秋山亨 (Toru Akiyama) - マイポータル - researchmap

基本情報

J-GLOBAL ID: 201301042454462829
researchmap会員ID: B000233766

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研究キーワード

30

研究分野

1

ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性 /

経歴

2

2015年3月 - 現在

三重大学, 大学院・工学研究科, 准教授
2008年 - 2015年2月

三重大学, 大学院・工学研究科, 助教

論文

292

Sputter Epitaxy of Transition Metal Nitrides: Advances in Superconductors, Semiconductors, and Ferroelectrics

Atsushi Kobayashi, Takuya Maeda, Toru Akiyama, Takahiro Kawamura, Yoshio Honda

physica status solidi (a) 2025年1月5日
Theoretical study on structural stability and miscibility of ScAlN alloys: effect of lattice constraint

Takuto Miyamoto, Toru Akiyama, Takahiro Kawamura

Japanese Journal of Applied Physics 2025年1月1日
Thermal conductivity of GaN with a vacancy and an oxygen point defect

Takahiro Kawamura, Ryogo Nishiyama, Toru Akiyama, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

Journal of Crystal Growth 2025年1月
An Ab Initio Study for Oxygen Adsorption Behavior on Polar GaN Surfaces

Toru Akiyama, Takahiro Kawamura

physica status solidi (b) 2024年11月
Structural Stability of Vicinal AlN(0001) and GaN(0001) Surfaces with Steps and Kinks under Metal–Organic Vapor-Phase Epitaxy Condition: A First-Principles Study

Toru Akiyama, Takahiro Kawamura

Crystal Growth & Design 24(14) 5906-5915 2024年7月2日
Crystal orientation control of a-plane AlN films on r-plane sapphire fabricated by sputtering and high-temperature annealing

Yuki Ogawa, Ryota Akaike, Jiei Hayama, Kenjiro Uesugi, Kanako Shojiki, Toru Akiyama, Takao Nakamura, Hideto Miyake

Journal of Applied Physics 2024年5月21日
First-principles study on barrier height of silicon emission from interface into oxide during silicon thermal oxidation

Hiroyuki Kageshima, Toru Akiyama, Kenji Shiraishi

Japanese Journal of Applied Physics 63(4) 04SP08-04SP08 2024年3月19日
Reaction of NO molecule at 4H-SiC/SiO2 interface and its orientation dependence: a first-principles study

Toru Akiyama, Hiroyuki Kageshima, Kenji Shiraishi

Japanese Journal of Applied Physics 2024年3月1日
First-principles study for orientation dependence of band alignments at the 4H-SiC/SiO2 interface

Shun Matsuda, Toru Akiyama, Tetsuo Hatakeyama, Kenji Shiraishi, Takashi Nakayama

Japanese Journal of Applied Physics 2024年2月29日
Ab initio study for adsorption behavior on AlN(0001) surface with steps and kinks during metal-organic vapor-phase epitaxy

Toru Akiyama, Takahiro Kawamura

Japanese Journal of Applied Physics 2024年2月29日
Temperature dependence of liquid-gallium ordering on the surface of epitaxially grown GaN

Takuo Sasaki, Takuya Iwata, Kanya Sugitani, Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Masamitu Takahasi

Applied Physics Express 2024年2月1日
First-principles calculations of <mml:math xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" altimg="si17.svg" display="inline" id="d1e393"><mml:mi>α</mml:mi></mml:math>-Ga2O3 /Al2O3 superlattice band structures

Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa

Journal of Crystal Growth 626 127477-127477 2024年1月
First-principles study on silicon emission from interface into oxide during silicon thermal oxidation

Hiroyuki Kageshima, Toru Akiyama, Kenji Shiraishi

Materials Science in Semiconductor Processing 162 107527-107527 2023年8月
Bandgap Change in Short‐Period InN/AlN Superlattices Induced by Lattice Strain

Takahiro Kawamura, Kouhei Basaki, Akito Korei, Toru Akiyama, Yoshihiro Kangawa

physica status solidi (b) 2023年8月
Effect of lattice constraint on structural stability and miscibility of (Al x Ga1−x )2O3 films: a first-principles study

Shuri Fujita, Toru Akiyama, Takahiro Kawamura, Tomonori Ito

Japanese Journal of Applied Physics 2023年4月1日
First-principles study for self-limiting growth of GaN layers on AlN(0001) surface

Haruka Sokudo, Toru Akiyama, Tomonori Ito

Japanese Journal of Applied Physics 2023年4月1日
Epitaxial Junction of Inversion Symmetry Breaking AlN and Centrosymmetric NbN: A Polarity Control of Wide-Bandgap AlN

Atsushi Kobayashi, Shunya Kihira, Toru Akiyama, Takahiro Kawamura, Takuya Maeda, Kohei Ueno, Hiroshi Fujioka

ACS Applied Electronic Materials 2023年1月24日
OVPE成長条件下におけるGaN表面構造と点欠陥がGaNの光学特性へ与える影響

河村貴宏, 秋山亨, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 森勇介, 森川良忠, 寒川義裕

日本結晶成長学会誌 50(1) n/a 2023年査読有り招待有り
エピタキシャル成長の量子論における新展開：シミュレーションからデジタルツインへ

秋山亨, 荒木努, 富永依里子

日本結晶成長学会誌 50(1) n/a 2023年
III族窒化物エピタキシャル成長における成長様式の理論解析

秋山亨, 伊藤智徳

日本結晶成長学会誌 50(1) n/a 2023年

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MISC

366

OVPE成長条件下におけるGaN表面構造と点欠陥がGaNの光学特性へ与える影響

河村貴宏, 河村貴宏, 秋山亨, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 吉村政志, 森勇介, 森川良忠, 寒川義裕

日本結晶成長学会誌(CD-ROM) 50(1) 2023年
III族窒化物エピタキシャル成長における成長様式の理論解析

秋山亨, 伊藤智徳

日本結晶成長学会誌(CD-ROM) 50(1) 2023年
4H-SiC/SiO₂界面におけるバンド配列の面方位依存性に関する理論検討

松田隼, 秋山亨, 畠山哲夫, 白石賢二, 中山隆史

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
Si酸化における界面から酸化膜へのSi放出過程の理論検討

影島博之, 秋山亨, 白石賢二

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
α-Ga₂O₃/Al₂O₃超格子のバンド構造解析

河村貴宏, 秋山亨

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
キンクおよびステップを含むAlN(0001)表面の構造安定性および吸着・脱離の挙動に関する理論的検討

秋山亨, 河村貴宏, 伊藤智徳

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
MOVPE法を用いたBN成長におけるAlNテンプレート極性の影響と高温アニール

大石悠翔, XIAO Shiyu, 上杉謙次郎, 上杉謙次郎, 秋山亨, 玉野智弘, 三宅秀人

電子情報通信学会技術研究報告(Web) 123(288(ED2023 14-37)) 2023年
GaN(0001)および(000<span style=text-decoration:overline>1</span>)表面における酸素吸着の理論解析:面方位依存性の検討

秋山亨, 河村貴宏

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 84th 2023年
β-Nb₂N/AlN超格子構造における界面の電子状態の解析

河村貴宏, 秋山亨, 小林篤

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 84th 2023年
MOVPE法を用いたBN成長におけるAlNテンプレート極性の影響

大石悠翔, XIAO Shiyu, 上杉謙次郎, 上杉謙次郎, 秋山亨, 三宅秀人

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 84th 2023年
第一原理計算を用いたβ-Ga₂O₃(010)表面構造の解析

安田朋記, 河村貴宏, 秋山亨

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 84th 2023年
ハイブリッド密度汎関数法による4H-SiC/SiO₂界面におけるバンド配列の面方位依存性の理論解析

松田隼, 秋山亨, 畠山哲夫, 白石賢二, 中山隆史

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 84th 2023年
GaN(0001)基板上に形成するGa₂O₃膜の構造安定性の理論解析:膜厚依存性の検討

日紫喜文昭, 秋山亨, 河村貴宏, 伊藤智徳

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
格子歪みによるα-Ga₂O₃のバンドギャップエンジニアリング

河村貴宏, 秋山亨

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
4H-SiC/SiO₂界面での窒素酸化物およびアンモニアの反応機構の理論的検討

秋山亨, 清水紀志, 伊藤智徳, 影島博之, 白石賢二

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
(Al_xGa_1-x)₂O₃混晶の構造安定性および混和性に関する理論的検討

藤田柊理, 秋山亨, 河村貴宏, 伊藤智徳

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
第一原理計算に基づくAlN(0001)表面上のGaN層の構造安定性評価

足道悠, 秋山亨, 伊藤智徳

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
窒化物半導体におけるピラミッド型インバージョンドメイン形成の理論解析

仁木克英, 秋山亨, 伊藤智徳

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
スノーボード競技者における経験年数と傷害受傷部位の特徴

三井亮平, 石田和宏, 家入章, 木下幸大, 小林巧, 綿谷美佐子, 神成透, 秋山亨, 木村正一

北海道整形災害外科学会 141st 2022年
キンクおよびステップを含むAlN(0001)表面の構造安定性に関する理論的検討

秋山亨, 河村貴宏, 伊藤智徳

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 51st 2022年

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講演・口頭発表等

13

GaN(0001)表面におけるステップ端での吸着・脱離の挙動に関する理論的検討

秋山亨, 相可拓巳, 中村浩次, 伊藤智徳

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2019年2月25日
AlN(0001)基板上におけるAlGaN薄膜の成長様式に関する理論的検討

積木伸之介, PRADIPTO A.‐M, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2019年2月25日
計算科学からみたIII-V族ナノワイヤにおける回転双晶超格子構造の形成機構

秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳

日本結晶成長学会誌(CD-ROM) 2019年
III族窒化物二次元原子層膜の構造安定性に関する理論的検討:膜厚依存性

秋山亨, 坪井佑磨, 長谷川裕也, 中村浩次, 伊藤智徳

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月5日
III族窒化物半導体超格子におけるバンドギャップの組成依存性

河村貴宏, 藤田裕真, 浜地祐矢, 秋山亨, 寒川義裕

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月5日
GaN(0001)面におけるステップの安定性に関する理論的研究

相可拓巳, 秋山亨, PRADIPTO A.‐M, 中村浩次, 伊藤智徳

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月5日
窒化物半導体の有機金属気相エピタキシー成長における熱力学解析:半極性面の検討

瀬田雄基, PRADIPTO A. M, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳, 草場彰, 寒川義裕, 寒川義裕

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月5日
自由エネルギー表式によるAlN(0001)基板上におけるGaN薄膜の成長様式に関する理論的解析

積木伸之介, PRADIPTO A.‐M, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月5日
III族窒化物における極性および半極性面の表面エネルギー計算アルゴリズムの構築

秋山亨, 瀬田雄基, 中村浩次, 伊藤智徳

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月5日
InAs/GaAs(001)系ミスフィット転位形成に関する理論的検討:表面再構成の影響

米本和弘, 秋山亨, PRADIPTO A.‐M, 中村浩次, 伊藤智徳

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月5日
BAlNおよびBGaN混晶の構造安定性および混和性に関する理論的検討

長谷川裕也, 秋山亨, PRADIPT A.‐M, 中村浩次, 伊藤智徳

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月5日
特異構造の結晶科学~結晶成長と構造・物性相関~III族窒化物半導体における表面・界面の構造および極性の理論解析

秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳, 草場彰, 寒川義裕, 寒川義裕

日本結晶成長学会誌(CD-ROM) 2018年4月
BAlNおよびBGaN混晶における結晶構造および電子状態の基板拘束の影響

秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年3月5日

共同研究・競争的資金等の研究課題

11

光・電子デバイス設計概念の革新をもたらす光学・音響フォノン統合制御

日本学術振興会科学研究費補助金基盤研究（B) 2024年4月 - 2027年3月

石谷善博, 三宅秀人, 岩谷素顕, 渡邉聡, 秋山亨, 馬蓓
ボンドエンジニアリングによるオクテットAB型二元系原子層物質のマテリアルデザイン

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2020年4月 - 2023年3月

秋山亨
窒化物半導体量子ドット形成のボンドエンジニアリング

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2019年4月 - 2022年3月

伊藤智徳, 秋山亨
計算科学によるヘテロボンドの理論的材料設計

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 新学術領域研究(研究領域提案型) 2016年6月 - 2021年3月

伊藤智徳, 秋山亨, 正直花奈子, 河村貴宏, 寒川義裕, 平松和政
ボンドエンジニアリングによるⅣ族系混晶原子層物質のマテリアルデザイン

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2017年4月 - 2020年3月

秋山亨
ボンドエンジニアリングによる量子ドット形成機構解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2016年4月 - 2019年3月

伊藤智徳, 秋山亨
ボンドエンジニアリングによる「ぬれ層の物理」構築

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2012年4月 - 2015年3月

伊藤智徳, 秋山亨
格子不整合薄膜表面構造とナノ構造形成のボンドエンジニアリング

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2009年 - 2011年

伊藤智徳, 秋山亨
シリコンナノ構造酸化の窒素添加による制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2006年 - 2008年

植松真司, 影島博之, 渡邉孝信, 白石賢二, 伊藤公平, 秋山亨
ボンドエンジニアリングによる表面状態図予測とナノ構造形成への応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2006年 - 2008年

伊藤智徳, 秋山亨
次世代極薄高誘率ゲート絶縁膜中の不純物の挙動に関する理論的研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2004年 - 2005年

白石賢二, 秋山亨