2020年8月28日
Annealing behaviors of vacancy-type defects in AlN deposited by radio-frequency sputtering and metalorganic vapor phase epitaxy studied using monoenergetic positron beams
Journal of Applied Physics
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- 巻
- 128
- 号
- 8
- 開始ページ
- 085704
- 終了ページ
- 085704
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- DOI
- 10.1063/5.0015225
- 出版者・発行元
- AIP Publishing
- ID情報
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- DOI : 10.1063/5.0015225
- ISSN : 0021-8979
- eISSN : 1089-7550