宮田典幸 (Miyata Noriyuki) - マイポータル

基本情報

J-GLOBAL ID: 201801013717882329
researchmap会員ID: B000327291

論文

125

Photonic Matrix-Vector Multiplication with Low-Insertion-Loss and Non-Volatile Ge<inf>2</inf>Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf>S<inf>2</inf> Intensity Modulators

Yuto Miyatake, Rui Tang, Kotaro Makino, Junji Tominaga, Noriyuki Miyata, Makoto Okano, Kasidit Toprasertpong, Shinichi Takagi, Mitsuru Takenaka

Journal of Lightwave Technology 42(12) 4347-4354 2024年
Exploring thermally stable metal-oxide/SiO₂ stack for metal oxide semiconductor memory and demonstration of pulse controlled linear response

Shutaro Asanuma, Kyoko Sumita, Yusuke Miyaguchi, Kazumasa Horita, Takeshi Masuda, Takehito Jimbo, Noriyuki Miyata

Applied Physics Express 16(6) 061005-061005 2023年6月1日査読有り
Proposal of Low-Loss Non-Volatile Mid-Infrared Optical Phase Shifter Based on Ge₂Sb₂Te₃S₂

Yuto Miyatake, Kotaro Makino, Junji Tominaga, Noriyuki Miyata, Takashi Nakano, Makoto Okano, Kasidit Toprasertpong, Shinichi Takagi, Mitsuru Takenaka

IEEE Transactions on Electron Devices 70(4) 2106-2112 2023年4月
Non-volatile compact optical phase shifter based on Ge₂Sb₂Te₅ operating at 2.3 µm

Yuto Miyatake, Chong Pei Ho, Prakash Pitchappa, Ranjan Singh, Kotaro Makino, Junji Tominaga, Noriyuki Miyata, Takashi Nakano, Kasidit Toprasertpong, Shinichi Takagi …

Optical Materials Express 12(12) 4582-4582 2022年11月
Record-low Loss Non-volatile Mid-infrared PCM Optical Phase Shifter based on Ge<inf>2</inf>Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf>S<inf>2</inf>

Yuto Miyatake, Kotaro Makino, Junji Tominaga, Noriyuki Miyata, Takashi Nakano, Makoto Okano, Kasidit Toprasertpong, Shinich Takagi, Mitsuru Takenaka

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 2022-December 1911-1914 2022年
Electrically induced change in HfO2/1-monolayer TiO2/SiO2 metal-oxide-semiconductor stacks: capacitance–voltage and hard X-ray photoelectron spectroscopy studies

Noriyuki Miyata, Kyoko Sumita, Akira Yasui, Ryousuke Sano, Reito Wada, Hiroshi Nohira

Applied Physics Express 14(7) 071005-071005 2021年7月1日査読有り
Thermal stability of interface dipole modulation in atomic layer-deposited HfO2/SiO2 multi-stack structures

Shutaro Asanuma, Kyoko Sumita, Yusuke Miyaguchi, Kazumasa Horita, Takehito Jimbo, Kazuya Saito, Noriyuki Miyata

AIP Advances 10(8) 085114-085114 2020年8月1日査読有り最終著者
Topologically protected spin diffusion and spin generator using chalcogenide superlattices

Junji Tominaga, Noriyuki Miyata, Satoshi Sumi, Hiroyuki Awano, Shuichi Murakami

NPJ 2D MATERIALS AND APPLICATIONS 4(1) 2020年7月
Effects of electric and magnetic fields on the resistive switching operation of iPCM

K. V. Mitrofanov, Y. Saito, N. Miyata, P. Fons, A. V. Kolobov, J. Tominaga

Applied Physics Letters 116(20) 2020年5月18日
バイアス印加硬X線光電子分光法によるHfO₂/SiO₂界面ダイポール変調の評価

野平博司, 和⽥励虎, 保井晃, 宮田典幸

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.2 3026-3026 2019年9月4日
High‐Speed Bipolar Switching of Sputtered Ge–Te/Sb–Te Superlattice iPCM with Enhanced Cyclability

physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters 13(8) 2019年査読有り
Low temperature preparation of HfO2/SiO2 stack structure for interface dipole modulation

Miyata Noriyuki

Applied Physics Letters 113(25) 251601-1-251601-5 2018年12月査読有り
Electric-field-controlled interface dipole modulation for Si-based memory devices

Noriyuki Miyata

Scientific Reports 8(1) 2018年12月1日査読有り
Resistive switching characteristics of interfacial phase-change memory at elevated temperature

Kirill V. Mitrofanov, Yuta Saito, Noriyuki Miyata, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Junji Tominaga

Japanese Journal of Applied Physics 57(4) 2018年4月査読有り
Sputter growth of chalcogenide superlattice films for future phase change memory applications

Yuta Saito, Kirill V. Mitrofanov, Kotaro Makino, Noriyuki Miyata, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Junji Tominaga

ECS Transactions 86(3) 49-54 2018年査読有り
A Magnetoresistance Induced by a Nonzero Berry Phase in GeTe/Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf> Chalcogenide Superlattices

Junji Tominaga, Yuta Saito, Kirill Mitrofanov, Nobuki Inoue, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Hisao Nakamura, Noriyuki Miyata

Advanced Functional Materials 27(40) 2017年10月26日査読有り
Compact model of ferroelectric-gate field-effect transistor for circuit simulation based on multidomain Landau-Kalathnikov theory

Hidehiro Asai, Koichi Fukuda, Junichi Hattori, Hanpei Koike, Noriyuki Miyata, Mitsue Takahashi, Shigeki Sakai

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(4) 2017年4月査読有り
A two-step process for growth of highly oriented Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf> using sputtering

Yuta Saito, Paul Fons, Leonid Bolotov, Noriyuki Miyata, Alexander V. Kolobov, Junji Tominaga

AIP Advances 6(4) 2016年4月査読有り
Study of gate leakage current paths in p-channel tunnel field-effect transistor by current separation measurement and device simulation

Takahiro Mori, Koichi Fukuda, Noriyuki Miyata, Yukinori Morita, Shinji Migita, Wataru Mizubayashi, Meishoku Masahara, Tetsuji Yasuda, Hiroyuki Ota

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(3) 2015年3月査読有り
Wafer-scale layer transfer of GaAs and Ge onto Si wafers using patterned epitaxial lift-off

Eiko Mieda, Tatsuro Maeda, Noriyuki Miyata, Tetsuji Yasuda, Yuichi Kurashima, Atsuhiko Maeda, Hideki Takagi, Takeshi Aoki, Taketsugu Yamamoto, Osamu Ichikawa …

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(3) 2015年3月査読有り

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MISC

137

HAXPESによる界面ダイポール変調機構の解明

桐原芳治, 和田励虎, 辻口良太, 保井晃, 宮田典幸, 野平博司

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
HAXPESによる界面ダイポール変調発生の確認

桐原芳治, 辻口良太, 保井晃, 宮田典幸, 野平博司

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
招待講演 HfO₂/SiO₂ MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作—シリコン材料・デバイス

宮田典幸, 奈良純, 山崎隆浩, 住田杏子, 佐野良介, 野平博司

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 118(429) 27-30 2019年1月29日
Interface Dipole Modulation in HfO <inf>2</inf> /SiO <inf>2</inf> MOS Stack Structures

Noriyuki Miyata, Jun Nara, Takahiro Yamasaki, Kyoko Sumita, Ryousuke Sano, Hiroshi Nohira

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 2018-December 7.6.1-7.6.4 2019年1月16日
HfO₂/SiO₂ MOS積層構造中の界面ダイポール変調動作

宮田典幸, 奈良純, 山崎隆浩, 住田杏子, 佐野良介, 野平博司

電子情報通信学会技術研究報告 118(429(SDM2018 81-90)) 2019年
バイアス印加硬X線光電子分光法によるHfO₂/SiO₂界面ダイポール変調の評価

野平博司, 和田励虎, 保井晃, 宮田典幸

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 80th 2019年
Resistive switching characteristics of interfacial phase-change memory at elevated temperature

Kirill V. Mitrofanov, Yuta Saito, Noriyuki Miyata, Paul Fons, Alexander V. Kolobov, Junji Tominaga

Japanese Journal of Applied Physics 57(4) 04FE06.1‐04FE06.4 2018年4月
Resistive switching characteristics of interfacial phase-change memory at elevated temperature

Mitrofanov Kirill, Saito Yuta, Miyata Noriyuki, Fons Paul, Kolobov Alexander, Tominaga Junji

Jpn. J. Appl. Phys. 57(4) 2018年3月7日
酸化物界面ダイポールを用いた新規メモリの提案

宮田典幸

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th ROMBUNNO.18p‐P7‐3 2018年3月5日
Switching effects in iPCM beyond standard operation

MITROFANOV Kirill V, SAITO Yuta, MIYATA Noriyuki, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V, TOMINAGA Junji

Proceedings of the Symposium on Phase Change Oriented Science 30th 18‐20 2018年
Compact model of ferroelectric-gate field-effect transistor for circuit simulation based on multidomain Landau-Kalathnikov theory

Hidehiro Asai, Koichi Fukuda, Junichi Hattori, Hanpei Koike, Noriyuki Miyata, Mitsue Takahashi, Shigeki Sakai

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(4) 04CE07.1‐04CE07.4 2017年4月
スパッタ法による不揮発性メモリ用高配向相変化材料薄膜の成膜技術の開発

齊藤雄太, 宮田典幸, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V, 富永淳二

日本金属学会講演概要(CD-ROM) 159th ROMBUNNO.S3.20 2016年9月7日
スパッタ法による不揮発性メモリ用高配向相変化材料薄膜の成膜技術の開発

齊藤雄太, 宮田典幸, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V., 富永淳二

日本金属学会講演概要(CD-ROM) 159th 2016年
Physical properties of sputter grown Bi-Te and GeTe/Bi-Te superlattice films

SAITO Yuta, MITROFANOV Kirill, MAKINO Kotaro, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V, MIYATA Noriyuki, TOMINAGA Junji

Proceedings of the Symposium on Phase Change Oriented Science 28th 50‐51 2016年
等電子トラップ技術によるシリコンTFETのオン電流増大

森貴洋, 森田行則, 水林亘, 福田浩一, 右田真司, 宮田典幸, 昌原明植, 安田哲二, 太田裕之

電子情報通信学会大会講演論文集(CD-ROM) 2015 ROMBUNNO.CI-4-2 2015年2月24日
CI-4-2 等電子トラップ技術によるシリコンTFETのオン電流増大(CI-4.低消費電力スティープスロープFET技術の現状と展望,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)

森貴洋, 森田行則, 水林亘, 福田浩一, 右田真司, 宮田典幸, 昌原明植, 安田哲二, 太田裕之

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2015(2) "SS-90"-"SS-91" 2015年2月24日
Si(111)上でのGaSbヘテロエピタキシーとHfO₂/GaSb MOSキャパシタの作製

大竹晃浩, 間野高明, 宮田典幸, 森貴洋, 安田哲二

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th ROMBUNNO.19P-PB5-14 2014年9月1日
等電子トラップ援用TFETにおけるSubthreshold Slopeの温度依存性

森貴洋, 森田行則, 宮田典幸, 右田真司, 福田浩一, 昌原明植, 安田哲二, 太田裕之

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th ROMBUNNO.17A-PA3-1 2014年9月1日
Si(001)上のGaSbナノコンタクトヘテロエピ成長とHfO₂/GaSb MOS特性

宮田典幸, 大竹晃浩, 市川昌和, 森貴洋, 安田哲二

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th ROMBUNNO.20A-PA3-7 2014年9月1日
招待講演急峻スイッチング素子の研究動向とTFETにおけるオン電流向上策 (集積回路)

森貴洋, 森田行則, 右田真司, 水林亘, 福田浩一, 宮田典幸, 安田哲二, 昌原明植, 太田裕之

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(175) 29-34 2014年8月4日

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共同研究・競争的資金等の研究課題

界面ダイポール変調の抵抗変化型メモリ応用とスイッチング機構の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2019年4月 - 2022年3月

宮田典幸, 野平博司
多層界面ダイポール変調不揮発メモリの酸化膜界面構造最適化とアナログ動作モデリング

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2016年4月 - 2019年3月

宮田典幸, 野平博司, 奈良純, 山崎隆浩, 住田杏子
Ⅲ‐Ⅴ族ｐチャネルＭＯＳＦＥＴのための価電子帯エンジニアリングと界面双極子制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2012年4月 - 2015年3月

安田哲二, 前田辰郎, 宮田典幸, 大竹晃浩, 奈良純, 藤代博記, 市川昌和, 田中正俊
金属酸化物の表面反応性を利用したグラフェンの創成

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2011年4月 - 2012年3月

宮田典幸
革新的ゲルマニウム光電子融合素子の実証とそのシミュレーション技術開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2009年 - 2012年

白木靖寛, 丸泉琢也, 野平博司, 澤野憲太郎, 瀬戸謙修, 徐学俊, 夏金松, 中川清和, 松井敏明, 宮田典幸, 宇佐美徳隆
金属酸化膜/半導体界面におけるダイポール発生機構の解明と制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2007年 - 2008年

宮田典幸, 野平博司, 阿部泰宏

産業財産権

特許第6153224号表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/Si(111)構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイスおよび赤外線検出デバイス

大竹晃浩, 間野高明, 宮田典幸, 安田哲二
特許第6145756号不揮発性記憶素子

宮田典幸
特許第5599089号半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法

秦雅彦, 福原昇, 山田永, 高木信一, 杉山正和, 竹中充, 安田哲二, 宮田典幸, 板谷太郎, 石井裕之, 大竹晃浩, 奈良純
特開2013-004545 半導体基板の製造方法および半導体基板

秦雅彦, 市川磨, 卜部友二, 宮田典幸, 前田辰郎, 安田哲二
特開2011-077516 電界効果トランジスタ、半導体基板及び電界効果トランジスタの製造方法

秦雅彦, 山田永, 福原昇, 高木信一, 竹中充, 横山正史, 安田哲二, ト部友二, 宮田典幸, 板谷太郎, 石井裕之
特開2008-034563 MIS型半導体装置

宮田典幸
WO2004-073072 MIS型半導体装置およびMIS型半導体装置の製造方法

宮田典幸, クンドゥマニシャ
特開平11-176828 シリコン酸化膜の形成方法

宮田典幸, 市川昌和, 渡部平司
特開平10-123028 真空装置の汚染検出方法

宮田典幸
特開平9-199382 半導体基板の保管方法及び保管装置

宮田典幸
特開平8-233746 表面汚染評価装置及び表面汚染評価方法

宮田典幸
特開平7-094462 パーティクル除去方法

中村誠, 佐藤泰久, 宮田典幸
特開平6-232103 洗浄方法

岸井貞浩, 堀江博, 佐藤泰久, 宮田典幸
特開平5-175182 ウェーハ洗浄方法

宮田典幸
特開平5-074750 半導体基板の清浄化方法

宮田典幸
特開平5-021357 半導体装置の製造方法

宮田典幸

宮田典幸

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