西中浩之 (Hiroyuki Nishinaka) - マイポータル

基本情報

所属: 京都工芸繊維大学電気電子工学系教授

学位: 博士（工学）(京都大学)

J-GLOBAL ID: 201801019853250334
researchmap会員ID: B000319431

研究キーワード

研究分野

経歴

2025年4月 - 現在

京都工芸繊維大学, 電気電子工学系, 教授
2020年2月 - 2025年3月

京都工芸繊維大学, 電気電子工学系, 准教授
2023年8月 - 2023年10月

University of Colorado Colorado Springs, Visiting Scholar
2023年4月 - 2023年5月

University of Valencia, Visiting Scholar
2015年1月 - 2020年1月

京都工芸繊維大学, 電気電子工学系, 助教
2009年4月 - 2014年12月

シャープ株式会社

受賞

2026年4月

科学技術分野の文部科学大臣表彰科学技術賞研究部門, 低環境負荷の次世代成膜技術ミストCVD法の研究, 文部科学省

西中浩之, 川原村敏幸, 藤田静雄
2017年3月

JSAPフォトイラストコンテスト最優秀賞

西中浩之
2016年4月

日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会講演奨励賞

西中浩之
2008年12月

応用物理学会結晶工学分科会2008年年末講演会分科会発表奨励賞

西中浩之
2008年10月

薄膜材料デバイス研究会第5回研究集会ベストペーパーアワード

西中浩之
2008年7月

京都大学工学研究科高等研究院融合ナノ基盤工学研究部門第1回若手研究者発表会最優秀賞

西中浩之
2006年6月

京都大学工学研究科ナノ工学高等研究院第4回若手研究者発表会優秀賞

西中浩之

論文

110

Intrinsic Thermal Instability of δ-Ga₂O₃ Thin Films Grown via Mist Chemical Vapor Deposition

Aoi Saito, Kazuki Shimazoe, Noriyuki Hasuike, Hiroyuki Nishinaka

CRYSTAL GROWTH & DESIGN 26(12) 4543-4548 2026年6月17日査読有り最終著者責任著者
Effect of carbon content on structural and optical properties of silicon carbon nitride films deposited by high-temperature RF-PECVD

T. Kawabe, T. Wydeven, N. Hasuike, H. Nishinaka

Japanese Journal of Applied Physics 65 11SP22 2026年6月15日査読有り最終著者
Bismuth-assisted stabilization of rutile GeO2 thin films grown by Mist-CVD

Carolina Fernandez-Saiz, Kazuki Shimazoe, Carmen Martinez-Tomas, Said Agouram, Ichiro Seike, Taisei Kano, Vicente Munoz-Sanjose, Hiroyuki Nishinaka

APPLIED SURFACE SCIENCE 727 165893 2026年5月1日査読有り最終著者
Heteroepitaxial growth of (1-102)-oriented α-Fe2O3 on corundum-structured rh-ITO electrodes for high-efficiency photoanode applications

Kazuki Shimazoe, Masashi Kato, Hiroyuki Nishinaka

Materials Letters 140686-140686 2026年4月査読有り
Polycrystalline κ-Ga₂O₃ on Si(100) substrates with GZO buffer layers

Yoshiaki Hirai, Htet Su Wai, Toshiyuki Kawaharamura, Noriaki Ikenaga, Osamu Ueda, Hiroyuki Nishinaka

RSC ADVANCES 16(18) 16595-16600 2026年3月23日査読有り最終著者責任著者
Temperature dependence of nonpolar switching characteristics of carbon-doped HfO_x thin films fabricated using mist CVD for correlated electron random access memory

Masamichi Azuma, Mamoru Ikeda, Tsubasa Miyamoto, Hiroyuki Nishinaka

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 65(5) 2026年3月16日査読有り最終著者責任著者
ミストCVDで成膜した炭素ドープイットリウムチタナート（YTiOx）薄膜の構造解析および電気特性

吾妻正道, 池田守, 宮本翼, 浅井雅史, 鐘ケ江一孝, 西中浩之

材料 75(3) 239-243 2026年3月15日査読有り最終著者
Growth and Structural Properties of GeO ₂ on Free-Standing Cubic 3C-SiC Substrates via Mist Chemical Vapor Deposition

Kazuki Shimazoe, Hiroyuki Nishinaka, Masashi Kato

Crystal Growth & Design 26 1572-1578 2026年2月3日査読有り
Phonons in Single‐Domain κ‐Ga ₂ O ₃ Studied by Polarization Angle‐Resolved Raman Scattering

Alwin Wüthrich, Benjamin M. Janzen, Roland Gillen, Hans Tornatzky, Andrea Ardenghi, Oliver Bierwagen, Anna Sacchi, Piero Mazzolini, Maximilian Ries, Temma Ogawa …

Advanced Electronic Materials 12(3) e00497 2026年1月23日査読有り
Rutile-Structured GeO₂ Thin Films Grown on Various Planes of α-Al₂O₃ Substrates with Graded Ge_xSn_1-xO₂ Buffer Layers

Kazuki Shimazoe, Masashi Kato, Hiroyuki Nishinaka

ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALS 8 249 2025年12月17日査読有り最終著者
Effect of surface offset angle on NiO initial growth on (3-Ga2O3 by mist chemical vapor deposition

Yusuke Seki, Arifumi Okada, Yuki Kajita, Gen Yasui, Hiroyuki Nishinaka, Kohei Kadono

APPLIED SURFACE SCIENCE 710 2025年11月30日査読有り
プラズマCVD法により成膜したSiCN薄膜の特性：RF出力の影響

川邊史, Theodore Wydeven, 西中浩之

材料 74(11) 669-673 2025年11月15日査読有り最終著者
Absorption anisotropy of orthorhombic single-domain κ-Ga₂O₃ from infrared to ultraviolet: Phonons and bandgaps

Elias Kluth, Temma Ogawa, Hiroyuki Nishinaka, Rudiger Goldhahn, Martin Feneberg

APPLIED PHYSICS LETTERS 127(17) 2025年10月23日
樹脂基板への適用を目指したプラズマCVDによる60℃以下でのSiO2成

楠田豊, 浅井祐輝, 西中浩之

材料 74(6) 394-398 2025年6月15日査読有り最終著者
Enhanced growth temperature window and Sb doping of rutile GeO2 enabled by graded buffer layers

Kazuki SHIMAZOE, Ichiro Seike, Kazutaka Kanegae, Hiroyuki NISHINAKA

Japanese Journal of Applied Physics 2025年4月30日査読有り最終著者責任著者
Plasma-enhanced chemical vapor deposition of SiO2 films at 400 kHz and 100 °C using tetraethyl orthosilicate with oxygen and SiH4 with nitrous oxide

Yutaka Kusuda, Yuki Asai, Takahiro Miyashita, Hiroyuki Nishinaka

Japanese Journal of Applied Physics 2025年4月1日査読有り最終著者責任著者
Ni/rutile GeO2 vertical Schottky barrier diode on Nb-doped TiO2 substrate using Sb-doped graded Ge y Sn1−y O2 buffer layers

Kazutaka Kanegae, Kazuki Shimazoe, Ichiro Seike, Hiroyuki Nishinaka

Applied Physics Express 2025年4月1日査読有り最終著者責任著者
Film Deposition and Optical Properties of Cu-Based Metal Halide Cs3Cu2(I1–xBrx)5 Alloy via Mist Deposition

Keisuke Watanabe, Kosuke Imai, Hiroyuki Nishinaka

ACS Omega 2025年3月25日最終著者責任著者
Highly conductive Si-doped β-(AlxGa1−x)2O3(010) thin films via mist chemical vapor deposition

Shoma Hosaka, Kazutaka Kanegae, Hiroki Miyake, Hiroyuki Nishinaka

AIP Advances 2025年3月1日最終著者責任著者
Stabilization and Semiconductor Functionality of Metastable δ-Ga2O3: Buffer Layer Engineering for Deep UV Photodetection

Takahiro Kato, Kazuki Shimazoe, Hiroyuki Nishinaka

ACS Applied Electronic Materials 2025年2月25日査読有り最終著者責任著者

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MISC

酸化ニッケルおよび酸化ガリウムスズ薄膜の局所抵抗変化比較

町将太, 三上創太, 吾妻正道, 山田啓文, 木村睦, 河西秀典, 西中浩之, 宮戸祐治

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 86th 2025年
ε-GaFeO₃基板上κ-Ga₂O₃エピタキシャル薄膜の圧電応答力顕微鏡測定

宮戸祐治, 大西晃佑, 山田啓文, 西中浩之

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 85th 2024年
ε-GaFeO₃基板を用いた単一ドメインκ-Ga₂O₃の成長

西中浩之, 上田修, 迫秀樹, 池永訓昭, 宮戸祐治, 蓮池紀幸, 鐘ケ江一孝, 吉本昌広

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 83rd 2022年
ミストCVD法によるn⁺-Si(100)基板上への強誘電体HfO₂薄膜の作製とその電気的特性

田原大祐, 西中浩之, 野田実, 佐藤翔太, 川原村敏幸, 吉本昌広

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年
ミストCVD法によるsapphire基板上α‐Ga₂O₃薄膜の成長

篠原大輔, 西中浩之, 大島考仁, 騎馬啓嗣, 鎌田雄大, 川原村敏幸, 藤田静雄

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 55th(2) 618 2008年3月27日
ミストCVD法による酸化薄膜の成膜

藤田静雄, Nishinaka Hiroyuki, Kiba Keiji

兵庫県立大学工学研究科イオン工学研究室論文集 2008 183-193 2008年
Fine Channel Mist CVD法による単結晶ZnO薄膜の作製(2)

川原村敏幸, 西中浩之, 藤田静雄

応用物理学会学術講演会講演予稿集 68th(1) 565 2007年9月4日
リニアソース方式超音波噴霧CVD法による低温成長ZnO薄膜の作製

西中浩之, 川原村敏幸, 藤田静雄

応用物理学会学術講演会講演予稿集 68th(1) 566 2007年9月4日
金触媒を用いた超音波噴霧CVD法によるZnOナノ構造の成長

西中浩之, 川原村敏幸, 藤田静雄

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 54th(1) 580 2007年3月27日
Fine Channel Mist CVD法による単結晶ZnO薄膜の作製

川原村敏幸, 西中浩之, 増田喜男, 藤田静雄

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 54th(1) 590 2007年3月27日
ファインチャネルミストCVD法によるサファイア基板上ZnO薄膜の作製

川原村敏幸, 西中浩之, 亀谷圭介, 増田喜男, 藤田静雄

応用物理学会学術講演会講演予稿集 67th(1) 488 2006年8月29日
リニアソース方式超音波噴霧CVD法によるGaドープZnO膜の作製

西中浩之, 川原村敏幸, 鎌田雄大, LU J, 増田善男, 藤田静雄

応用物理学会学術講演会講演予稿集 67th(1) 488 2006年8月29日
ミストCVD法によるZn_1-xMg_xO薄膜の作製

鎌田雄大, 川原村敏幸, 西中浩之, 谷垣昌敬, 藤田静雄

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 53rd(1) 575 2006年3月22日
ファインチャネルミストCVD法によるZnO透明薄膜の作製(2)

川原村敏幸, 西中浩之, 亀谷圭介, 増田喜男, 谷垣昌敬, 藤田静雄

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 53rd(1) 574 2006年3月22日
ミストCVD法による各種金属酸化物薄膜の作製

川原村敏幸, 西中浩之, 須磨隆富, 谷垣昌敬, 藤田静雄

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 53rd(2) 677 2006年3月22日
ファインチャネルミストCVD法によるZnO透明薄膜の作製

川原村敏幸, 西中浩之, 亀谷圭介, 増田喜男, 谷垣昌敬, 藤田静雄

応用物理学会学術講演会講演予稿集 66th(1) 451 2005年9月7日
「超音波噴霧熱分解(UMHD‐)CVD法」によるZnO透明薄膜の作製とその特性(2)

川原村敏幸, 西中浩之, 亀谷圭介, 増田喜男, 谷垣昌敬, 藤田静雄

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 52nd(1) 636 2005年3月29日
超音波噴霧熱分解(UMHD‐)CVD法によるZnO透明薄膜の作製とその特性

川原村敏幸, 西中浩之, 亀谷圭介, 増田喜男, 谷垣昌敬, 藤田静雄

応用物理学会学術講演会講演予稿集 65th(1) 452 2004年9月1日

講演・口頭発表等

158

Relationship Between Metal Work Function and Schottky Barrier Height in HVPE-grown β-Ga2O3

E. Hatayama, K. Kanegae, H. Nishinaka

Compound Semiconductor Week 2026 2026年5月
Stabilization of Rutile GeO2 by Graded GexSn1-xO2 Buffer Layers

K. Shimazoe, K. Kanegae, H. Nishinaka, M Kato

Compound Semiconductor Week 2026 2026年5月
ミストCVD法による炭素ドープしたNiOx薄膜のモット転移スイッチングにおける抵抗値の温度依存性

吾妻正道, 宮本翼, 村上優孝

第73回応用物理学春季学術講演会 2026年3月
ミストCVD法によるSiドープβ-(InxGa1-x)2O3薄膜のエピタキシャル成長

齋藤蒼生, 三宅裕樹, 西中浩之

第73回応用物理学春季学術講演会 2026年3月
HVPE成長β-Ga2O3 Schottky接合における障壁高さと金属の仕事関数の相関

幡山英仁, 鐘ケ江一孝, 西中浩之

第73回応用物理学春季学術講演会 2026年3月
(001) r-GeO2エピタキシャル薄膜の光学特性

島添和樹, 石山翔大, 西中浩之, 鐘ケ江一孝, 加藤正史

第73回応用物理学春季学術講演会 2026年3月
酸化ガリウムを活用した次世代パワーデバイスの開発動向と量産化に向けた取り組みおよび結晶多形制御第3部ミストCVDによる酸化ガリウムの結晶多形制御

西中浩之

Andtech社セミナー 2026年1月招待有り
Epitaxial growth of Rutile GeO2 by Mist CVD and its application to Schottky barrier diodes

H. Nishinaka, K. Kanegae, K. Shimazoe, I. Seike

SPIE Photonics West 2026年1月招待有り
ε-GaFeO3基板のオフ角がκ-Ga2O3薄膜の結晶成長に及ぼす影響

杉元実鈴, 加納大成, 上田修, 三浦良雄, 西中浩之

日本材料学会半導体エレクロトニクス部門委員会第2回研究会、ナノ材料部門第1回研究会（合同研究会） 2025年11月
SAWデバイス作製に向けたSi(100)基板上κ-Ga2O3の形成と評価

平井良明, Htet Su Wai, 川原村敏幸, 西中浩之

日本材料学会半導体エレクロトニクス部門委員会第2回研究会、ナノ材料部門第1回研究会（合同研究会） 2025年11月
ミストCVDによるSrTiO3(111)基板上へのκ-Ga2O3/MgOの成膜と深紫外線フォトダイオードへの応用

木下諒人, 西中浩之

日本材料学会半導体エレクロトニクス部門委員会第2回研究会、ナノ材料部門第1回研究会（合同研究会） 2025年11月
HVPE成長β-Ga2O3 Schottky障壁高さの仕事関数依存性

幡山英仁, 鐘ケ江一孝, 西中浩之

日本材料学会半導体エレクロトニクス部門委員会第2回研究会、ナノ材料部門第1回研究会（合同研究会 2025年11月
n 型ルチル構造酸化ゲルマニウムを用いた縦型Schottky障壁ダイオードの作製

鐘ケ江一孝, 島添和樹, 清家一朗, 西中浩之

先進パワー半導体分科会第12回講演会 2025年11月招待有り
Impact of Temperature on Structural and Mechanical Properties of Silicon Carbon Nitride Films by RF-PECVD

T. Kawabe, T. Wydeven, N. Hasuike, H. Nishinaka

46th International Symposium on Dry Process 2025年11月
Orientation Control of α-Fe2O3 Photoanodes for Efficient Solar Energy Conversion

K. Shimazoe, M Kato, H. Nishinaka

2025 MRS Fall Meeting & Exhibit 2025年11月
Tuning the Metal-Insulator Transition and Transmittance of VO2 Thin Films via Nitrogen Doping and Thickness Control

加納大成, 西中浩之

The 44th Electronic Materials Symposium 2025年10月
Controlling Conductivity of β-Ga2O3 thin films by F doping via Mist CVD

清家一朗, 三宅裕樹, 西中浩之

The 44th Electronic Materials Symposium 2025年10月
Thermal stability of δ-Ga2O3 thin films grown on YSZ substrates by mist CVD

齋藤蒼生, 島添和樹, 西中浩

The 44th Electronic Materials Symposium 2025年10月
Growth of LiGa5O8 thin films on MgAl2O4 substrates by mist CVD

髙田勝吾, 西中浩之

The 44th Electronic Materials Symposium 2025年10月
ミストCVD法によるδ-Ga2O3薄膜成長と熱的安定性

齋藤蒼生, 島添和樹, 西中浩之

第86回応用物理学秋季学術講演会 2025年9月

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担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

安定相制御による超低消費電力変換素子に関する研究

科学技術振興機構戦略的な研究開発の推進/創発的研究支援事業 2023年 - 2029年

西中浩之
新奇電子デバイス向けκ-(InxGa1-x)2O3混晶の欠陥及び相分離・組成揺らぎの評価と制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2024年4月 - 2027年3月

上田修, 池永訓昭, 西中浩之
細胞外電子伝達菌と光半導体による高効率人工光合成への挑戦

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 2023年6月 - 2025年3月

西中浩之, 井口博之
強誘電性κ-Ga2O3の超低消費電力パワーデバイスの開拓

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2022年4月 - 2025年3月

西中浩之, 池永訓昭, 蓮池紀幸, 上田修, 宮戸祐治
強誘電性κ-Ga2O3の超低消費電力パワーデバイスの開拓

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2022年4月 - 2025年3月

西中浩之, 上田修, 池永訓昭, 蓮池紀幸, 宮戸祐治
分極制御型超ワイドバンドギャップ半導体デバイスの開拓

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2019年4月 - 2022年3月

西中浩之, 上田修, 池永訓昭, 蓮池紀幸
α-(In1-xAlx)2O3系格子整合ヘテロ接合デバイスの開拓

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 2019年6月 - 2021年3月

西中浩之
3次元構造への高速被膜技術の開発

科学技術振興機構産学が連携した研究開発成果の展開研究成果展開事業研究成果最適展開支援プログラム(A-STEP) 機能検証フェーズ試験研究タイプ 2019年 - 2020年

西中浩之
ミストCVD法によるε-酸化ガリウムヘテロ接合デバイスに関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 2017年4月 - 2019年3月

西中浩之
ビスマス含有狭バンドギャップ半金属半導体混晶の創製とフォトニックデバイスへの応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2016年4月 - 2019年3月

吉本昌広, 西中浩之, 上田大助, 山下兼一, 石田秀俊
ミストCVD法による有機無機ペロブスカイト太陽電池の形成技術に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業研究活動スタート支援 2015年8月 - 2017年3月

西中浩之

産業財産権

特開2023-172996 基体および基体の製造方法

西中浩之, 加藤貴大, 島添和樹
特許第7390654号スイッチング素子の製造方法

永岡達司, 西中浩之, 吉本昌広
特許第7315927号半導体装置とその製造方法

永岡達司, 西中浩之, 吉本昌広
特開2023-096946 成膜装置とその使用方法

永岡達司, 西中浩之, 吉本昌広
特許第7295540号成膜方法、及び、半導体装置の製造方法

永岡達司, 西中浩之, 吉本昌広, 田原大祐
特許第7240673号成膜方法

永岡達司, 西中浩之, 吉本昌広, 駒井宏基
特開2023-027494 成膜装置と半導体装置の製造方法

永岡達司, 西中浩之, 吉本昌広
特許第7228160号ミスト生成装置、成膜装置、及び成膜装置を用いた成膜方法

永岡達司, 西中浩之, 吉本昌広
特許第7216371号酸化物膜の成膜方法、半導体装置の製造方法、及び、酸化物膜の成膜装置

永岡達司, 西中浩之, 吉本昌広
特許第7212890号酸化物膜の成膜方法、半導体装置の製造方法、及び、酸化物膜の成膜装置

永岡達司, 西中浩之, 吉本昌広
特許第7185875号スイッチング素子

永岡達司, 西中浩之, 吉本昌広
特許第7174950号成膜方法

永岡達司, 川井文彰, 西中浩之, 吉本昌広
特許第7141044号膜厚測定方法

永岡達司, 西中浩之, 吉本昌広
特許第7115688号成膜装置及び半導体装置の製造方法

永岡達司, 西中浩之, 吉本昌広, 田原大祐
特開2022-102689 酸化膜を有する製品の製造方法

永岡達司, 西中浩之, 吉本昌広
特許第7093953号半導体装置とその製造方法

永岡達司, 西中浩之, 吉本昌広
特開2022-089583 ウエハ処理装置及びウエハ処理方法

永岡達司, 三宅裕樹, 西中浩之, 梶田優気, 吉本昌広
特開2021-128990 スイッチング素子

永岡達司, 西中浩之, 吉本昌広
特開2021-127262 半導体装置とその製造方法

永岡達司, 西中浩之, 吉本昌広
特開2021-100077 成膜方法

永岡達司, 西中浩之, 吉本昌広, 駒井宏基

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