中井 日佐司
ナカイ ヒサシ (HISASHI NAKAI)
更新日: 2025/10/11
基本情報
- 所属
- 電気通信大学 国際教育センター 准教授
- 学位
-
工学修士(1988年3月 横浜国立大学)博士(工学)(1995年3月 横浜国立大学)
- 研究者番号
- 70237204
- J-GLOBAL ID
- 200901030764718911
- researchmap会員ID
- 1000017531
- 外部リンク
1995- 金属薄膜の成長機構。
2000-2005 TEM の試料作製方法。
研究キーワード
1経歴
4-
2021年4月
-
2017年2月 - 2021年3月
-
2010年4月 - 2017年1月
-
1996年8月 - 2010年3月
学歴
4-
1988年4月 - 1991年8月
-
1986年4月 - 1988年3月
-
1982年4月 - 1986年3月
-
1979年4月 - 1982年3月
論文
27-
電気通信大学紀要 34(1) 23-31 2022年2月1日 査読有り
-
電気通信大学紀要 32(1) 47-53 2020年2月1日 査読有り
-
電気通信大学紀要 31(1) 97-103 2019年2月1日 査読有り
-
電気通信大学紀要 30(1) 300107 2018年2月1日 査読有り
-
電気通信大学紀要 29(1) 290105-290105 2017年2月1日 査読有り
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多摩留学生教育研究論集 10(10) 31-35 2016年3月 査読有り
-
電気通信大学紀要 28(1) 1-9 2016年2月2日 査読有り
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電気通信大学紀要 27(1) 37-43 2015年2月27日 査読有り
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多摩留学生教育研究論集 8(8) 51-55 2012年3月 査読有り
-
多摩留学生教育研究論集 8(8) 57-61 2012年3月 査読有り
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多摩留学生教育研究論集 5 71-74 2006年3月 査読有り
-
SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY 151 325-328 2002年3月 査読有り
-
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING 70(6) 651-656 2000年6月
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JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS 18(3) 819-822 2000年5月
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APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING 70(4) 395-402 2000年4月
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第47回応用物理学関係連合講演会講演予稿集Ⅱ 599 2000年3月
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第61回応用物理学会講演予稿集Ⅱ 488 2000年
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第60回応用物理学会学術講演会予稿集Ⅱ，甲南大学 497 1999年9月
-
第59回応用物理学会学術講演会講演予稿集２ 530 1998年9月
-
Intial growth process of Permalloy films epitaxially grown on MgO（001）by dc biased plasma sputtering第59回応用物理学会学術講演会講演予稿集２ 536 1998年9月
主要な担当経験のある科目(授業)
11-
2024年4月 - 現在
-
2023年10月 - 現在
所属学協会
1-
1987年8月 - 現在
共同研究・競争的資金等の研究課題
2-
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(C) 2005年 - 2007年
-
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(C) 2000年 - 2001年
学術貢献活動
1その他
4-
2024年10月 - 2024年10月10月上旬〜中旬にネットワークポリシー研修(対面、オンデマンド+ヘルプデスク)開催。研究生・院生である留学生対象。参加者8名(対面 8名、オンデマンド+ヘルプデスク 0 名)。
-
2024年4月 - 2024年4月4月上旬〜中旬にネットワークポリシー研修(対面、オンデマンド+ヘルプデスク)開催。研究生・院生である留学生対象。参加者16名(対面 16名、オンデマンド 0 名)。
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2023年11月 - 2023年11月ビデオ会議システム(ZOOM)を使用して、大阪大学で予備教育を受けている学部国費留学生向けに進学説明を行った。回数は30分を2回であり、15名の参加があった。 ※2024年度は、この留学制度による留学生が4名配置された。