大石敏之 (Toshiyuki Oishi) - マイポータル

基本情報

所属: 佐賀大学理工学部教授

学位: 博士(工学)(名古屋大学)

J-GLOBAL ID: 201801011638920964
researchmap会員ID: B000315733

外部リンク: http://www.ee.saga-u.ac.jp/sedlab/index.htm

現在実施している研究テーマ

・GaNトランジスタに関する研究開発
・ウルトラワイドバンドギャップ半導体の材料物性、電子デバイスの研究
・ワイドバンドギャップ半導体を用いた高周波高出力電子デバイスの研究
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これまでの研究テーマ
・InP系化合物半導体の光，電子デバイスの研究開発
・集積回路用Si MOSFETの微細化に関する研究開発
・高温超電導体プロセスの研究開発

研究キーワード

研究分野

経歴

2014年3月 - 現在

佐賀大学, 理工学部電気電子工学部門
1986年4月 - 2014年3月

三菱電機株式会社

学歴

1984年4月 - 1986年3月

京都大学, 工学研究科, 電気工学専攻修士課程
1980年4月 - 1984年3月

京都大学, 工学部, 電気工学

主要な論文

287

Quasi-Physical Equivalent Circuit Model of RF Leakage Current in Substrate Including Temperature Dependence for GaN-HEMT on Si

Yutaro Yamaguchi, Toshiyuki Oishi

IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 71(5) 1945-1956 2023年5月査読有り
Drain-bias dependence of low-frequency Y22 signals for Fe-related GaN traps in GaN HEMTs with different Fe doping concentrations

Taiki Nishida, Toshiyuki Oishi, Tomohiro Otsuka, Yutaro Yamaguchi, Masaomi Tsuru, Koji Yamanaka

Solid-State Electronics 201 108589-108589 2023年1月査読有り
トラップの非線形容量への影響を考慮したGaN-HEMT大信号コンパクトモデル

山口裕太郎, 大塚友絢, 山中宏治, 大石敏之

電子情報通信学会論文誌C J104-C(12) 343-351 2021年12月査読有り招待有り
A simulation study of the impact of traps in the GaN substrate on the electrical characteristics of an AlGaN/GaN HEMT with a thin channel layer

Toshiyuki Oishi, Kaito Ito

Journal of Computational Electronics 20(6) 2441-2455 2021年10月26日筆頭著者
Bias Dependence Model of Peak Frequency of GaN Trap in GaN HEMTs Using Low-Frequency Y₂₂ Parameters

Toshiyuki Oishi, Tomohiro Otsuka, Masaya Tabuchi, Yutaro Yamaguchi, Shintaro Shinjo, Koji Yamanaka

IEEE Transactions on Electron Devices 68 5565-5571 2021年査読有り筆頭著者
Microwave Power Rectification Using $\beta$ -Ga2O3 Schottky Barrier Diodes

Toshiyuki Oishi, Kosuke Urata, Makoto Hashikawa, Kosuke Ajiro, Takayoshi Oshima

IEEE Electron Device Letters 1 2019年9月査読有り筆頭著者

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MISC

GaN HEMTの小信号等価回路解析による深い準位の評価—Evaluation of deep level by small signal equivalent circuit analysis of GaN HEMT—放送技術

西村匠史, 田渕将也, 山口裕太郎, 大塚友絢, 新庄真太郎, 山中宏治, 大石敏之

映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report 45(1) 5-8 2021年1月
GaN HEMTにおけるバッファトラップからの低周波Yパラメータを再現するトラップ回路の検討

西村匠史, 田淵将也, 山口裕太郎, 大塚友絢, 新庄真太郎, 大石敏之

電気関係学会九州支部連合大会講演論文集 2020 337-337 2020年9月18日
超高感度エミッション顕微鏡によるEFG成長β型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの漏れ電流の起源の同定

嘉数誠, スダーンセイリープ, 佐々木公平, 大石敏之, 川崎克己, 平林潤, 倉又朗人

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2020.2 2362-2362 2020年8月26日
β-Ga₂O₃ SBDを利用したRF-DC変換回路における負荷抵抗と電極面積依存性—Load resistance and area dependence in β-Ga₂O₃ diode RF-DC converter circuit—レーザ・量子エレクトロニクス

橋川誠, 浦田幸佑, 竹ノ畑拓海, 大石敏之, 大島孝仁

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 119(304) 25-28 2019年11月
NO₂ホールドーピング水素終端ダイヤモンドMOS FETのDCストレス評価 (電子デバイス)

石松裕真, 舟木浩祐, 桝谷聡士, 宮崎恭輔, 大島孝仁, 嘉数誠, 大石敏之

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(331) 69-72 2017年11月30日
研究室紹介「ワイドバンドギャップ半導体を用いた高周波電子デバイスの高性能化を目指して」

大石敏之

電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティニュースレター 166 2017年7月
AlGaN/GaN HEMTの電気的特性に対する保護膜残留応力依存性 : TCADシミュレーションによる検討 (電子デバイス)

大石敏之, 山口裕太郎, 山中宏治

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(431) 63-68 2017年1月26日
Si基板上GaNHEMTの基板中RFリーク電流の温度特性を考慮した物理モデル (電子デバイス)

山口裕太郎, 新庄真太郎, 山中宏治, 大石敏之

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(431) 57-62 2017年1月26日
基板中RFリーク電流の温度依存性を考慮したSi基板上GaNHEMTの半物理大信号モデル (マイクロ波)

山口裕太郎, 新庄真太郎, 山中宏治, 大石敏之

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(310) 33-38 2016年11月17日
ダイヤモンド素子を用いたレクテナの理論的検討と動作実証 (第8回集積化MEMSシンポジウム)

大石敏之, 河野直士, 嘉数誠

「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム論文集電気学会センサ・マイクロマシン部門 [編] 33 1-4 2016年10月2日
ダイヤモンドショットキーバリアダイオードによるレクテナ回路の作製 (シリコン材料・デバイス)

河野直士, 嘉数誠, 大石敏之

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(50) 25-28 2016年5月19日
C-10-5 Si基板中キャリアの温度特性を考慮したGaN-on-Siのモデリング(C-10.電子デバイス/シリコン材料・デバイス,一般セッション)

山口裕太郎, 新庄真太郎, 半谷政毅, 山中宏治, 大石敏之

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2016(2) 62-62 2016年3月1日
依頼講演等価回路モデルを利用したレクテナRF-DC変換効率計算 : 大電力RFデバイスに適した半導体材料の検討 (電子デバイス)

大石敏之, 嘉数誠

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115(402) 25-29 2016年1月20日
CT-1-7 将来が期待される萌芽的デバイス : さらなる高出力高周波化に向けて(CT-1.マイクロ波/ミリ波帯電力増幅器の基礎、応用、今後の展望,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)

大石敏之, 嘉数誠

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2015(1) "SS-50"-"SS-53" 2015年8月25日
C-2-11 複数のトラップを考慮したGaNHEMTの大信号モデル(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)

山口裕太郎, 桑田英悟, 山中宏治, 大石敏之

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2015(1) 31-31 2015年8月25日
C-10-2 NO_2吸着ダイヤモンドFETのデバイスモデルの提案(C-10.電子デバイス/シリコン材料・デバイス,一般セッション)

大石敏之, 岸川拓也, 吉川大地, 古賀優太, 嘉数誠

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2015(2) 35-35 2015年8月25日
浮遊電極測定を用いたGaNショットキーバリアダイオードの順方向特性の解析 (シリコン材料・デバイス)

山口修造, 大石敏之, 山口裕太郎

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115(65) 35-39 2015年5月28日
過渡応答測定とTCADによるGaNHEMTのトラップモデリング (マイクロ波)

山口裕太郎, 南條拓真, 小山英寿, 加茂宣卓, 山中宏治, 大石敏之

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(392) 71-76 2015年1月15日
C-10-5 過渡応答測定とTCADによるGaN HEMTのバッファトラップの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)

山口裕太郎, 大石敏之, 大塚浩志, 南條拓真, 小山英寿, 加茂宣卓, 山中宏治

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2014(2) 46-46 2014年9月9日
CT-1-5 TCADシミュレーションを用いたGaN HEMTの半物理的非線形回路モデル(CT-1.化合物半導体電子デバイスのためのデバイスシミュレーション技術,ソサイエティ企画)

大石敏之, 大塚浩志, 山中宏治, 中山正敏

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2013(2) "SS-16"-"SS-19" 2013年9月3日

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書籍等出版物

素子分離技術総論

大石敏之, 黒井隆

2000年
2000 半導体テクノロジー大全

大石敏之 (担当:分担執筆, 範囲:素子分離技術総論)

電子ジャーナル 2000年

講演・口頭発表等

273

GaN HEMTのGaNトラップのY22/Y21信号と過渡応答特性比較-マルチバイアスでの比較-

大石敏之, 東島拓海, 久樂顕, 山口裕太郎, 新庄真太郎, 山中宏治

2024年電子情報通信学会総合大会 2024年3月6日
ダイヤモンドNO2 p 型ドープMOSFET の長時間(100h)AC ストレス測定

白土智基, ニロイチャンドラサハ, 大石敏之, 嘉数誠

第84回応用物理学会春季学術講演会 2023年9月23日
S パラメータの周波数依存性を用いたトランジスタ動作時におけるGaN HEMT のトラップとRF 特性の同時評価

津山慎樹, 久樂顕, 山口裕太郎, 大石敏之, 新庄真太郎, 山中宏治

第84回応用物理学会春季学術講演会 2023年9月23日
ノーマリオフ型EID AlGaN/GaN MOS-HEMT における膜中残留応力が電気的特性に与える影響のTCAD による検討

大石敏之, 南條拓真, 古橋壮之, 西川和康

第84回応用物理学会春季学術講演会 2023年9月22日
GaN HEMT 中のトラップ位置と低周波Y21/Y22 虚部の関係（デバイスシミュレーションによる検討）

大石敏之, 諸隈奨吾, 久樂顕, 山口裕太郎, 新庄真太郎, 山中宏治

第84回応用物理学会春季学術講演会 2023年9月22日
GaN HEMT に対する低周波Y21 とY22 信号のドレイン電圧依存性

大石敏之, 高田栞, 久樂顕, 山口裕太郎, 新庄真太郎, 山中宏治

第84回応用物理学会春季学術講演会 2023年9月22日
GaN HEMT のDC パラメータがトラップ特性（低周波Y22）に与える影響（デバイスシミュレーションによる検討）

西嶋尚, 久樂顕, 山口裕太郎, 大石敏之, 新庄真太郎, 山中宏治

第84回応用物理学会春季学術講演会 2023年9月22日
GaN HEMTのGaNトラップによるY22信号と過渡応答特性の比較

加地大樹, 田渕将也, 大塚友絢, 山口裕太郎, 大石敏之, 新庄真太郎, 山中宏治

第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月18日
低周波Y パラメータを用いたGaN HEMT トラップ評価における表面処理と光照射の効果に関する研究

高田栞, 大石敏之, 大塚友絢, 山口裕太郎, 津留正臣, 山中宏治

2022年度応用物理学会九州支部学術講演会 26Ba-7 2022年11月26日
GaN HEMT のGaN トラップ位置が低周波Y パラメータに与える影響（デバイスシミュレーションによる検討）

諸隈奨吾, 大石敏之, 大塚友絢, 山口裕太郎, 津留正臣, 山中宏治

2022年度応用物理学会九州支部学術講演会 26Ba-6 2022年11月26日
Bイオン注入のみで作製したダイヤモンドショットキーバリアダイオード

関裕平, 重松誠也, 大石敏之, 嘉数誠, 星野靖, 中田穣治

第83回応用物理学会秋季学術講演会 22p-B204-17 2022年9月22日
3659 V, 0.37 A /mm 微傾斜ダイヤモンド上に作製した NO2ドープダイヤモンド MOSFET

サハニロイチャンドラ, 金聖祐, 小山浩司, 大石敏之, 嘉数誠

第83回応用物理学会秋季学術講演会 21a-M206-13 2022年9月21日
過渡応答測定を用いたGaN HEMTトラップ時定数のドレイン電圧依存性の検討

東島拓海, 加地大樹, 大石敏之, 大塚友絢, 山口裕太郎, 都留正臣, 山中宏治

2022年度（第75回）電気・情報関係学会九州支部連合大会 05-2A-12 2022年9月16日
移動度パラメータがGaN HEMTの低周波Y22特性に与える影響（デバイスシミュレーションによる検討）

西嶋尚, 諸隈奨吾, 大石敏之, 大塚友絢, 山口裕太郎, 都留正臣, 山中宏治

2022年度（第75回）電気・情報関係学会九州支部連合大会 05-2A-11 2022年9月16日
低ドレイン電流時のY22によるGaN HEMTのトラップ解析

加地大樹, 田渕将也, 大石敏之, 大塚友絢, 山口裕太郎, 津留正臣, 山中宏治

2022年度（第75回）電気・情報関係学会九州支部連合大会 05-2A-10 2022年9月16日
875 MW/cm2 2568 V 0.68A/mm NO2ドープダイヤモンドMOSFET

サハニロイチャンドラ, 金聖祐, 大石敏之, 嘉数誠

2022年第69回応用物理学会春季学術講演会 22p-E302-10 2022年3月22日
820 MW/cm2 3326 V 0.42 A/mm選択ドープダイヤモンドMOSFET

サハニロイチャンドラ, 金聖祐, 大石敏之, 嘉数誠

2022年第69回応用物理学会春季学術講演会 22p-E302-9 2022年3月22日
トラップの影響を考慮した Ka 帯 GaN コンパクトモデルの変調特性の精度改善

山口裕太郎, 中谷圭吾, 大塚友絢, 津留正臣, 大石敏之

2022年電子情報通信学会総合大会 C-2-8 2022年3月16日
GaN HENTの低周波Yパラメータ特性におけるバッファトラップと表面トラップの異なる特性に対するメカニズム解析

大塚友絢, 山口裕太郎, 津留正臣, 大石敏之

2022年電子情報通信学会総合大会C-10-2 2022年3月16日
全てイオン注入法でドーピングし作製したダイヤモンドショットキーバリアダイオード

重松誠弥, 関裕平, 星野靖, 中田穣治, 大石敏之, 嘉数誠

2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月12日

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担当経験のある科目(授業)

所属学協会

Works(作品等)

窒化物半導体装置およびその製造方法

吹田宗義, 南條拓真, 今井章文, 大石敏之, 阿部雄次

2013年7月 - 2013年7月
Semiconductor device and manufacturing method thereof

2012年4月 - 2012年4月
半導体装置の製造方法

大塚健一, 樽井陽一郎, 鈴木洋介, 塩沢勝臣, 金本恭三, 大石敏之, 徳田安紀, 大森達夫

2012年3月 - 2012年3月
窒化物半導体装置の製造方法

金本恭三, 塩沢勝臣, 川崎和重, 佐久間仁, 堀江淳一, 志賀俊彦, 大石敏之

2011年12月 - 2011年12月
Nitride semiconductor heterojunction field effect transistor having wide band gap barrier layer that includes high concentration impurity region

2011年10月 - 2011年10月
窒化物半導体装置およびその製造方法

塩沢勝臣, 大石敏之, 吹田宗義, 南條拓真, 阿部雄次

2011年6月 - 2011年6月
Nitride semiconductor device including an electrode in ohmic contact with a p-type nitride semiconductor contact layer

2011年5月 - 2011年5月
Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

2010年11月 - 2010年11月
Nitride semiconductor device and manufacturing method the same

2010年9月 - 2010年9月
Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

2010年5月 - 2010年5月
Method of manufacturing semiconductor device including gallium-nitride semiconductor structure and a palladuim contact

2010年3月 - 2010年3月
窒化物半導体装置およびその製造方法

塩沢勝臣, 大石敏之, 川崎和重, 阿部雄次

2010年3月 - 2010年3月
窒化物半導体装置の製造方法

塩沢勝臣, 大石敏之, 川崎和重, 川津善平, 阿部雄次

2009年10月 - 2009年10月
半導体装置およびその製造方法

大石敏之, 三浦成久, 阿部雄次, 吹田宗義, 南條拓真

2008年7月 - 2008年7月
Method of manufacturing nitride semiconductor device

2008年5月 - 2008年5月
半導体装置の製造方法

吹田宗義, 南條拓真, 高見哲也, 大石敏之, 三浦成久, 阿部雄次

2008年4月 - 2008年4月
半導体レーザ装置

杉本博司, 後藤田光伸, 井須俊郎, 阿部雄次, 大塚健一, 大石敏之

2004年3月 - 2004年3月
Semiconductor device and manufacturing method thereof

2003年10月 - 2003年10月
Semiconductor device

2003年10月 - 2003年10月
Method of making field effect transistor in which the increase of parasitic capacitance is restrained by scale reduction

2003年9月 - 2003年9月

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共同研究・競争的資金等の研究課題

結晶格子の異なる基板上のインチ径ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長機構の学理

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2022年4月 - 2025年3月

嘉数誠, SAHA・NILOY CHANDRA, 高橋和敏, 大石敏之
交流2端子対回路測定を用いた窒化ガリウム関連トラップの物理的性質と挙動の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2021年4月 - 2024年3月

大石敏之
三方晶系サファイア基板上の立方晶系ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長の基礎研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2019年4月 - 2022年3月

嘉数誠, 高橋和敏, 大石敏之
高周波大電力変換デバイスの実現に向けた新規ワイドバンドギャップ半導体の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2015年4月 - 2018年3月

大石敏之

産業財産権

153

特開2018-032662 ダイヤモンドコンタクト構造とこれを用いた電子素子

白石賢二, 嘉数誠, 宮崎誠一, 大石敏之, 大島孝仁
特許第6249631号高調波処理回路

小坂尚希, 山口裕太郎, 幸丸竜太, 桑田英悟, 前原宏昭, 大塚浩志, 内田浩光, 大石敏之, 山中宏治, 垂井幸宣, 木村実人
特許第6146104号ショットキーバリアダイオードおよびそれを用いた電子装置

大石敏之, 加茂宣卓, 大塚浩志, 山中宏治, 田中俊行, 津留正臣, 谷口英司, 桑田英悟
特開2016-005132 高周波増幅器

小坂尚希, 坂田修一, 小松崎優治, 今井翔平, 山口裕太郎, 桑田英悟, 半谷政毅, 大塚浩志, 内田浩光, 大石敏之, 山中宏治
特許第5863585号大信号等価回路モデルを用いたトランジスタ特性計算装置

大塚浩志, 大石敏之, 山口裕太郎, 小坂尚希, 三輪真一, 山中宏治
特開2015-220319 窒化物半導体を用いたトランジスタおよびその製造方法

山口裕太郎, 大石敏之, 大塚浩志, 山中宏治
特開2015-198199 窒化物半導体を用いたショットキーバリアダイオードおよびその製造方法

大石敏之, 山口裕太郎, 大塚浩志, 山中宏治
特許第5781223号 FETチップ

大塚浩志, 大石敏之, 桑田英悟, 山崎貴嗣, 木村実人, 中山正敏
特開2015-103913 高周波増幅器

小坂尚希, 坂田修一, 小松崎優治, 今井翔平, 山口裕太郎, 桑田英悟, 大塚浩志, 内田浩光, 大石敏之, 山中宏治
特開2015-099850 窒化物半導体を用いたトランジスタおよびその製造方法

山口裕太郎, 大石敏之, 大塚浩志, 山中宏治
特許第5744346号窒化物半導体を用いたトランジスタおよびその製造方法

山口裕太郎, 大石敏之, 大塚浩志, 山中宏治
特開2015-072940 トランジスタおよびその製造方法

大石敏之, 山口裕太郎, 大塚浩志, 内田浩光, 山中宏治
特開2014-222724 窒化物半導体を用いたトランジスタおよびその製造方法

山口裕太郎, 大石敏之, 大塚浩志, 山中宏治
特開2014-220751 高調波処理回路

小坂尚希, 山口裕太郎, 幸丸竜太, 桑田英悟, 前原宏昭, 大塚浩志, 内田浩光, 大石敏之, 山中宏治, 垂井幸宣, 木村実人
特開2014-217252 カスコード接続パワーデバイス

小濱達夫, 山口裕太郎, 大塚浩志, 大石敏之, 山中宏治
特開2014-212151 ショットキーバリアダイオードおよびそれを用いた電子装置

大石敏之, 加茂宣卓, 大塚浩志, 山中宏治, 田中俊行, 津留正臣, 谷口英司, 桑田英悟
WO2014-097369 窒化物半導体を用いたトランジスタおよびその製造方法

山口裕太郎, 大石敏之, 大塚浩志, 山中宏治
特開2014-116782 高周波増幅器

小坂尚希, 山口裕太郎, 幸丸竜太, 桑田英悟, 大塚浩志, 内田浩光, 大石敏之, 山中宏治
特許第5558082号ヘテロ接合電界効果トランジスタの等価回路モデルの作成方法および回路シミュレータ

大塚浩志, 大石敏之, 山中宏治, 井上晃
特許第5550740号半導体装置、および半導体装置の製造方法

大石敏之, 大塚浩志, 山中宏治, 山内和久, 半谷政毅, 中山正敏

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大石敏之

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

主要な論文

MISC

書籍等出版物

講演・口頭発表等

担当経験のある科目(授業)

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共同研究・競争的資金等の研究課題

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