特許権
前駆体溶液及び炭化シリコンを含有する層、並びに、パワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法
国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学, 国立大学法人 筑波大学
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- 出願番号
- 特願2015-030433
- 出願日
- 2015年2月19日
- 公開番号
- 特開2016-152378
- 公開日
- 2016年8月22日
- リンク情報
- ID情報
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- J-Global ID : 201603000238986738