森伸也 (Nobuya Mori) - マイポータル

基本情報

所属: 大阪大学工学研究科電気電子情報通信工学専攻教授

学位: 工学博士

研究者番号: 70239614
ORCID iD: https://orcid.org/0000-0001-7568-5575
J-GLOBAL ID: 200901090006291217
researchmap会員ID: 1000030731

外部リンク: http://www.si.eei.eng.osaka-u.ac.jp/

研究キーワード

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

経歴

学歴

論文

226

Monte Carlo simulation of edge scattering effects on carrier mobility in turbostratic multilayer graphene

Seyed Ali Mojtahedzadeh, Hajime Tanaka, Nobuya Mori

Japanese Journal of Applied Physics 2025年12月1日
Short-channel effects and TCAD study of hole concentration impact in p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMTs

Hidekazu Umeda, Tetsuzo Ueda, Yusuke Mori, Nobuya Mori

Japanese Journal of Applied Physics 2025年11月1日
Compact empirical tight-binding models for the conduction band of 4H-SiC considering the floating nature of electronic states

Sachika Nagamizo, Hajime Tanaka, Nobuya Mori

Japanese Journal of Applied Physics 2025年8月1日
Acceleration theorem for low-dimensional electron systems with off-diagonal effective-mass components

Nobuya Mori, Hajime Tanaka, Jo Okada

Journal of Applied Physics 2025年6月28日査読有り筆頭著者
Acoustic Phonon Scattering in Free‐Standing Anisotropic Silicon Plates

Nobuya Mori

physica status solidi (b) 2024年12月23日査読有り筆頭著者
Effect of random potential on two-dimensional electronic states

Nobuya Mori

Japanese Journal of Applied Physics 2024年12月10日査読有り筆頭著者
Impact of interface structure on electronic states in 4H-SiC inversion layer

Sachika Nagamizo, Hajime Tanaka, Nobuya Mori

Japanese Journal of Applied Physics 2024年12月4日査読有り
Carrier transport simulations in twisted bilayer and turbostratic multilayer graphene systems

Seyed Ali Mojtahedzadeh, Hajime Tanaka, Nobuya Mori

Japanese Journal of Applied Physics 63(5) 05SP09-05SP09 2024年5月1日査読有り
Modeling and Simulation of Carrier Transport Properties in 4H-SiC

Hajime Tanaka, Nobuya Mori

2024 International VLSI Symposium on Technology, Systems and Applications (VLSI TSA) 2024年4月22日招待有り
Theoretical study on high-field carrier transport and impact ionization coefficients in 4H-SiC

Hajime Tanaka, Tsunenobu Kimoto, Nobuya Mori

Materials Science in Semiconductor Processing 173 108126-108126 2024年4月査読有り
Monte Carlo simulation of mobility enhancement in multilayer graphene with turbostratic structure

Seyed Ali Mojtahedzadeh, Hajime Tanaka, Nobuya Mori

Japanese Journal of Applied Physics 63(3) 031004-031004 2024年3月1日査読有り
Statistical model of electronic structure in InAs, InP, GaSb, and Si quantum dots with surface roughness

Jin Hyong Lim, Nobuya Mori

Japanese Journal of Applied Physics 2024年2月29日査読有り責任著者
Analysis of tunneling probability in heavily doped 4H-SiC Schottky barrier diodes based on complex band structure considering barrier potential

Yutoku Murakami, Sachika Nagamizo, Hajime Tanaka, Nobuya Mori

Japanese Journal of Applied Physics 2024年1月23日査読有り
Theoretical analysis of electron scattering by step-terrace structures at SiC metal-oxide-semiconductor interface

Keisuke Utsumi, Hajime Tanaka, Nobuya Mori

Japanese Journal of Applied Physics 2023年12月25日査読有り
Wannier-Stark localization of electronic states in 4H-SiC MOS inversion layer

Sachika Nagamizo, Hajime Tanaka, Nobuya Mori

Japanese Journal of Applied Physics 2023年12月25日査読有り
Full-band Monte Carlo analysis of strain effects on carrier transport in GaN

Wataru Miyazaki, Hajime Tanaka, Nobuya Mori

Japanese Journal of Applied Physics 2023年11月27日査読有り
RSDFT-NEGF transport simulations in realistic nanoscale transistors

Gennady Mil’nikov, Jun-ichi Iwata, Nobuya Mori, Atsushi Oshiyama

Journal of Computational Electronics 2023年10月査読有り責任著者
Numerical calculation method for the mean free path of single-mode semiconductor nanosheets with surface roughness

Jo Okada, Hajime Tanaka, Nobuya Mori

Applied Physics Express 16(9) 091003-091003 2023年9月1日査読有り
Effects of hydrogen radical treatment on piezoresistance coefficients of germanium

Kazunori Matsuda, Masashi Yamamoto, Michio Mikawa, Shiro Nagaoka, Nobuya Mori, Kazuo Tsutsui

Applied Physics Express 16(4) 041003-041003 2023年4月1日査読有り
Tight-binding analysis of the effect of strain on the band structure of GaN

Wataru Miyazaki, Hajime Tanaka, Nobuya Mori

Japanese Journal of Applied Physics 62(SC) SC1076-SC1076 2023年2月24日査読有り

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MISC

SiGeナノ構造バルクにおける熱分布を利用した熱電出力因子の増大

坂根駿也, 石部貴史, 藤田武志, 池内賢朗, 鎌倉良成, 森伸也, 中村芳明

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th ROMBUNNO.9p‐W371‐8 2019年2月25日
招待講演 4H-SiC MOS反転層における電子輸送のモデリング (シリコン材料・デバイス)

田中一, 森伸也

118(291) 35-40 2018年11月8日
Au添加SiGeバルク熱電材料の構造とその高出力因子

坂根駿也, 柏野真人, 渡辺健太郎, 鎌倉良成, 鎌倉良成, 森伸也, 森伸也, 藤田武志, 藤田武志, 中村芳明 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.21a‐438‐7 2018年9月5日
集積量子デバイス領域

森伸也

Techno net : 大阪大学工業会誌 (569) 3-6 2015年7月
モンテカルロ法を用いたSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数の抽出 (シリコン材料・デバイス)

土屋英昭, 石田良馬, 鎌倉良成, 森伸也, 宇野重康, 小川真人

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(291) 53-58 2014年11月6日
ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細Ⅲ-Ⅴ MOSFETの量子輸送解析 (シリコン材料・デバイス)

大森正規, 木場隼介, 前川容佑, 土屋英昭, 鎌倉良成, 森伸也, 小川真人

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(296) 65-70 2013年11月14日
Discrete Dopant Effects on Threshold Voltage Variation in Double-Gate and Gate-All-Around Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors

Nobuya Mori, Yoshinari Kamakura, Genaddy Mil'nikov, Hideki Minari

TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS 470 218-223 2011年
Impact of Self-Heating Effect on the Electrical Characteristics of Nanoscale Devices

Yoshinari Kamakura, Tomofumi Zushi, Takanobu Watanabe, Nobuya Mori, Kenji Taniguchi

TECHNOLOGY EVOLUTION FOR SILICON NANO-ELECTRONICS 470 14-+ 2011年
Numerical Simulation of Electron Motion in Graphene with Vacancies

2010年
Modulated Phonon Scattering in Graphene Nano-ribbons

2010年
ナノシリコンの最新技術と応用展開

シーエムシー出版 2010年
Discrete dopant effects on threshold voltage variation in double-gate and gate-all-around metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors

2010年
Impact of self-heating effect on the electrical characteristics of nanoscale devices

2010年
Ellipsoidal Band Structure Effects on Maximum Ballistic Current in Silicon Nanowires

2010年
Simplified Method of Electron Subband Profile Calculation in Ballistic Gate-All-Around MOSFET

2010年
Developing nanosilicon technologgy and device applications

2010年
次世代MOS型デバイスの量子輸送シミュレーション

森伸也, 三成英樹

応用物理 Vol. 78, No. 6, pp. 540-54(6) 540-543 2009年
Coarse-Grain 3D Quantum Simulations of Nanoscale MOSFET

MIL'NIKOV Gennady, MORI Nobuya, KAMAKURA Yoshinari, EZAKI Tatsuya

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2007 50-51 2007年9月19日
21pTG-10 超強磁場サイクロトロン共鳴を用いたInGaAs/AlAs超格子のΓ-Xクロスオーバ現象解析(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)

百瀬英毅, 岡井宏樹, 森藤正人, 森伸也, 近藤正彦, 嶽山正二郎

日本物理学会講演概要集 62(2) 682-682 2007年8月21日
Significant Reduction of Phonon Scattering Potential in 1D Si Quantum Dot Array Interconnected with Thin Oxide Layers

UNO Shigeyasu, MORI Nobuya, NAKAZATO Kazuo, KOSHIDA Nobuyoshi, MIZUTA Hiroshi

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2004 116-117 2004年9月15日

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書籍等出版物

電子物性 ─電子デバイスの基礎─

浜口智尋, 森伸也 (担当:共著)

朝倉書店 2014年3月 (ISBN: 9784254221602)
Nonequilibrium Green's function method applied to Landau-quantized superlattices

Institute of Physics Conference Series 2002年
Cyclotron resonance in InGaAs/AlAs superlattices under pulsed high magnetic fields

Institute of Physics Conference Series 2002年
Phonon cycling in GaAs/AlAs superlattices

Institute of Physics Conference Series 2002年
メゾスコピック現象の基礎:表面超格子

オーム社 1994年
Basic Pheomena of Mesoscopic Structures : Lateral Superlattices

1994年

講演・口頭発表等

直接遷移型半導体におけるバンド間トンネルシミュレーションの高速化

岡田丈, 橋本風渡, 森伸也

応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
ゲルマニウムにおけるバンド間トンネル電流のNEGFシミュレーション

橋本風渡, 森伸也

応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
極微細半導体デバイスの量子輸送シミュレーション

森伸也

第11回材料系ワークショップ 2021年2月10日招待有り
Monte Carlo simulation of two-dimensional carrier mobility in wide-gap semiconductor devices

N. Mori, H. Tanaka, T. Hoshino, G. Mil'nikov

International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 2021年1月20日招待有り
経験的擬ポテンシャル法を用いた4H-SiCにおける浮遊電子状態の計算

永溝幸周, 田中一, 森伸也

先進パワー半導体分科会第7回講演会 2020年12月10日
ファンデルワールスヘテロ構造におけるバンド間トンネルのNEGFシミュレーション

森伸也, 橋本風渡, 三島嵩也, 田中一

シリコン材料・デバイス研究会 2020年11月20日招待有り
第一原理バンド計算を基盤とした原子層チャネルトンネルトランジスタのTCADシミュレーション

浅井栄大, 黒田龍哉, 福田浩一, 服部淳一, 池上努, 森伸也

シリコン材料・デバイス研究会 2020年11月20日招待有り
A model of dark current mechanism in barrier infrared photodetectors

Yen Le Thi, Yoshinari Kamakura, Nobuya Mori

シリコン材料・デバイス研究会 2020年11月19日
Comparative simulation study of intra-layer band-to-band tunneling in monolayer transition metal dichalcogenides

F. Hashimoto, N. Mori

2020 International Conference on Solid State Devices and Materials 2020年9月29日
Reduction of order of device hamiltonian with adaptive moment estimation

J. Okada, F. Hashimoto, N. Mori

2020 International Conference on Solid State Devices and Materials 2020年9月29日
The RSDFT-EM representation and first principle transport simulations of realistic field-Effect transistors

G. Mil'nikov, N. Mori, J. Iwata, A. Oshiyama

International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2020 2020年9月23日招待有り
TCAD simulation for transition metal dichalcogenide channel Tunnel FETs consistent with abinitio based NEGF calculation

H. Asai, T. Kuroda, K. Fukuda, J. Hattori, T. Ikegami, N. Mori

International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2020 2020年9月23日
適応モーメント推定を利用した量子輸送シミュレーションの高速化

岡田丈, 橋本風渡, 森伸也

応用物理学会秋季学術講演会 2020年9月11日
TMDCナノリボンにおけるバンド間トンネル電流のNEGF解析

橋本風渡, 森伸也

応用物理学会秋季学術講演会 2020年9月11日
衝突イオン化係数のバンド構造に対する依存性の理論的解析

田中一, 木本恒暢, 森伸也

応用物理学会秋季学術講演会 2020年9月10日
界面制御した透明 ZnO 薄膜における熱電出力因子増大

石部貴史, 留田純希, 渡辺健太郎, 鎌倉良成, 森伸也, 成瀬延康, 目良裕, 山下雄一郎, 中村芳明

応用物理学会秋季学術講演会 2020年9月8日招待有り
Coupled electron-phonon transport simulation of 1D nanostructures

Y. Kajiwara, N. Mori

International Symposium on Hybrid Quantum Systems 2017 2017年10月
Ballistic electron transport in coupled graphene nanoribbons

F. Hashimoto, N. Mori

International Symposium on Hybrid Quantum Systems 2017 2017年10月
Effects of boundary condition on phonon transport in two-dimensional harmonic lattice

A. Ueno, N. Mori

International Symposium on Hybrid Quantum Systems 2017 2017年10月
Analysis of type-II InAs/GaSb superlattice mid-wavelength infrared p-i-n photodetector using device simulation

Y. L. Thi, Y. Kamakura, T. G. Etoh, N. Mori

Proceedings of the 7th International Conference on Integrated Circuits, Design, and Verification 2017年10月

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所属学協会

Works(作品等)

共同研究・競争的資金等の研究課題

２次元物質ヘテロ構造の電子・フォノン連成シミュレーション

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2020年4月 - 2025年3月

森伸也
フォノン・電子輸送制御したDirac電子超格子の創製とSi系熱電デバイス開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2019年4月 - 2024年3月

中村芳明, 黒澤昌志, 森伸也, 藤田武志, 澤野憲太郎
新ヘテロナノ構造を用いたフォノン・キャリア波動制御に基く高性能Si熱電材料の創製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2016年4月 - 2020年3月

中村芳明, 森伸也, 藤田武志, 澤野憲太郎
ハイブリッド量子科学の理論的研究

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 新学術領域研究(研究領域提案型) 2015年6月 - 2020年3月

根本香絵, 江藤幹雄, 松崎雄一郎, 森伸也
ナノ結晶シリコン列における準弾道輸送現象の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2010年 - 2012年

森伸也
ナノスケールデバイスの過渡的電気・熱連成シミュレーション技術の開発とその応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2010年 - 2012年

鎌倉良成, 森伸也, 渡邊孝信
再現性に優れるGaInNAs結晶技術の確立および長波長半導体レーザへの適用

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 2006年 - 2010年

近藤正彦, 藤原康文, 森伸也, 百瀬英毅, 石川史太郎, 森藤正人
ナノデバイスにおける揺らぎの影響に関する量子論的研究

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 2008年 - 2009年

森伸也
ナノスケール構造での電子音響フォノン相互作用エンジニアリングの開拓

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 若手研究(B) 2008年 - 2009年

宇野重康, 森伸也
傾斜磁場下におかれた半導体超格子の量子輸送現象

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2005年 - 2007年

森伸也
半導体ナノ構造の物理的基礎とその応用

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 1999年 - 2004年

荒川泰彦, 三浦登, 濱口智尋, 三浦登, 冷水佐尋, 難波進, 池上徹彦, 荒川泰彦, 森伸也
半導体超格子における縦磁気フォノン共鳴に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2001年 - 2002年

森伸也, EAVES Laurence, 森藤正人
ワニエ・シュタルク状態を介した共鳴トンネリングに関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 1998年 - 1999年

浜口智尋, 百瀬英毅, 森藤正人, 森伸也
量子ドットにおけるフォノン放出過程の加速に関する理論的研究

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽的研究萌芽的研究 1998年 - 1999年

森伸也
微細半導体デバイスにおける量子状態の形成条件に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽的研究萌芽的研究 1998年 - 1999年

森藤正人, 百瀬英毅, 森伸也
不純物・フォノンを介したトンネル過程に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究(A) 特定領域研究(A) 1998年 - 1998年

森伸也, 百瀬英毅, 森藤正人, 濱口智尋
不純物・フォノンを介したトンネル過程に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業重点領域研究重点領域研究 1997年 - 1997年

森伸也, 百瀬英毅, 森藤正人, 濱口智尋
半導体ナノ構造の作製,測定,モデル化に関する共同研究

日本学術振興会科学研究費助成事業国際学術研究国際学術研究 1996年 - 1997年

浜口智尋, EAVES Lauren, 森藤正人, 森伸也, 谷口研二, 三浦登, HENINI Moham, BETON Peter, MAIN Peter
微細共鳴トンネル素子を用いた波動関数測定に関する理論的研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 1996年 - 1997年

森伸也, 百瀬英毅, 森藤正人, 濱口智尋
数電子デバイスにおける不純物を介したトンネル電流に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業重点領域研究重点領域研究 1996年 - 1996年

森伸也, 百瀬英毅, 森藤正人, 濱口智尋

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森伸也

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研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

論文

MISC

書籍等出版物

講演・口頭発表等

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共同研究・競争的資金等の研究課題

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