MISC

2015年5月28日

表面窒化を用いたGaAsN混晶のN組成制御 (シリコン材料・デバイス)

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
  • 浦上 法之
  • ,
  • 山根 啓輔
  • ,
  • 関口 寛人

115
65
開始ページ
21
終了ページ
26
記述言語
日本語
掲載種別
出版者・発行元
電子情報通信学会

リンク情報
CiNii Articles
http://ci.nii.ac.jp/naid/40020491991
CiNii Books
http://ci.nii.ac.jp/ncid/AN10013254
URL
http://id.ndl.go.jp/bib/026493131

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