秋山亨 (Toru Akiyama) - マイポータル

基本情報

J-GLOBAL ID: 201301042454462829
researchmap会員ID: B000233766

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研究分野

ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性 /

経歴

論文

304

Adsorption behavior of adatoms on AlN(0001) surface with steps and kinks under metal-organic vapor-phase epitaxy condition: Ab initio study

Toru Akiyama, Takahiro Kawamura

Journal of Crystal Growth 2026年5月
Corrigendum: “First-principles study of excess Si transport in Si oxide on Si substrate using two-layer-oxide model for thermally oxidized interface” [Jpn. J. Appl. Phys. 65, 03SP18 (2026)]

Hiroyuki Kageshima, InSung Seo, Toru Akiyama, Kenji Shiraishi

Japanese Journal of Applied Physics 2026年3月31日
Theoretical analysis of 4H-SiC/SiO2 interface structures and band alignments: effects of NO annealing

Naoto Ise, Toru Akiyama, Tetsuo Hatakeyama, Kenji Shiraishi, Takashi Nakayama

Japanese Journal of Applied Physics 2026年2月16日
Structures and Adsorption Behavior on N-Polar GaN(0001̅) Surface with Steps and Kinks: A DFT Study

Toru Akiyama, Taiki Tahara, Takahiro Kawamura

Crystal Growth & Design 2026年2月4日
Chemical vapor deposition of compound semiconductors: process simulation and experimental validation

Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba, Toru Akiyama, Shugo Nitta, Motoaki Iwaya, Hideto Miyake, Paweł Kempisty, Marta A. Chabowska, Hristina Popova, Magdalena A. Załuska-Kotur

Applied Physics Express 2026年1月1日
First-principles structural analysis of polarity inversion boundaries in GaN

Takahiro Kawamura, Toru Akiyama, Hideto Miyake, Yoshihiro Kangawa, Kazuhisa Ikeda, Tomoyuki Tanikawa

Japanese Journal of Applied Physics 2025年12月1日
Effects of Sc Composition and Lattice Constraint on Polarization Switching of ScxAl1−xN Alloys: A First‐Principles Study

Toru Akiyama, Takuto Miyamoto, Takahiro Kawamura

physica status solidi (b) 2025年12月
Structures and stability of reconstructed BAs surfaces: an ab initio-based approach

PeiYang Cai, Toru Akiyama, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara

Computational Materials Science 2025年9月
Sputter Epitaxy of Transition Metal Nitrides: Advances in Superconductors, Semiconductors, and Ferroelectrics

Atsushi Kobayashi, Takuya Maeda, Toru Akiyama, Takahiro Kawamura, Yoshio Honda

physica status solidi (a) 2025年9月
First-principles Study of Interstitial-Related Defects in Quartz

Hiroyuki Kageshima, Toru Akiyama, Kenji Shiraishi

Journal of the Physical Society of Japan 2025年7月15日
Computational Study for Structures and Electronic Properties of (RhAl)2O3 and (RhGa)2O3 Alloys for Optimal p‐Type Heterostructures in Group‐III Sesquioxides

Kenta Matsubara, Toru Akiyama, Takahiro Kawamura

physica status solidi (b) 2025年6月
Analysis of inversion-domain boundaries in four-layer polarity-inverted AlN structure

Tomohiro Tamano, Kanako Shojiki, Toru Akiyama, Ryota Akaike, Takao Nakamura, Hiroto Honda, Eiki Sato, Masahiro Uemukai, Tomoyuki Tanikawa, Ryuji Katayama …

Applied Physics Letters 2025年1月20日
Advances in atomistic modeling for epitaxial growth of nitride semiconductors: a DFT-based approach

Toru Akiyama

CrystEngComm 2025年
Theoretical study on structural stability and miscibility of ScAlN alloys: effect of lattice constraint

Takuto Miyamoto, Toru Akiyama, Takahiro Kawamura

Japanese Journal of Applied Physics 2025年1月1日
Thermal conductivity of GaN with a vacancy and an oxygen point defect

Takahiro Kawamura, Ryogo Nishiyama, Toru Akiyama, Shigeyoshi Usami, Masayuki Imanishi, Yusuke Mori, Masashi Yoshimura

Journal of Crystal Growth 2025年1月
An Ab Initio Study for Oxygen Adsorption Behavior on Polar GaN Surfaces

Toru Akiyama, Takahiro Kawamura

physica status solidi (b) 2024年11月
Structural Stability of Vicinal AlN(0001) and GaN(0001) Surfaces with Steps and Kinks under Metal–Organic Vapor-Phase Epitaxy Condition: A First-Principles Study

Toru Akiyama, Takahiro Kawamura

Crystal Growth & Design 24(14) 5906-5915 2024年7月2日
Crystal orientation control of a-plane AlN films on r-plane sapphire fabricated by sputtering and high-temperature annealing

Yuki Ogawa, Ryota Akaike, Jiei Hayama, Kenjiro Uesugi, Kanako Shojiki, Toru Akiyama, Takao Nakamura, Hideto Miyake

Journal of Applied Physics 2024年5月21日
First-principles study on barrier height of silicon emission from interface into oxide during silicon thermal oxidation

Hiroyuki Kageshima, Toru Akiyama, Kenji Shiraishi

Japanese Journal of Applied Physics 63(4) 04SP08-04SP08 2024年3月19日
Reaction of NO molecule at 4H-SiC/SiO2 interface and its orientation dependence: a first-principles study

Toru Akiyama, Hiroyuki Kageshima, Kenji Shiraishi

Japanese Journal of Applied Physics 2024年3月1日

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MISC

372

窒化アルミニウム薄膜の結晶極性制御とそのデバイス応用

正直花奈子, 正直花奈子, 玉野智大, 秋山亨, 三宅秀人, 本田啓人, 谷川智之, 上向井正裕, 片山竜二

電気学会基礎・材料・共通部門大会(Web) 2024 2024年
点欠陥がGaNの熱伝導率に与える影響

西山稜悟, 河村貴宏, 秋山亨, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 吉村政志, 森勇介

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 52nd 2023年
AlScN結晶の構造安定性および混和性に関する理論的検討:基板拘束の影響

宮本拓翔, 秋山亨, 河村貴宏

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 52nd 2023年
4層極性反転AlN薄膜のスパッタ・アニール法による作製と界面評価

玉野智大, 正直花奈子, 正直花奈子, 秋山亨, 本田啓人, 佐藤栄希, 上杉謙次郎, 上杉謙次郎, 上向井正裕, 谷川智之 …

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 52nd 2023年
βおよびκ-Ga₂O₃の格子歪みがバンドギャップに及ぼす影響

伊藤陸人, 河村貴宏, 秋山亨

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 52nd 2023年
第一原理計算によるβ酸化ガリウム(010)表面構造の解析

安田朋記, 河村貴宏, 秋山亨

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 52nd 2023年
OVPE成長条件下におけるGaN表面構造と点欠陥がGaNの光学特性へ与える影響

河村貴宏, 河村貴宏, 秋山亨, 宇佐美茂佳, 今西正幸, 吉村政志, 吉村政志, 森勇介, 森川良忠, 寒川義裕

日本結晶成長学会誌(CD-ROM) 50(1) 2023年
III族窒化物エピタキシャル成長における成長様式の理論解析

秋山亨, 伊藤智徳

日本結晶成長学会誌(CD-ROM) 50(1) 2023年
4H-SiC/SiO₂界面におけるバンド配列の面方位依存性に関する理論検討

松田隼, 秋山亨, 畠山哲夫, 白石賢二, 中山隆史

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
Si酸化における界面から酸化膜へのSi放出過程の理論検討

影島博之, 秋山亨, 白石賢二

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
α-Ga₂O₃/Al₂O₃超格子のバンド構造解析

河村貴宏, 秋山亨

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
キンクおよびステップを含むAlN(0001)表面の構造安定性および吸着・脱離の挙動に関する理論的検討

秋山亨, 河村貴宏, 伊藤智徳

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
MOVPE法を用いたBN成長におけるAlNテンプレート極性の影響と高温アニール

大石悠翔, XIAO Shiyu, 上杉謙次郎, 上杉謙次郎, 秋山亨, 玉野智弘, 三宅秀人

電子情報通信学会技術研究報告(Web) 123(288(ED2023 14-37)) 2023年
GaN(0001)および(000<span style=text-decoration:overline>1</span>)表面における酸素吸着の理論解析:面方位依存性の検討

秋山亨, 河村貴宏

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 84th 2023年
β-Nb₂N/AlN超格子構造における界面の電子状態の解析

河村貴宏, 秋山亨, 小林篤

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 84th 2023年
MOVPE法を用いたBN成長におけるAlNテンプレート極性の影響

大石悠翔, XIAO Shiyu, 上杉謙次郎, 上杉謙次郎, 秋山亨, 三宅秀人

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 84th 2023年
第一原理計算を用いたβ-Ga₂O₃(010)表面構造の解析

安田朋記, 河村貴宏, 秋山亨

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 84th 2023年
ハイブリッド密度汎関数法による4H-SiC/SiO₂界面におけるバンド配列の面方位依存性の理論解析

松田隼, 秋山亨, 畠山哲夫, 白石賢二, 中山隆史

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 84th 2023年
GaN(0001)基板上に形成するGa₂O₃膜の構造安定性の理論解析:膜厚依存性の検討

日紫喜文昭, 秋山亨, 河村貴宏, 伊藤智徳

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
格子歪みによるα-Ga₂O₃のバンドギャップエンジニアリング

河村貴宏, 秋山亨

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年

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講演・口頭発表等

GaN(0001)表面におけるステップ端での吸着・脱離の挙動に関する理論的検討

秋山亨, 相可拓巳, 中村浩次, 伊藤智徳

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2019年2月25日
AlN(0001)基板上におけるAlGaN薄膜の成長様式に関する理論的検討

積木伸之介, PRADIPTO A.‐M, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2019年2月25日
計算科学からみたIII-V族ナノワイヤにおける回転双晶超格子構造の形成機構

秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳

日本結晶成長学会誌(CD-ROM) 2019年
III族窒化物二次元原子層膜の構造安定性に関する理論的検討:膜厚依存性

秋山亨, 坪井佑磨, 長谷川裕也, 中村浩次, 伊藤智徳

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月5日
III族窒化物半導体超格子におけるバンドギャップの組成依存性

河村貴宏, 藤田裕真, 浜地祐矢, 秋山亨, 寒川義裕

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月5日
GaN(0001)面におけるステップの安定性に関する理論的研究

相可拓巳, 秋山亨, PRADIPTO A.‐M, 中村浩次, 伊藤智徳

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月5日
窒化物半導体の有機金属気相エピタキシー成長における熱力学解析:半極性面の検討

瀬田雄基, PRADIPTO A. M, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳, 草場彰, 寒川義裕, 寒川義裕

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月5日
自由エネルギー表式によるAlN(0001)基板上におけるGaN薄膜の成長様式に関する理論的解析

積木伸之介, PRADIPTO A.‐M, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月5日
III族窒化物における極性および半極性面の表面エネルギー計算アルゴリズムの構築

秋山亨, 瀬田雄基, 中村浩次, 伊藤智徳

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月5日
InAs/GaAs(001)系ミスフィット転位形成に関する理論的検討:表面再構成の影響

米本和弘, 秋山亨, PRADIPTO A.‐M, 中村浩次, 伊藤智徳

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月5日
BAlNおよびBGaN混晶の構造安定性および混和性に関する理論的検討

長谷川裕也, 秋山亨, PRADIPT A.‐M, 中村浩次, 伊藤智徳

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年9月5日
特異構造の結晶科学~結晶成長と構造・物性相関~III族窒化物半導体における表面・界面の構造および極性の理論解析

秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳, 草場彰, 寒川義裕, 寒川義裕

日本結晶成長学会誌(CD-ROM) 2018年4月
BAlNおよびBGaN混晶における結晶構造および電子状態の基板拘束の影響

秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2018年3月5日

共同研究・競争的資金等の研究課題

窒化物半導体の非極性面成長における結晶学マップ作成と遠紫外LED応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2025年4月 - 2028年3月

三宅秀人, 安永弘樹, 赤池良太, 小島一信, 秋山亨, 市川修平, 寒川義裕
ボンドエンジニアリング記述子の開発とそのワイドギャップ半導体結晶成長への適用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2024年4月 - 2027年3月

秋山亨
光・電子デバイス設計概念の革新をもたらす光学・音響フォノン統合制御

日本学術振興会科学研究費補助金基盤研究（B) 2024年4月 - 2027年3月

石谷善博, 三宅秀人, 岩谷素顕, 渡邉聡, 秋山亨, 馬蓓
ボンドエンジニアリングによるオクテットAB型二元系原子層物質のマテリアルデザイン

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2020年4月 - 2023年3月

秋山亨
窒化物半導体量子ドット形成のボンドエンジニアリング

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2019年4月 - 2022年3月

伊藤智徳, 秋山亨
計算科学によるヘテロボンドの理論的材料設計

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 新学術領域研究(研究領域提案型) 2016年6月 - 2021年3月

伊藤智徳, 秋山亨, 正直花奈子, 河村貴宏, 寒川義裕, 平松和政
ボンドエンジニアリングによるⅣ族系混晶原子層物質のマテリアルデザイン

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2017年4月 - 2020年3月

秋山亨
ボンドエンジニアリングによる量子ドット形成機構解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2016年4月 - 2019年3月

伊藤智徳, 秋山亨
ボンドエンジニアリングによる「ぬれ層の物理」構築

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2012年4月 - 2015年3月

伊藤智徳, 秋山亨
格子不整合薄膜表面構造とナノ構造形成のボンドエンジニアリング

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2009年 - 2011年

伊藤智徳, 秋山亨
シリコンナノ構造酸化の窒素添加による制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2006年 - 2008年

植松真司, 影島博之, 渡邉孝信, 白石賢二, 伊藤公平, 秋山亨
ボンドエンジニアリングによる表面状態図予測とナノ構造形成への応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2006年 - 2008年

伊藤智徳, 秋山亨
次世代極薄高誘率ゲート絶縁膜中の不純物の挙動に関する理論的研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2004年 - 2005年

白石賢二, 秋山亨

秋山亨

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研究分野

経歴

論文

MISC

講演・口頭発表等

共同研究・競争的資金等の研究課題

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