永松謙太郎 (Kentaro Nagamatsu) - マイポータル

基本情報

所属: 徳島大学ポストLEDフォトニクス研究所准教授

研究者番号: 40774378
J-GLOBAL ID: 201901014718240294
researchmap会員ID: B000359589

外部リンク: https://www.pled.tokushima-u.ac.jp/

研究キーワード

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

経歴

2019年4月 - 現在

徳島大学, ポストLEDフォトニクス研究所
2018年4月 - 2019年3月

三重大学, 地域イノベーション推進機構
2015年8月 - 2018年3月

名古屋大学, 未来材料・システム研究所
2010年4月 - 2015年7月

パナソニック株式会社, 半導体デバイス研究センター

論文

Dynamic wide gamut color generation using highly lossy metal-based metal-dielectric-metal structure

Yuusuke Takashima, Kentaro Nagamatsu, Masanobu Haraguchi, Yoshiki Naoi

Applied Physics Express 17(7) 072005-072005 2024年7月1日
Broadband Ag/SiO₂/Fe/TiO₂ ultrathin planar absorber with a wide acceptance angle from visible to near-infrared regions

Yuusuke Takashima, Shunsuke Furuta, Kentaro Nagamatsu, Masanobu Haraguchi, Yoshiki Naoi

Optical Materials Express 14(3) 778-778 2024年2月26日
High growth temperature for AlN by jet stream gas flow metalorganic vapor phase epitaxy

Kentaro Nagamatsu, Takumi Miyagawa, Atsushi Tomita, Hideki Hirayama, Yuusuke Takashima, Yoshiki Naoi

Scientific Reports 13(1) 2023年12月
Investigation of V/III ratio dependencies for optimizing AlN growth during reduced parasitic reaction in metalorganic vapor phase epitaxy

Atsushi Tomita, Takumi Miyagawa, Hideki Hirayama, Yuusuke Takashima, Yoshiki Naoi, Kentaro Nagamatsu

Scientific Reports 13(1) 2023年12月
Reduction of parasitic reaction in high-temperature AlN growth by jet stream gas flow metal–organic vapor phase epitaxy

Kentaro Nagamatsu, Shota Tsuda, Takumi Miyagawa, Reiya Aono, Hideki Hirayama, Yuusuke Takashima, Yoshiki Naoi

Scientific Reports 12(1) 2022年12月
Ultra-thin deep ultraviolet perfect absorber using an Al/TiO<inf>2</inf>/AlN system

Yuusuke Takashima, Kentaro Nagamatsu, Masanobu Haraguchi, Yoshiki Naoi

Optics express 30(24) 44229-44239 2022年11月21日
Major target for UV-induced complete loss of HIV-1 infectivity: A model study of single-stranded RNA enveloped viruses

Takaaki Koma, Naoya Doi, Akihiro Suzuki, Kentaro Nagamatsu, Takeshi Yasui, Koji Yasutomo, Akio Adachi, Takeo Minamikawa, Masako Nomaguchi

Frontiers in Virology 2 2022年9月20日
Virus inactivation using ultraviolet LEDs

Kentaro Nagamatsu

Optics InfoBase Conference Papers 2022年
Ultraviolet Light-Emitting Diode (UV-LED) Sterilization of Citrus Bacterial Canker Disease Targeted for Effective Decontamination of Citrus Sudachi Fruit.

Akihiro Suzuki, Akira Emoto, Akihiro Shirai, Kentaro Nagamatsu

Biocontrol science 27(1) 1-7 2022年
Publisher Correction: Quantitative evaluation of SARS-CoV-2 inactivation using a deep ultraviolet light-emitting diode (Scientific Reports, (2021), 11, 1, (5070), 10.1038/s41598-021-84592-0)

Takeo Minamikawa, Takaaki Koma, Akihiro Suzuki, Takahiko Mizuno, Kentaro Nagamatsu, Hideki Arimochi, Koichiro Tsuchiya, Kaoru Matsuoka, Takeshi Yasui, Koji Yasutomo …

Scientific Reports 11(1) 2021年12月
Design of AlN-subwavelength grating for deep ultraviolet wavelength reflector operating at 244 nm of wavelength

Yuusuke Takashima, Atsuki Sasada, Kentaro Nagamatsu, Masanobu Haraguchi, Yoshiki Naoi

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 11926 2021年
Electrical properties of GaN metal-insulator-semiconductor field-effect transistors with Al2O3/GaN interfaces formed on vicinal Ga-polar and nonpolar surfaces

Yuto Ando, Kentaro Nagamatsu, Manato Deki, Noriyuki Taoka, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Tohru Nakamura, Hiroshi Amano

Applied Physics Letters 117(24) 242104-242104 2020年12月14日査読有り
Quantitative Evaluation of SARS-CoV-2 Inactivation Using a Deep Ultraviolet Light-Emitting Diode

Takeo Minamikawa, Takaaki Koma, Akihiro Suzuki, Takahiko Mizuno, Kentaro Nagamatsu, Hideki Arimochi, Koichiro Tsuchiya, Kaoru Matsuoka, Takeshi Yasui, Koji Yasutomo …

Scientific Reports 11(1) 2020年12月11日査読有り
Low interface state densities at Al2O3/GaN interfaces formed on vicinal polar and non-polar surfaces

Yuto Ando, Kentaro Nagamatsu, Manato Deki, Noriyuki Taoka, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Tohru Nakamura, Hiroshi Amano

Applied Physics Letters 117(10) 102102-102102 2020年9月8日査読有り
V-shaped dislocations in a GaN epitaxial layer on GaN substrate

Atsushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Shigeyoshi Usami, Maki Kushimoto, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Michal Bockowski, Hiroshi Amano

AIP ADVANCES 9(9) 2019年9月査読有り
Ammonia decomposition and reaction by high-resolution mass spectrometry for group III - Nitride epitaxial growth

Ye Zheng, Nitta Shugo, Nagamatsu Kentaro, Fujimoto Naoki, Kushimoto Maki, Deki Manato, Tanaka Atsushi, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 516 63-66 2019年6月15日査読有り
Improved emission intensity of UVC-LEDs from using strain relaxation layer on sputter-annealed AlN

Kentaro Nagamatsu, Xiaotong Liu, Kenjiro Uesugi, Hideto Miyake

Japanese Journal of Applied Physics 58(SC) SCCC07-SCCC07 2019年6月1日査読有り
Effect of substrate misorientation on the concentration of impurities and surface morphology of an epitaxial GaN layer on N-polar GaN substrate by MOVPE

Nagamatsu Kentaro, Ando Yuto, Kono Tsukasa, Cheong Heajeong, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 512 78-83 2019年4月15日査読有り
Fabrication of AlN templates on SiC substrates by sputtering-deposition and high-temperature annealing

Kenjiro Uesugi, Yusuke Hayashi, Kanako Shojiki, Shiyu Xiao, Kentaro Nagamatsu, Harumasa Yoshida, Hideto Miyake

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 510 13-17 2019年3月査読有り
Comparing high-purity c- and m-plane GaN layers for Schottky barrier diodes grown homoepitaxially by metalorganic vapor phase epitaxy

Nagamatsu Kentaro, Ando Yuto, Ye Zheng, Barry Ousmane, Tanaka Atsushi, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57(10) 2018年10月査読有り

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MISC

Inactivation of SARS-CoV-2 by deep ultraviolet light emitting diode: A review

南川丈夫, 駒貴明, Akihiro Suzuki, 永松謙太郎, 安井武史, 安友康二, 野間口雅子

Japanese Journal of Applied Physics Vol.60(No.9) 090501-090501 2021年8月19日招待有り
深紫外LEDによる新型コロナウイルス不活化への取り組み—Inactivation of novel coronavirus by using DUV-LED—特集ポストコロナ時代の紫外線技術

南川丈夫, 駒貴明, 鈴木昭浩, 永松謙太郎, 安井武史, 安友康二, 野間口雅子

Optronics : 光技術コーディネートジャーナル 40(6) 132-137 2021年6月
紫外光-殺菌作用に特化して-深紫外LEDを用いた新型コロナウイルスの不活化

南川丈夫, 駒貴明, 鈴木昭浩, 永松謙太郎, 安井武史, 安友康二, 野間口雅子

O plus E (478) 2021年
Withコロナ時代の各種技術と考察 Withコロナ時代に向けた深紫外LEDの活用法深紫外LEDによるウイルス不活化の試み

南川丈夫, 駒貴明, 鈴木昭浩, 永松謙太郎, 安井武史, 安友康二, 野間口雅子

クリーンテクノロジー 31(6) 2021年
ポストコロナ時代の紫外線技術深紫外LEDによる新型コロナウイルス不活化への取り組み

南川丈夫, 駒貴明, 鈴木昭浩, 永松謙太郎, 安井武史, 安友康二, 野間口雅子

Optronics (474) 2021年
期待される殺菌用・深紫外 LED

永松謙太郎, 安井武史, 平山秀樹

応用物理学会特別WEBコラム 5(1) 2020年10月22日招待有り筆頭著者
深紫外LEDの需要と要素技術

永松謙太郎, 平山秀樹

月刊OPTRONICS 9月号特集 2020年9月招待有り筆頭著者
-c面GaN基板上のGaNのMOVPE成長における酸素低減の研究 (電子デバイス)

河野司, 久志本真希, 永松謙太郎, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(331) 19-22 2017年11月30日
-c面GaN基板上のGaNのMOVPE成長における酸素低減の研究 (電子部品・材料)

河野司, 久志本真希, 永松謙太郎, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(332) 19-22 2017年11月30日
-c面GaN基板上のGaNのMOVPE成長における酸素低減の研究 (レーザ・量子エレクトロニクス)

河野司, 久志本真希, 永松謙太郎, 新田州吾, 本田善央, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(333) 19-22 2017年11月30日
Growth of low-dislocation-density AlGaN using Mg-doped AlN underlying layer

Asai, T, Nonaka, K, Ban, K, Nagata, K, Nagamatsu, K, Iwaya, M, Kamiyama, S, Amano, H, Akasaki, I

Physica Status Solidi C 7(7-8) 2101-2103-2103 2010年7月査読有り
GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析

永田賢昌, 飯田大輔, 永松謙太郎, 竹田健一郎, 松原哲也, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 109(289) 55-58 2009年11月12日
酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化

永田賢吾, 市川友紀, 竹田健一郎, 永松謙太郎, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 109(289) 73-78 2009年11月12日
GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析

永田賢昌, 飯田大輔, 永松謙太郎, 竹田健一郎, 松原哲也, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 109(288) 55-58 2009年11月12日
酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化

永田賢吾, 市川友紀, 竹田健一郎, 永松謙太郎, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 109(288) 73-78 2009年11月12日
GaInNの加圧MOVPEにおける熱力学解析

永田賢昌, 飯田大輔, 永松謙太郎, 竹田健一郎, 松原哲也, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇

電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 109(290) 55-58 2009年11月12日
酸素雰囲気中での活性化アニールによる紫外発光素子の高効率化

永田賢吾, 市川友紀, 竹田健一郎, 永松謙太郎, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇

電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 109(290) 73-78 2009年11月12日
Crystal growth and p-type conductivity control of AlGaN for high-efficiency nitride-based UV emitters

Mori, T, Nagamatsu, K, Nonaka, K, Takeda, K, Iwaya, M, Kamiyama, S, Amano, H, Akasaki, I

Physica Status Solidi C 6 2621-2625-2625 2009年査読有り
溝加工したAlN上AlGaNの転位解析

森俊晶, 浅井俊晶, 永松謙太郎, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 108(35) 57-60 2008年5月15日
溝加工したAlN上AlGaNの転位解析

森俊晶, 浅井俊晶, 永松謙太郎, 岩谷素顕, 上山智, 天野浩, 赤崎勇

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 108(34) 57-60 2008年5月15日

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共同研究・競争的資金等の研究課題

ジェットエンジン機構を用いた超高温結晶成長220nm波長帯深紫外LEDの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2022年4月 - 2025年3月

永松謙太郎
ジェットエンジン型超高温MOVPEによる低転位AlN成長

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 挑戦的研究(萌芽) 2020年7月 - 2023年3月

永松謙太郎

産業財産権

特開2019-059636 気相成長装置

新田州吾, 本田善央, 永松謙太郎, 天野浩
特開2018-135235 気相成長装置および気相成長法

永松謙太郎, 本田善央, 天野浩
特開2018-117005 気相成長装置

永松謙太郎, 本田善央, 天野浩, 田渕俊也
特開2018-107407 化合物半導体の縦型MOSFETおよびその製造方法

永松謙太郎, 天野浩, 本田善央, 出来真斗
特開2014-170870 半導体レーザー装置とその製造方法

永松謙太郎, 大野啓, 能崎信一郎, 川口真生
特開2012-134327 窒化物半導体発光素子

能崎信一郎, 山中一彦, 大野啓, 永松謙太郎

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