岡田成仁 (Narihito Okada) - マイポータル

基本情報

所属: 山口大学大学院創成科学研究科准教授

学位: 工学(名城大学)

研究者番号: 70510684
J-GLOBAL ID: 201801020538216967
researchmap会員ID: 7000022124

研究キーワード

研究分野

経歴

2018年4月 - 現在

山口大学, 大学院創成科学研究科, 准教授
2010年5月 - 2016年4月

山口大学, 大学院創成科学研究科, 大学院担当助教
2010年2月 - 2010年5月

山口大学, 大学院理工学研究科（工学）, 大学院担当助教

学歴

- 2008年3月

名城大学, 理工学研究科, 電気電子情報材料工学専攻

委員歴

2020年 - 現在

ISPlasma 論文委員
2016年 - 現在

LEDIA, 実行委員
2016年 - 現在

日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会, 幹事
2009年 - 現在

応用物理学会中国四国支部, 研究会企画委員
- 現在

ICNS2023, 現地実行委員
2022年4月 - 2022年12月

第14回ナノ構造エピタキシャル成長講演会, 現地実行委員長
2022年4月 - 2022年12月

先進パワー半導体分科会第9回講演会, 展示委員
2020年9月 - 2021年9月

応用物理学会中四国支部大会運営委員, JSAP Chugoku Steering Committee Member
2017年 - 2018年

IWN2018, 実行委員
2017年 - 2018年

ICMOVPE2018, 実行委員
2015年 - 2015年

ISGN-6, 実行委員
2014年 - 2014年

IUMRS2014, 実行委員
2012年 - 2013年

応用物理学会中四国支部大会, 運営委員
2012年 - 2013年

EMS, 実行委員
2012年 - 2012年

IWN2012, 実行委員
2012年 - 2012年

応用物理学会中四国支部大会若手研究会, 実行委員長
2012年 - 2012年

2012年度応用物理学会中四国支部大会, 実行委員
2012年 - 2012年

IWN2012 Proceedings JJAP特集号, 編集委員

受賞

論文

141

Thermal redistribution of valence-band holes and optical polarization in AlGaN (225–230 nm) far-UVC quantum wells on sapphire and IQE evaluation

M. Ajmal Khan, Hideaki Murotani, Kaichi Tani, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Mitsuhiro Muta, Yasushi Iwaisako, H. Hirayama, Yoichi Yamada

Applied Physics Letters 128(19) 2026年5月11日
Impact of thick N-polar AlN growth on crystalline quality and electrical properties of N-polar GaN/AlGaN/AlN FET

Aina Hiyama Zazuli, Taketo Kowaki, Minagi Miyamoto, Koki Hanasaku, Daisuke Inahara, Kai Fujii, Taisei Kimoto, Ryosuke Ninoki, Satoshi Kurai, Narihito Okada …

Japanese Journal of Applied Physics 63(9) 09SP11-09SP11 2024年9月2日
Fabrication of high-quality Al-polar and N-polar AlN templates through self-forming tiny-pit layers and polarity inversion

Narihito Okada, Ryota Hidaka, Taketo Kowaki, Takahiro Saito, Yoshihiro Sugawara, Daisaku Yokoe, Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Satoshi Kurai, Yoichi Yamada …

Journal of Applied Physics 136(2) 2024年7月11日
Electrical Properties of N‐Polar GaN/AlGaN/AlN Grown via Metal‐Organic Vapor Phase Epitaxy

Aina Hiyama Zazuli, Taketo Kowaki, Minagi Miyamoto, Koki Hanasaku, Daisuke Inahara, Kai Fujii, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Yoichi Yamada

physica status solidi (a) 2024年6月27日
Effect of the Twist Crystallinity of N‐Polar AlN Underlayer on the Electrical Properties of GaN/AlN Structures

Taketo Kowaki, Koki Hanasaku, Minagi Miyamoto, Aina Hiyama Zazuli, Daisuke Inahara, Kai Fujii, Taisei Kimoto, Ryosuke Ninoki, Satoshi Kurai, Narihito Okada …

physica status solidi (a) 2024年6月24日
Growth Mechanism of N‐Polar GaN on Vicinal N‐Polar AlN Templates in Metal‐Organic Vapor Phase Epitaxy

Minagi Miyamoto, Koki Hanasaku, Taketo Kowaki, Daisuke Inahara, Aina Hiyama Zazuli, Kai Fujii, Taisei Kimoto, Ryosuke Ninoki, Satoshi Kurai, Narihito Okada …

physica status solidi (a) 221(21) 2024年6月19日
Well Number Dependence of Internal Quantum Efficiency in AlGaN Quantum Wells on Low‐Dislocation Sputtered AlN Templates

Kosuke Inai, Ryota Oshimura, Kunio Himeno, Megumi Fujii, Yuta Onishi, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Kenjiro Uesugi, Hideto Miyake, Yoichi Yamada

physica status solidi (b) 2024年4月27日
Photoluminescence Excitation Spectroscopy of Stimulated Emission from AlGaN‐Based Multiple Quantum Wells with an Emission Wavelength Around 280 nm

Hideaki Murotani, Kunio Himeno, Hayate Ohkawara, Kaichi Tani, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Noritoshi Maeda, Muhammad Ajmal Khan, Hideki Hirayama, Yoichi Yamada

physica status solidi (b) 2024年4月7日
Temperature‐ and Excitation Power Density‐Resolved Photoluminescence of AlGaN‐Based Multiple Quantum Wells Emitting in the Spectral Range of 220–260 nm

Hideaki Murotani, Kosuke Inai, Kunio Himeno, Kaichi Tani, Hiromasa Hayashi, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Kenjiro Uesugi, Hideto Miyake, Yoichi Yamada

physica status solidi (b) 2024年4月
Improvement of electrical properties by insertion of AlGaN interlayer for N-polar AlGaN/AlN structures on sapphire substrates

Minagi Miyamoto, Wataru Matsumura, Ryo Okuno, Syunsuke Matsuda, Koki Hanasaku, Taketo Kowaki, Daisuke Inahara, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Yoichi Yamada

Japanese Journal of Applied Physics 62(SN) SN1016-SN1016 2023年10月9日
Si Doping Effects in AlGaN Channel Layer on Performance of N‐polar AlGaN/AlN FETs

Taketo Kowaki, Wataru Matsumura, Koki Hanasaku, Ryo Okuno, Daisuke Inahara, Shunsuke Matsuda, Satoshi Kurai, Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Narihito Okada …

physica status solidi (a) 2023年7月15日
Investigation of Electrical Properties of N‐Polar AlGaN/AlN Heterostructure Field Effect Transistors

Daisuke Inahara, Shunsuke Matsuda, Wataru Matsumura, Ryo Okuno, Koki Hanasaku, Taketo Kowaki, Minagi Miyamoto, Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Atsushi Tanaka …

physica status solidi (a) 2023年5月16日
Control of Polarity of AlN Grown on Sapphire Substrate and Growth with Both Al‐ and N‐Polarities

Shunsuke Tanigawa, Takuya Sakoyama, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Yoichi Yamada

physica status solidi (b) 260(8) 2023年4月19日
Optical characterization of point defects on internal quantum efficiency in AlGaN quantum wells grown on face-to-face-annealed sputtered AlN templates

Satoshi Kurai, Megumi Fujii, Yuta Ohnishi, Ryota Oshimura, Kosuke Inai, Kunio Himeno, Narihito Okada, Kenjiro Uesugi, Hideto Miyake, Yoichi Yamada

AIP Advances 13(4) 2023年4月1日
Effects of GaN cap layer thickness on photoexcited carrier density in green luminescent InGaN multiple quantum wells

Hideaki Murotani, Keigo Nakatsuru, Satoshi Kurai, Narihito OKADA, Yoshiki Yano, Shuichi Koseki, Piao Guanxi, Yoichi Yamada

Japanese Journal of Applied Physics 2023年3月16日
Growth and microstructure analyses of semipolar AlInN epitaxial layers on a fully relaxed semipolar {11-22} GaInN/GaN/m-plane sapphire template

Makoto Miyoshi, Takahiro Fujisawa, Taiki Nakabayashi, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo

Physica Status Solidi B: Basic Solid State Physics 260(8) 2200492-1-2200492-8 2023年1月4日査読有り
Long wavelength red to green emissions from {11 2¯ 2} semipolar multi-quantum wells on fully relaxed InGaN underlayer

Yuya Tawarazako, Naoya Nishi, Atsuto Nakata, Narihito Okada, Satoshi Kurai, Yoichi Yamada, Kazuyuki Tadatomo

Japanese Journal of Applied Physics 62(SA) SA1019-SA1019 2023年1月1日
Growth and characterization of nitrogen-polar AlGaN/AlN and demonstration of field effect transistor

Lu You, Wataru Matsumura, Kazuya Ataka, Shunsuke Matsuda, Daisuke Inahara, Koki Hanasaku, Ryo Okuno, Taketo Kowaki, Yongzhao YAO, Yukari Ishikawa …

Japanese Journal of Applied Physics 2022年9月27日査読有り責任著者
Investigation of off-cut angle of sapphire for epitaxial lateral overgrowth of AlN and fabrication of high-quality AlN template

Narihito Okada, Takahiro Saito, Sachie Fujikawa, Noritoshi Maeda, Masafumi Jo, Hideki Hirayama, Kazuyuki Tadatomo

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 588 2022年6月査読有り筆頭著者
Observation of threading dislocations with a c+m type Burgers vector in HVPE GaN substrates using multi-photon excitation photoluminescence and TEM

Yongzhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Koji Sato, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, Yukari Ishikawa

Journal of Crystal Growth 592 126748-126748 2022年5月査読有り

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MISC

220-230nm発光帯AlGaN量子井戸構造における偏光度の温度依存性

谷海智, 落合俊介, 村垣勇飛, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, KHAN M. Ajmal, 牟田光弘, 祝迫恭, 平山秀樹 …

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 72nd 2025年
220nm発光帯AlGaN量子井戸構造における偏光特性の温度依存性

稲井滉介, 谷海智, 林拓誠, 佐々木碧, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, 赤池良太, 三宅秀人, 山田陽一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 71st 2024年
発光波長が異なるUV-C発光帯AlGaN量子井戸構造における偏光特性の温度依存性

佐々木碧, 林拓誠, 谷海智, 稲井滉介, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, 赤池良太, 三宅秀人, 山田陽一

応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2024 2024年
UV-C帯AlGaN量子井戸構造における内部量子効率の温度依存性

落合俊介, 姫野邦夫, 稲井滉介, 林拓誠, 谷海智, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, 赤池良太, 三宅秀人 …

応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2024 2024年
220~260nm発光帯AlGaN量子井戸構造における効率曲線の温度依存性

稲井滉介, 姫野邦夫, 谷海智, 林拓誠, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, 上杉謙次郎, 上杉謙次郎, 三宅秀人 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 84th 2023年
230nm発光AlGaN量子井戸構造における偏光特性の温度依存性

姫野邦夫, 稲井滉介, 谷海智, 林拓誠, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, 上杉謙次郎, 上杉謙次郎, 三宅秀人 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
活性層選択励起下における230nm発光帯AlGaN系量子井戸構造の内部量子効率評価

辻啓人, 姫野邦夫, 谷海智, 林拓誠, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, 前田哲利, 平山秀樹, 山田陽一

応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2023 2023年
深紫外線AlGaN系量子井戸構造における誘導放出光の励起スペクトル分光

谷海智, 姫野邦夫, 大河原颯, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, KHAN M. Ajmal, 前田哲利, 定昌史, 平山秀樹 …

応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2023 2023年
GaN結晶の光学特性に影響を及ぼす転位の構造評価

菅原義弘, 姚永昭, 横江大作, 佐藤功二, 石川由加里, 岡田成仁, 只友一行, 須藤正喜, 加藤正史, 三好実人 …

JFCC研究成果集 2023 2023年
AlGaN量子井戸構造における光励起深紫外誘導放出の励起波長依存性

姫野邦夫, 中生拓希, 大河原颯, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, KHAN M. Ajmal, 前田哲利, 定昌史, 平山秀樹 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 83rd 2022年
230nm発光帯AlGaN系量子井戸構造の内部量子効率

姫野邦夫, 谷海智, 林拓誠, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, 前田哲利, 平山秀樹, 山田陽一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 83rd 2022年
InGaN系量子井戸構造における発光波長の励起波長依存性

中津留圭悟, 倉井聡, 岡田成仁, 室谷英彰, 矢野良樹, 小関修一, PIAO G., 山田陽一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
AlGaN系UV-C多重量子井戸構造の高温誘導放出特性

濱田晟, 福田拓矢, 倉井聡, 岡田成仁, 室谷英彰, 前田哲利, KHAN M. Ajmal, 定昌史, 平山秀樹, 山田陽一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
AlGaN量子井戸構造における深紫外誘導放出特性の励起波長依存性

大河原颯, 姫野邦夫, 中生拓希, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, KHAN M.Ajmal, 前田哲利, 定昌史, 平山秀樹 …

応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2022 2022年
緑色InGaN量子井戸構造における内部量子効率の励起波長依存性

服部竜吾, 中津留圭吾, 姫野邦夫, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, 矢野良樹, 小関修一, PIAO G., 山田陽一

応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2022 2022年
X線回折によるパワー半導体単結晶基板の結晶面湾曲の3D可視化

姚永昭, 平野馨一, 佐藤功二, 菅原義弘, 横江大作, 岡田成仁, 只友一行, 佐々木公平, 倉又朗人, 石川由加里

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
極小ピットの多層構造化による超低転位AlNテンプレートの作製

日高遼太, 奥野椋, 小脇岳土, YAO Y., 石川由加里, 菅原義弘, 横江大作, 平山秀樹, 倉井聡, 岡田成仁 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
極性反転とパルスH₂エッチングを利用したN極性面AlNの結晶成長

安高和哉, LU You, 松村航, 花咲光基, YAO Y., 石川由加里, 菅原義弘, 横江大作, 倉井聡, 岡田成仁 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
深紫外発光AlGaN量子井戸構造における強励起側の発光効率曲線解析

中生拓希, 姫野邦夫, 武田椋平, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, KHAN M. Ajmal, 前田哲利, 定昌史, 平山秀樹 …

応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集 2021 2021年
異なるAlNテンプレート上AlGaN量子井戸構造の内部量子効率

押村遼太, 稲井滉介, 草場崇史, 藤井厚志, 倉井聡, 岡田成仁, 室谷英彰, 上杉謙次郎, 三宅秀人, 山田陽一

応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集 2021 2021年

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講演・口頭発表等

電子移動度トランジスタに向けたN面AlGaN/AlNの結晶成長とデバイス試作

松村航, You Lu, 安高和哉, 松田駿佑, 花咲光基, 稲原大輔, 姚永昭, 石川由加里, 倉井聡, 岡田成仁, 山田陽一, 只友一行

第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月27日

担当経験のある科目(授業)

2018年4月 - 現在

半導体プロセス工学特論 (山口大学)
2018年4月 - 現在

デバイス工学特論 (山口大学)
2018年4月 - 現在

電気電子材料 (山口大学)
2018年 - 現在

アナログ回路 (山口大学)
2022年4月 - 2023年3月

半導体工学I (山口大学)
Advances Electrical and Electronic Engineering Laboratory II (YAMAGUCHI UNIVERSITY)
Design Engineering PracticeI (YAMAGUCHI UNIVERSITY)
Design Engineering Practice II (YAMAGUCHI UNIVERSITY)
発光デバイス工学特論 (山口大学)
電気電子工学応用実験II (山口大学)
ものづくり創成実習I (山口大学)
ものづくり創成実習II (山口大学)

共同研究・競争的資金等の研究課題

AlN基板を用いた窒化物半導体新規電子デバイス構造の提案と結晶成長

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2024年4月 - 2027年3月

岡田成仁, 山田洋明, 姚永昭
GaN系LEDの転位に起因するVピットの形状操作と転位無効化メカニズムの解明

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 新学術領域研究(研究領域提案型) 2019年4月 - 2021年3月

岡田成仁
ヘテロ中間層を用いた非極性面発光デバイスの偏光特性制御と高性能化

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 若手研究(B) 2016年4月 - 2019年3月

岡田成仁, 只友一行
サファイア加工基板側壁を成長起点とした半極性｛２０－２－１｝面ＧａＮ基板の作製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2013年4月 - 2016年3月

只友一行, 山田陽一, 酒井朗, 岡田成仁, 山根啓輔
高品質半極性面ＩｎＧａＮテンプレート上ＬＥＤの光学・発光特性の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 若手研究(B) 2012年4月 - 2014年3月

岡田成仁
マルチカラーLEDを用いた高効率白色LEDの開発

科学技術振興機構産学が連携した研究開発成果の展開/研究成果展開事業/研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP)/探索タイプ 2011年 - 2011年

岡田成仁
r面サファイア基板への無極性a面GaNの結晶成長と高効率緑色LEDへの応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2008年 - 2010年

只友一行, 桑野範之, 岡田成仁
高品質非極性面窒化ガリウム上窒化ガリウムインジウムの結晶評価

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(スタートアップ) 若手研究(スタートアップ) 2008年 - 2009年

岡田成仁

岡田成仁

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研究キーワード

研究分野

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委員歴

受賞

論文

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講演・口頭発表等

担当経験のある科目(授業)

共同研究・競争的資金等の研究課題

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