2021年1月
ON current enhancement and variability suppression in tunnel FETs by the isoelectronic trap impurity of beryllium
Japanese Journal of Applied Physics
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- 巻
- 60
- 号
- 開始ページ
- SBBA01-1
- 終了ページ
- SBBA01-5
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究論文（国際会議プロシーディングス）
- DOI
- 10.35848/1347-4065/abd9d1
- ID情報
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- DOI : 10.35848/1347-4065/abd9d1