小田将人 (Masato Oda) - マイポータル

基本情報

J-GLOBAL ID: 201801011917939144
researchmap会員ID: B000318555

外部リンク: http://www.wakayama-u.ac.jp/~moda/

研究キーワード

第一原理計算

経歴

2023年4月 - 現在

藍野学院短期大学, 非常勤講師
2023年4月 - 現在

和歌山大学, システム工学部, 准教授
2017年4月 - 現在

東京医療保健大学, 和歌山看護学部, 非常勤講師
2018年4月 - 2022年3月

和歌山大学, システム工学部, 講師
2019年4月 - 2019年9月

名古屋工業大学, 非常勤講師
2007年4月 - 2018年3月

和歌山大学, システム工学部, 助教
2012年4月 - 2016年9月

藍野学院短期大学, 非常勤講師
2011年4月 - 2011年9月

和歌山県立医科大学, 医学部, 非常勤講師
2006年4月 - 2007年3月

国立研究開発法人物質・材料研究機構, 計算科学センター, ポスドク

学歴

2001年4月 - 2006年3月

千葉大学, 大学院自然科学研究科
1997年4月 - 2001年3月

千葉大学, 理学部, 物理学科

主要な受賞

2018年

応用物理学会2018年春季学術講演会PosterAward, (ZnO)x(InN)1-x混晶半導体の電子状態の理論

古木凌太, 小田将人, 篠塚雄三

もっとみる

論文

Sustainable thermoelectric materials: Utilizing Fukushima weathered biotite via molten salt treatment

Mitsunori Honda, Yui Kaneta, Masakazu Muraguchi, Kosetsu Hayakawa, Masato Oda, Chiaki Iino, Hiroyuki Ishii, Takuya Goto

AIP Advances 14(5) 2024年5月1日査読有り
Adiabatic Potential for Conformational Change of V_Ga–V_N Complex Defects in GaN

Jota Nakamura, Masato Oda, Yoshihiro Kangawa

physica status solidi (b) 2024年3月31日査読有り責任著者
(ZnO)1-x(InN)x混晶半導体の初期成長過程と電子状態

小田将人, 古木凌太, 篠塚雄三

日本結晶成長学会誌 50(1) 50-1-06_1-50-1-06_11 2023年4月査読有り招待有り筆頭著者責任著者
Electronic Structures of Iodine‐Doped Lithium Phthalocyanine Crystals

Masato Oda, Noritake Koike

physica status solidi (b) 260(5) 2023年3月16日査読有り筆頭著者最終著者責任著者
Theoretical study on adsorption state of chemisorbed oxygen molecule on partially oxidized Si(001) surface

Nao Kadowaki, Masato Oda, Jun Nara

Japanese Journal of Applied Physics 60(12) 125501-125501 2021年11月10日査読有り
Investigation of GaAs and AlAs atomic-layer epitaxial growth mechanism based on experimental results and first-principles total energy calculation

Nobuyuki Ohtsuka, Masato Oda, Takashi Eshita, Ichiro Tanaka, Chihiro Itoh

Jpn. J. Appl. Phys. 59 SGGK16 2020年2月査読有り
Study on the initial growth mechanism of (ZnO)1−x(InN)x using first-principles calculation

Ryota Furuki, Masato Oda, Yuzo Shinozuka

Jpn. J. Appl. Phys 59 SGGK11 2020年2月査読有り
Electronic structures of a cerasome surface model

小田将人

Jpn. J. Appl. Phys. 58 SIID04 2019年査読有り筆頭著者最終著者責任著者
Investigation of the electron-phonon interactions around Ga vacancies in GaN and their role in the first stage of defect reactions

小田将人

Jpn. J. Appl. Phys. 58 SCCC16 2019年査読有り筆頭著者最終著者責任著者
Electronic structure of (ZnO)1-x(InN)x alloys calculated by interacting quasi-band theory

Japanese Journal of Applied Physics 58 021002 2019年査読有り
フェロセン内包カーボンナノチューブの電子状態計算

境新, 小田将人, 伊東千尋, 篠塚雄三

日本物理学会講演概要集 73.1 1818-1818 2018年
Electronic structure calculation of Si1-xSnx compound alloy using interacting quasi-band theory

Masato Oda, Yukina Kuroda, Ayaka Kishi, Yuzo Shinozuka

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 254(2) 1600519 2017年2月査読有り筆頭著者
First-principles calculation of electron-phonon coupling at a Ga vacancy in GaN

Takeshi Tsujio, Masato Oda, Yuzo Shinozuka

Japanese Journal of Applied Physics 56(9) 091001 2017年査読有り責任著者
First-principles study of initial oxidation process of Ge(100) surfaces

Takahiro Mizukoshi, Masato Oda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(8) 08PE03 2016年8月査読有り最終著者責任著者
Interacting quasi-band theory for electronic states in compound semiconductor alloys: Wurtzite structure

Ayaka Kishi, Masato Oda, Yuzo Shinozuka

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(5) 051202 2016年5月査読有り
19aAR-7 Ge(100)表面における初期酸化過程の安定構造

水越隆大, 小田将人

日本物理学会講演概要集 71 2486-2486 2016年
GaN中の欠陥における格子変位が引き起こす電子状態変化

辻尾健志, 小田将人, 篠塚雄三

日本物理学会講演概要集 71 2558-2558 2016年
Electronic States of III-V and II-VI Alloys Calculated by IQB Theory

Ayaka Kishi, Masato Oda, Yuzo Shinozuka

2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS) 2016年査読有り
Electronic Structures Calculation of Si1-xSnx Compound Alloy Using Inter-acting Quasi-band Model

Masato Oda, Yukina Kuroda, Ayaka Kishi, Yuzo Shinozuka

2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS) 2016年査読有り筆頭著者責任著者
Interacting quasi-band model for electronic states in compound semiconductor alloys: Zincblende structure

Yuzo Shinozuka, Masato Oda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(9) 091202 2015年9月査読有り

もっとみる

MISC

Novel approach for Growth Mechanism of Atomic Layer Epitaxy of GaAs and AlAs

Nobuyuki Ohtsuka, Masato Oda, Takashi Eshita, Ichiro Tanaka, Chihiro Itoh

F-5-03 2019年9月査読有り
フェロセン内包CNTの電子状態計算

境新, 小田将人, 伊東千尋, 篠塚雄三

日本物理学会講演概要集(CD-ROM) 73(1) 2018年
27pAP-1 Ge(100)表面における初期酸化の過程の第一原理計算(27pAP 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

水越隆大, 小田将人, 篠塚雄三

日本物理学会講演概要集 69(1) 870-870 2014年3月5日
26pPSB-43 第一原理計算を用いたSi(111)7×7表面におけるDAT分子の吸着状態解析(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

南迫大樹, 小田将人, 篠塚雄三

日本物理学会講演概要集 67(1) 966-966 2012年3月5日
24pCC-3 Si(001)に吸着したDATのSTM像探針バイアス依存性(24pCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

小田将人, 西村高志, 笹原亮, 村田英幸, 新井豊子, 富取正彦

日本物理学会講演概要集 67 936-936 2012年
23pHA-9 Si(001)表面におけるDAT分子の電子状態(23pHA 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))

小田将人, 西村高志, 笹原亮, 村田英幸, 新井豊子, 富取正彦

日本物理学会講演概要集 66 933-933 2011年
26pTG-6 Si(001)表面におけるDAT分子の吸着構造と電子状態(26pTG 表面界面電子物性(シミュレーション),領域9(表面・界面,結晶成長))

小田将人, 西村高志, 笹原亮, 村田英幸, 新井豊子, 富取正彦

日本物理学会講演概要集 66 917-917 2011年
23aGT-4 Lithium Phthalocyanine Iodide(LiPcI_x)結晶の電子状態(23aGT π -d系,領域7(分子性固体・有機導体))

小池功剛, 小田将人, 篠塚雄三

日本物理学会講演概要集 65(1) 915-915 2010年3月1日
半導体表面におけるタンパク質の機能制御

小田将人, 梅林陽, 中山隆史

電気学会研究会資料. OQD, 光・量子デバイス研究会 2009(42) 23-26 2009年5月7日
22pPSA-11 有機自己組織化膜絶縁層とゲート電極界面電子状態(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

小田将人, 奈良純, 大野隆央

日本物理学会講演概要集 63(2) 829-829 2008年8月25日
22pPSA-17 ナノ電流スイッチに関する理論的研究(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)

小田将人, 耿文通, 奈良純, 近藤恒, 大野隆央

日本物理学会講演概要集 62(2) 935-935 2007年8月21日
Optical ionization of amino acids using aminoacid/semiconductor junctions

Masato Oda, Takashi Nakayama, Takahisa Ohno

PHYSICS OF SEMICONDUCTORS, PTS A AND B 893 1461-+ 2007年
Control of amino-acid electronic structures on semiconductor surfaces

M Oda, T Nakayama

Physics of Semiconductors, Pts A and B 772 1089-1090 2005年
30aYE-4 半導体表面におけるアミノ酸の電子状態変化(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)

小田将人, 中山隆史

日本物理学会講演概要集 59(1) 931-931 2004年3月3日
29aYD-11 金属光沢有機物集合体の電子構造

小田将人, 中山隆史, 武田京三郎

日本物理学会講演概要集 58(1) 796-796 2003年3月6日

書籍等出版物

力学のサボり方

小田, 将人

学術図書出版社 2022年3月 (ISBN: 9784780609981)

主要な講演・口頭発表等

Surface Electronic States of a Cerasome model

Masato Oda

Advanced Materials Web Congress on Computational Materials and Modelling 2021 2021年1月26日招待有り
Microscopic Mechanism of Defect Reactions in GaN

Masato Oda, Tsuyoshi Miyazaki

International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 2021年1月20日招待有り

もっとみる

担当経験のある科目(授業)

共同研究・競争的資金等の研究課題

GaN中における複合空孔欠陥集合反応機構の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2023年4月 - 2027年3月

小田将人
大規模第一原理計算によるGaN中格子欠陥、不純物の複合構造モデリング

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2023年4月 - 2027年3月

宮崎剛, 三石和貴, 小田将人
熱電素子応用を目指した土壌粘土鉱物の電気伝導機構

パロマ環境技術開発財団パロマ環境技術開発財団研究助成 2025年4月 - 2027年3月
土壌粘土鉱物を利用した熱電変換材料の創製

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 挑戦的研究(萌芽) 2022年6月 - 2024年3月

本田充紀, 村口正和, 小田将人, 石井宏幸
DDS応用に向けたセラソーム表面モデルの大規模電子状態計算とその開封方法の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2020年4月 - 2023年3月

小田将人
電子-格子相互作用による特異構造の移動・変形の理論

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 新学術領域研究(研究領域提案型) 2019年4月 - 2021年3月

小田将人
GaN 内 Mg のクラスタリング(偏析)の計算科学的研究

文部科学省「省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発」 2019年4月 - 2021年3月
特異構造を介してのエネルギー転換機構の理論

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 新学術領域研究(研究領域提案型) 2017年4月 - 2019年3月

小田将人
混晶化合物半導体における電子正孔生成消滅過程の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2009年 - 2011年

篠塚雄三, 小田将人

学術貢献活動

日本結晶成長学会ナノエピ分科会幹事

その他

2024年4月 - 現在
program committee

その他

International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 2021年1月

小田将人

基本情報

研究キーワード

経歴

学歴

主要な受賞

論文

MISC

書籍等出版物

主要な講演・口頭発表等

担当経験のある科目(授業)

共同研究・競争的資金等の研究課題

学術貢献活動

メニュー

共著者の一覧