中野義昭

J-GLOBALへ         更新日: 17/07/25 18:58
 
アバター
研究者氏名
中野義昭
 
ナカノ ヨシアキ
eメール
nakanoee.t.u-tokyo.ac.jp
URL
https://kaken.nii.ac.jp/d/r/50183885.ja.html
所属
東京大学
部署
大学院工学系研究科 電気系工学専攻
職名
教授
学位
工学博士(東京大学)
その他の所属
「太陽光を機軸とした持続可能グローバルエネルギーシステム」統括寄付講座

プロフィール

東京大学教授

研究分野

 
 

経歴

 
2014年
 - 
2015年
東京大学 工学(系)研究科(研究院) 教授
 

論文

 
Masaru Zaitsu,Takuo Tanemura,Yoshiaki Nakano
IEICE Transactions   97-C(7) 731-735   2014年   [査読有り]
Myung-Joon Kwack,Tomofumi Oyama,Yasuaki Hashizume,Shinji Mino,Masaru Zaitsu,Takuo Tanemura,Yoshiaki Nakano
IEICE Transactions   96-C(5) 738-743   2013年   [査読有り]
Sunghan Choi,Akio Higo,Masaru Zaitsu,Myung-Joon Kwack,Masakazu Sugiyama,Hiroshi Toshiyoshi,Yoshiaki Nakano
IEICE Electronic Express   10(6) 20130116   2013年   [査読有り]
Masaru Zaitsu,Akio Higo,Takuo Tanemura,Yoshiaki Nakano
IEICE Transactions   95-C(2) 218-223   2012年   [査読有り]
Sooheuk Che,Masaru Zaitsu,Akio Higo,Yoshiaki Nakano
IEICE Transactions   95-C(2) 213-217   2012年   [査読有り]

Misc

 
中野義昭, 杉山正和
日本エネルギー学会機関誌   96(2) 137‐141   2017年3月
肥後昭男, THOMAS Cedric, 寒川誠二, 木場隆之, 高山純一, 村山明宏, 杉山正和, 中野義昭
電気学会全国大会講演論文集(CD-ROM)   2017 ROMBUNNO.3‐S20‐3   2017年3月
中田達也, 渡辺健太郎, SODABANLU H., 木村大希, 宮下直也, 杉山正和, 岡田至崇, 岡田至崇, 中野義昭, 中野義昭
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   64th ROMBUNNO.14p‐B6‐13   2017年3月
TOPRASERTPONG Kasidit, 渡辺健太郎, 中野義昭, 杉山正和
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)   64th ROMBUNNO.14p‐B6‐7   2017年3月
中村翼, 松落高輝, 武田秀明, 鈴木秀俊, 碇哲雄, TOPRASERTPONG Kasidit, 杉山正和, 中野義昭, 福山敦彦
電子情報通信学会技術研究報告   116(274(OPE2016 76-97)) 61‐64   2016年10月

競争的資金等の研究課題

 
文部科学省: 科学研究費補助金(特別推進研究)
研究期間: 2014年 - 2018年    代表者: 中野 義昭
文部科学省: 科学研究費補助金(基盤研究(S))
研究期間: 2008年 - 2012年    代表者: 中野 義昭
光エレクトロニクスの体系をアナログ技術からディジタル技術へ転換することを目指して,そのために必要な全光論理ゲートデバイス,全光フリップフロップデバイス,大規模光スイッチ回路,非相反・偏光制御光デバイス,光バッファメモリ集積回路の開発を行い,ディジタル光集積回路のプロトタイプを試作実証した.またこれらの光デバイス・回路群を作製するための集積プロセス技術を研究した.
文部科学省: 科学研究費補助金(特定領域研究)
研究期間: 2007年 - 2010年    代表者: 清水 大雅
半導体光アイソレータをベースとして新しい磁気光学材料、及び、増幅性の光アイソレータの研究を行った。エピタキシャル強磁性金属MnSbを用いて半導体光アイソレータを作製し、12.3 dB/mmの消光比と70℃までの高温動作を実現した。また、新規強磁性材料(TiO 2:CoとPrCoB)の磁気光学性能を評価した。さらに、増幅性の半導体光アイソレータを実現した。本研究成果は半導体レーザと集積化が可能な光アイソレータや光情報信号処理への応用に有用である。
文部科学省: 科学研究費補助金(基盤研究(A))
研究期間: 2005年 - 2007年    代表者: 中野 義昭
1.全光論理ゲートデバイスの確立 半導体光アンプ集積マッハツェンダー干渉計型(SOA-MZI)の全光ゲートについて,ハイメサ導波路の加工技術を向上し,低濃度ドープクラッド層の導入を通じて,導波損失を大幅に低減した.次に,能動多モード干渉(MMI)結合器に基づく全光論理ゲートデバイスについて,パルス光間の相互位相変調を解析するための新たなモデリングとシミュレーション手法を開発した.2.全光フリップフロップデバイスの確立MMI双安定レーザ(BLD)型の全光フリップフロップについて,縦単一モード...
文部科学省: 科学研究費補助金(萌芽研究)
研究期間: 2005年 - 2006年    代表者: 中野 義昭
本研究の目的は、(1)MOVPEによるGaN/AIN単原子層急峻ヘテロ界面の形成MOVPEでは、成長が1100度以上の高温で行われること、原料ガスの対流が生じること、ガス切り替え時にそれまでの原料ガスが残留することを主因として界面のボケが生じ、サブバンド間遷移波長の短波長化を阻害する。中でも高温成長の問題が大きい本研究では、III族原料のパルスインジェクションという新たな技術を開発し、高品質なAINをMOVPEとしては画期的な800度で成長することに成功した。平成18年度は、同じパルスイン...

特許

 
後藤 正直, 林 慎也, 渡辺 健太郎, 杉山 正和, 宮野 健次郎, 中野 義昭
中山 慶祐, 後藤 正直, 林 慎也, 大内 太, 中野 義昭, 宮野 健次郎, 渡辺 健太郎, 杉山 正和
木村 禎祐, 菅原 良一, 余郷 幸明, 立野 善英, 中野 義昭, 杉山 正和
橋詰 泰彰, 美野 真司, 中野 義昭, 種村 拓夫
佐々木 和明, 吉田 篤史, 高本 達也, 肥後 昭男, 杉山 正和, 久保田 雅則, 中野 義昭, フランシェスコ パストレーリー, 渡辺 健太郎