論文

査読有り
2016年

Development of Blocked-Impurity-Band-Type Ge Detectors Fabricated with the Surface-Activated Wafer Bonding Method for Far-Infrared Astronomy

Journal of Low Temperature Physics
  • M. Hanaoka
  • ,
  • H. Kaneda
  • ,
  • S. Oyabu
  • ,
  • M. Yamagishi
  • ,
  • Y. Hattori
  • ,
  • S. Ukai
  • ,
  • K. Shichi
  • ,
  • T. Wada
  • ,
  • T. Suzuki
  • ,
  • K. Watanabe
  • ,
  • K. Nagase
  • ,
  • S. Baba
  • ,
  • C. Kochi

184
1-2
開始ページ
225
終了ページ
230
記述言語
掲載種別
研究論文(学術雑誌)
DOI
10.1007/s10909-016-1484-1
出版者・発行元
Springer Nature

リンク情報
DOI
https://doi.org/10.1007/s10909-016-1484-1
Scopus Url
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84954310362&partnerID=MN8TOARS
URL
http://orcid.org/0000-0002-9850-6290
ID情報
  • DOI : 10.1007/s10909-016-1484-1
  • ISSN : 0022-2291
  • ORCIDのPut Code : 53411565
  • SCOPUS ID : 84954310362

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