100ppm以下の水素濃度検知を目指し,ゲート電極にパラジウム(Pd)を用いたAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)型水素ガスセンサの検討を行った。水素ガス濃度を変化させて評価した結果,1ppmの水素ガス濃度の検知に成功した。そのときの電流変化量は1.6mAであった。得られた結果から,空気中に微量に存在する水素濃度である0.5ppmも検知できることを示した。水素濃度100ppmの水素を導入・停止したときの応答特性から立ち上がり,回復時間を見積もった。その結果,立ち上がり,回復時間はそれぞれ,23秒,33秒であり,高速に水素ガスを検知できていることがわかった。