野崎幹人 (Mikito Nozaki) - マイポータル

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J-GLOBAL ID: 202101005910885320
researchmap会員ID: R000027944

研究分野

ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性 /

論文

Reduction of hole traps in GaN MOS structures by high-pressure oxygen annealing

Masahiro Hara, Kazuki Tomigahara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe

Applied Physics Letters 127(16) 2025年10月20日
Formation of high-quality SiO2/β-Ga2O3(001) MOS structures: The role of post-deposition annealing

Takuma Kobayashi, Kensei Maeda, Masahiro Hara, Mikito Nozaki, Heiji Watanabe

Applied Physics Letters 126(1) 2025年1月6日
Separate evaluation of interface and oxide hole traps in SiO₂/GaN MOS structures with below- and above-gap light excitation

Takuma Kobayashi, Kazuki Tomigahara, Mikito Nozaki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Applied Physics Express 17(1) 011003-011003 2023年12月29日
Passivation of hole traps in SiO₂/GaN metal-oxide-semiconductor devices by high-density magnesium doping

Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Applied Physics Express 16(10) 105501-105501 2023年10月1日
Fixed-charge generation in SiO2/GaN MOS structures by forming gas annealing and its suppression by controlling Ga-oxide interlayer growth

Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Japanese Journal of Applied Physics 61(SC) SC1034-SC1034 2022年5月1日査読有り
Insight into interface electrical properties of metal–oxide–semiconductor structures fabricated on Mg-implanted GaN activated by ultra-high-pressure annealing

Yuhei Wada, Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Takuji Hosoi, Tetsu Kachi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe

Applied Physics Letters 120(8) 082103-082103 2022年2月21日査読有り

共同研究・競争的資金等の研究課題

積層型酸窒化膜によるGaN MOSデバイスの高耐圧・大電流化と閾値電圧制御の実現

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究 2019年4月 - 2023年3月

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