2016年
GaN中の欠陥における格子変位が引き起こす電子状態変化
日本物理学会講演概要集
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- 巻
- 71
- 号
- 開始ページ
- 2558
- 終了ページ
- 2558
- 記述言語
- 日本語
- 掲載種別
- DOI
- 10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_2558
- 出版者・発行元
- 一般社団法人 日本物理学会
<p>GaN中の欠陥反応は、デバイスの性能劣化に重大な影響を与えるがその発生機構は明らかになっていない。先行研究では、バンドギャップ中の孤立電子準位の荷電状態変化によって局在振動モードが増強され、欠陥反応が誘起される機構を簡単なモデルによって示した。本研究では第一原理計算を用い具体的な空孔欠陥を含むGaNモデルの電子状態及び振動状態解析を行った。上記欠陥反応機構が実際に起こりうることを示した。</p>
- リンク情報
- ID情報
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- DOI : 10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_2558
- CiNii Articles ID : 130006245282