酸化物半導体における表面電子状態の精密制御は、表面の機能を利用したガスセンサなどの電子デバイス、および触媒の機能を向上させる上で必要不可欠な技術である。本研究では、電荷不連続性の精密制御（界面エンジニアリング）を行った酸化物薄膜の表面電子状態の制御手法を確立することを目的とした。
界面構造を制御したLaFeO3薄膜/SrTiO3基板ヘテロ構造において、界面の終端構造の違いによって、LaFeO3薄膜の電子状態が大きく変化したことを見出した。このことは、界面構造制御による表面電子状態制御ができていることを意味している。