahashi, Naoya Okamoto, Tasuku Kurosawa, Xinyu Liu, Shinpei Yamashita, Michihiko Suhara

2019 IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS) 1156-1159 2019年6月
Characterization and Modeling of a GaAsSb/InGaAs Backward Diode on the Basis of S-Parameter Measurement Up to 67 GHz

Shinpei YAMASHITA, Michihiko SUHARA, Kenichi KAWAGUCHI, Tsuyoshi TAKAHASHI, Masaru SATO, Naoya OKAMOTO, Kiyoto ASAKAWA

IEICE Transactions on Electronics E102.C(6) 462-465 2019年6月1日
Analysis of Modulated Terahertz Wave Radiation Characteristics in a Monolithic Integrated Structure Consisting of a Resonant Tunneling Diodes, a Photodiodes and a Self-Complementary Bow-Tie Antenna

Masataka NAKANISHI, Michihiko SUHARA, Kiyoto ASAKAWA

IEICE Transactions on Electronics E102.C(6) 466-470 2019年6月1日
Characterization of the Effective Tunneling Time and Phase Relaxation Time in Triple-Barrier Resonant Tunneling Diodes

Kotaro Aikawa, Michihiko Suhara, Kiyoto Asakawa, Khaled Arzi, Nils Weimann, Werner Prost

2019 Compound Semiconductor Week (CSW) 1-2 2019年5月
Experimental Observation of Rectification Around 280 GHz Wave in the GaAsSb/InGaAs Backward Diode Rectenna Monolithically Integrated with a Bow-Tie Antenna

Michihiko Suhara, Masataka Nakanishi, Shintaro Kitakado, Kiyoto Asakawa, Masaru Sato, Tsuyoshi Takahashi, Kenichi Kawaguchi, Naoya Okamoto

2019 Compound Semiconductor Week (CSW) 1-2 2019年5月
Improvement in Uniformity of Type-II p-GaAsSb/n-InAs Nanowires on GaAs Substrates by the Insertion of GaAs Segments in Position-controlled VLS Method

Kenichi Kawaguchi, Tsuyoshi Takahashi, Naoya Okamoto, Masaru Sato, Michihiko Suhara

MRS Advances 4(5-6) 331-336 2019年1月
Analysis of Phase Mode Variation Due to Bias Voltage in Arrayed Oscillators Using Resonant Tunneling Diodes Integrated with Bow-Tie Antennas

Masahiro Fukuoka, Kiyoto Asakawa, Michihiko Suhara

2018 Progress in Electromagnetics Research Symposium (PIERS-Toyama) 2461-2466 2018年8月
Proposal of Bow-Tie Antenna-Integrated Resonant Tunneling Diode Transmitter Utilizing Relaxation Oscillations and Its Application to Short-Distance Wireless Communications

Hirokazu Yamakura, Michihiko Suhara

Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves 39(11) 1087-1111 2018年7月10日
Type-II p-GaAsSb/n-InAs Nanowires under Conditions for Tunnel Junction Formation

K. Kawaguchi, T. Takahashi, N. Okamoto, M. Sato, M. Suhara

2018 IEEE 18th International Conference on Nanotechnology (IEEE-NANO) 1-4 2018年7月
Modeling and Analysis of Bow-Tie Antenna Integrated Resonant-Tunneling-Diode Relaxation Oscillators for Wireless Radio Applications

Hirokazu Yamakura, Michihiko Suhara

Proceedings of the Nano-Micro Conference 2017 01001-01001 2017年
Erratum: Size Scaling-Rule for the Broadband Radiation Characteristics of Finite-Sized Self-Complementary Bow-Tie Antennas Integrated with Semiconductor Mesas [IEICE Transactions on Electronics Vol. E100.C (2017) No. 6 pp. 632-642]

Hirokazu YAMAKURA, Michihiko SUHARA

IEICE Transactions on Electronics E100.C(7) 669_e1-669_e1 2017年

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MISC

［招待講演］テラヘルツ帯検波のためのInP系化合物半導体トンネルダイオード集積ゼロバイアスレクテナ

須原理彦

信学技報, vol. 125, no. 292, ED2025-61, pp. 34-37 2025年
［招待講演］GaAsSb/InGaAsバックワードダイオードを集積した300GHz帯ゼロバイアス検波レクテナ

須原理彦, 臼居克紘, 浅川澄人, 産技高専, 河口研一, 高橋剛, 佐藤優, 岡本直哉

信学技報, vol. 122, no. 319, ED2022-74, pp. 15-18 2022年
量子輸送パラメータの抽出に向けた三重障壁共鳴トンネルダイオードのアドミタンススペクトロスコピー

牧野赳士, 須原理彦, 浅川澄人, 渡邊一世, 赤羽浩一

信学技報, vol. 122, no. 319, ED2022-75, pp. 19-22 2022年
ボウタイアンテナとバックワードダイオードを集積した300GHz帯レクテナの作製・評価とモデリング

木村拓海, 須原理彦, 臼居克紘, 若山潤輝, 浅川澄人, 産技高専, 河口研一, 高橋剛, 佐藤優, 岡本直哉

信学技報, vol. 121, no. 309, ED2021-50, pp. 10-15 2021年
FOREWORD

Michihiko SUHARA

IEICE Transactions on Electronics E103.C(6) 279-279 2020年6月1日
バックワードダイオードレクテナによる300GHz 帯ゼロバイアス検波特性の評価とモデル化

須原理彦, 中西真崇, 北角真太郎, 若山潤輝, 木村拓海, 浅川澄人, 佐藤優, 高橋剛, 河口研一, 岡本直哉

第67回応用物理学会春季学術講演会, 12p-PA1-7 2020年
環境電波発電のためのバックワードダイオードとログスパイラルアンテナを用いたレクテナの評価と理論予測

劉欣宇, 山下晋平, 木村拓海, 須原理彦, 浅川澄人, 河口研一, 高橋剛, 佐藤優, 岡本直哉

第67回応用物理学会春季学術講演会 13a-PA5-2 2020年
300GHz帯ゼロバイアス検波レクテナ用バックワードダイオードと集積するログスパイラルアンテナのスケーリング則による形状設計

木村拓海, 劉欣宇, 山下晋平, 須原理彦, 浅川澄人, 高橋剛, 佐藤優, 河口研一, 岡本直哉

第67回応用物理学会春季学術講演会12p-PA1-8 2020年
化合物半導体トンネルダイオードの特性評価と解析を目指した被試験素子のモデル化

須原理彦

信学技報, vol. 119, no. 160, ED2019-30, pp. 17-19 2019年
テラヘルツ無線のRoF技術応用へ向けたボウタイ型アンテナ集積共鳴トンネルダイオードの構造設計と動作解析

須原理彦, 中西真崇, 北角真太朗, 都大東京, 浅川澄人

信学技報, vol. 118, no. 368, ED2018-63, pp. 39-42 2018年
GaAsSb/InAs ナノワイヤバックワードダイオードの2.4GHz 感度特性

高橋剛, 河口研一, 佐藤優, 岡本直哉, 須原理彦

第79回応用物理学会秋季学術講演会, 20a-CE-9 2018年
三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形微分コンダクタンスの解析

中西真崇, 奥村直人, 須原理彦, 浅川澄人

第65回応用物理学会春季学術講演会, 17p-P8-9 2018年
GaAsSb/InGaAs バックワードダイオードによるマイクロ波帯検波の理論解析

須原理彦, 山下晋平, 田中翔馬, 熊谷翔, 石黒裕也, 浅川澄人, 河口研一, 高橋剛, 佐藤優, 岡本直哉

第65回応用物理学会春季学術講演会, 17p-P8-8 2018年
ボウタイアンテナ集積一体型共鳴トンネルダイオードにおける発振特性および振動モードの理論解析

奥村直人, 浅川澄人, 須原理彦

第64回応用物理学会春季学術講演会, 15p-P1-4 2017年
光ファイバ無線用集積型テラヘルツ送信器における発振/変調特性への素子結合構造の影響の理論解析

福岡政大, 須藤大貴, 鄭柚, 奥村直人, 浅川澄人, 須原理彦

第64回応用物理学会春季学術講演会, 15p-P1-3 2017年
半導体メサ集積レクテナのテラヘルツ帯検波特性の解析

徳岡岳海, 須原理彦

信学技報, vol. 116, no. 158, ED2016-36, pp. 45-50 2016年
テラヘルツ波源応用を目指した自己補対ボウタイアンテナの広帯域特性モデリングと放射特性解析

山倉裕和, 須原理彦

信学技報, vol. 116, no. 375, ED2016-86, pp. 35-40 2016年
半導体メサ集積ボウタイアンテナ対の300GHz帯無線伝送設計の解析

石黒裕也, 山倉裕和, 須原理彦

第63回応用物理学会春季学術講演会, 21a-P6-12 2016年
テラヘルツ帯ゼロバイアス検波用レクテナの集積一体構造設計

徳岡岳海, 斉藤光史, 須原理彦

第63回応用物理学会春季学術講演会, 21a-P6-4 2016年
半導体メサ集積ボウタイアンテナのテラヘルツ波帯放射特性解析のための物理ベース等価回路同定

山倉裕和, 斉藤光史, 須原理彦

第76回応用物理学会秋季学術講演会, 14p-PA7-1 2015年

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共同研究・競争的資金等の研究課題

共鳴トンネル素子によるミリ波帯モノリシックアイソレータの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2009年 - 2011年

須原理彦
共鳴トンネルデバイスを用いたジャイレータ回路構成とモノリシックインダクタの実現

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽研究 2006年 - 2007年

須原理彦
微細薄膜アンテナと共鳴トンネル構造の一体化によるミリ波発振・放射特性の制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2004年 - 2006年

須原理彦, 奥村次徳
微細金属ゲートを有する共鳴トンネルデバイスにおける界面不均一評価と自励発振の制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2002年 - 2003年

須原理彦, 奥村次徳
III族窒化物半導体中の不純物準位評価

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2001年 - 2002年

奥村次徳, 中村成志, 須原理彦
微細埋め込み金属パターンを有する半導体再成長界面の電子波共鳴による評価

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2000年 - 2001年

須原理彦, 奥村次徳
半導体中に埋め込まれた金属による量子干渉デバイスに関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 1999年 - 2001年

古屋一仁, 町田信也, 須原理彦, 宮本恭幸
タングステン細線バイプリズムによる干渉を用いた半導体中電子波の横コヒーレンス解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 1998年 - 2000年

古屋一仁, 町田信也, 須原理彦, 宮本恭幸
有機金属気相成長による原子オーダでの平坦ヘテロ界面形成と電子波共鳴による評価

日本学術振興会科学研究費助成事業奨励研究(A) 1997年 - 1998年

須原理彦
半導体中のバリスティックエレクトロンを観測する新しいSTM技術の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 1996年 - 1997年

古屋一仁, 須原理彦, 宮本恭幸
電子波共鳴特性向上のための有機金属気相成長ヘテロ界面の原子オーダ平坦化の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業奨励研究(A) 1996年 - 1996年

須原理彦
電子波共鳴を用いた有機金属気相成長ヘテロ界面の原子オーダーの評価と平坦化の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業奨励研究(A) 1995年 - 1995年

須原理彦
コヒーレントホットエレクトロン生成とその超高速デバイス応用に関する基礎研究

日本学術振興会科学研究費助成事業一般研究(A) 1993年 - 1994年

古屋一仁, 須原理彦, 宮本恭幸

須原理彦

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