2020年8月18日
Dielectric Ruduced Surface Field Effect on Vertical GaN-on-GaN Nanowire Schottky Barrier Diodes
PROCEEDINGS OF THE 2020 32ND INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD 2020)
- 開始ページ
- 349
- 終了ページ
- 352
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究論文(国際会議プロシーディングス)
- ID情報
-
- ISSN : 1063-6854