産業財産権

特許権

前駆体溶液及び炭化シリコンを含有する層、並びに、パワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法

国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学, 国立大学法人 筑波大学
  • 下田 達也
  • ,
  • 井上 聡
  • ,
  • 増田 貴史
  • ,
  • 村上 達也
  • ,
  • 岩室 憲幸
  • ,
  • 矢野 裕司

出願番号
特願2015-030433
出願日
2015年2月19日
公開番号
特開2016-152378
公開日
2016年8月22日

リンク情報
J-GLOBAL
https://jglobal.jst.go.jp/detail?JGLOBAL_ID=201603000238986738
URL
http://jglobal.jst.go.jp/public/201603000238986738