発表者は走査型プローブ顕微鏡技術により得られる各種データから、モデル推定を通して局所的な物理情報を抽出するための解析手法の構築を目指しており、STMトポ像から局所原子配置を推定する手法をすでに前回の学会発表で報告している。
これを踏まえ、コンダクタンスマップにより得られる電子干渉パターンの解析から散乱源の位置、減衰長の推定を実空間的かつ局所的に行うことを目指す。本発表では具体的な物質系としてCu(111)表面の不純物に起因する定在波パターンについての解析結果を報告する。