岡田浩 (Hiroshi Okada) - マイポータル

基本情報

所属: 豊橋技術科学大学総合教育院教授
: (兼任)電気・電子情報工学系兼務教員

学位: 博士(工学)

J-GLOBAL ID: 200901034178189468
researchmap会員ID: 1000307482

外部リンク: http://www.int.ee.tut.ac.jp

研究キーワード

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

委員歴

2009年 - 現在

電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会専門委員

論文

144

Photoluminescence properties of implanted Praseodymium into Gallium Nitride at elevated temperatures

Shin-ichiro Sato, Manato Deki, Tomoaki Nishimura, Hiroshi Okada, Hirotaka Watanabe, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano, Takeshi Ohshima

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 479 7-12 2020年9月査読有り
GaN-Based Monolithic Inverter Consisting of Enhancement- and Depletion-Mode MOSFETs by Si Ion Implantation

Hiroshi Okada, Kiyomasa Miwa, Taichi Yokoyama, Keisuke Yamane, Akihiro Wakahara, Hiroto Sekiguchi

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science 217(3) 1900550-1-1900550-8 2020年2月1日査読有り
Observation of single optical site of Eu and Mg codoped GaN grown by NH<inf>3</inf>-source molecular beam epitaxy

Hiroto Sekiguchi, Masaru Sakai, Takuho Kamada, Keisuke Yamane, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara

Journal of Applied Physics 125(17) 2019年5月7日査読有り
Fabrication and optical properties of regularly arranged GaN-based nanocolumns on Si substrate

Hiroto Sekiguchi, Yukimasa Higashi, Keisuke Yamane, Akihiro Wakahara, Hiroshi Okada, Katsumi Kishino

Journal of Vacuum Science and Technology B: Nanotechnology and Microelectronics 37(3) 031207 2019年5月1日査読有り
Estimation of Ga adatom diffusion length for GaP growth by molecular beam epitaxy

Jose A. Piedra-Lorenzana, Keisuke Yamane, Koki Shiota, Junya Fujimoto, Shunsuke Tanaka, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara

Journal of Crystal Growth 512 37-40 2019年4月査読有り
Regularly arranged Eu-doped GaN nanocolumns grown by RF-plasma-assisted molecular beam epitaxy through Ti-mask selective-area growth technique

Hiroto Sekiguchi, Kohei Date, Tomohiko Imanishi, Hiroki Tateishi, Keisuke Yamane, Hiroshi Okada, Katsumi Kishino, Akihiro Wakahara

Journal of Crystal Growth 511 73-78 2019年4月査読有り
Self-Organized Eu-Doped GaN Nanocolumn Light-Emitting Diode Grown by RF-Molecular-Beam Epitaxy

Atsushi Sukegawa, Hiroto Sekiguchi, Ryousuke Matsuzaki, Keisuke Yamane, Hiroshi Okada, Katsumi Kishino, Akihiro Wakahara

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science 216(1) 2019年1月9日査読有り
Impact of temperature and nitrogen composition on the growth of GaAsPN alloys

Keisuke Yamane, Shun Mugikura, Shunsuke Tanaka, Masaya Goto, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara

Journal of Crystal Growth 486 24-29 2018年3月15日査読有り
Doping control of GaAsPN alloys by molecular beam epitaxy for monolithic III-V/Si tandem solar cells

Keisuke Yamane, Kento Sato, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 473 55-59 2017年9月査読有り
Growth of a lattice-matched GaAsPN p-i-n junction on a Si substrate for monolithic III-V/Si tandem solar cells

Keisuke Yamane, Masaya Goto, Kenjiro Takahashi, Kento Sato, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara

APPLIED PHYSICS EXPRESS 10(7) 2017年7月査読有り
Stable-wavelength operation of europium-doped GaN nanocolumn light-emitting diodes grown by rf-plasma-assisted molecular beam epitaxy

H. Sekiguchi, T. Imanishi, R. Matsuzaki, K. Ozaki, K. Yamane, H. Okada, K. Kishino, A. Wakahara

ELECTRONICS LETTERS 53(10) 666-667 2017年5月査読有り
Metal-organic vapor phase epitaxy of GaPN alloys via surface nitridation using ammonia

Keisuke Yamane, Masashi Moriyama, Kerlee Boualiong, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 254(2) 2017年2月査読有り
Formation of SiO2 Film by Chemical Vapor Deposition Enhanced by Atomic Species Extracted from a Surface-wave Generated Plasma

H. Okada, M. Baba, M. Furukawa, K. Yamane, H. Sekiguchi, A. Wakahara

IRAGO CONFERENCE 2016: 360 DEGREE OUTLOOK ON CRITICAL SCIENTIFIC AND TECHNOLOGICAL CHALLENGES FOR A SUSTAINABLE SOCIETY 1807 2017年査読有り
Monolithic integration of Si-MOSFET and GaN-LED using Si/SiO2/GaN-LED wafer

Kazuaki Tsuchiyama, Keisuke Yamane, Shu Utsunomiya, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara

APPLIED PHYSICS EXPRESS 9(10) 2016年10月査読有り
Structural and optical properties of Eu-doped GaN nanocolumns on (111) Si substrates grown by RF-plasma-assisted molecular beam epitaxy

Hiroto Sekiguchi, Satoshi Nishikawa, Tomohiko Imanishi, Kohei Ozaki, Keisuke Yamane, Hiroshi Okada, Katsumi Kishino, Akihiro Wakahara

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(5) 2016年5月査読有り
Investigation of Electron Irradiation Effects on Graphene by Optical and Electrical Characterization

Hiroshi Okada, Akira Nagahara

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E99C(5) 559-562 2016年5月査読有り
Fabrication of Si/SiO2/GaN structure by surface-activated bonding for monolithic integration of optoelectronic devices

Kazuaki Tsuchiyama, Keisuke Yamane, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(5) 2016年5月査読有り
Fabrication of Si/SiO

Tsuchiyama Kazuaki, Yamane Keisuke, Sekiguchi Hiroto, Okada Hiroshi, Wakahara Akihiro

Jpn. J. Appl. Phys. 55(5) 05FL01 2016年4月6日
Molecular-beam epitaxy growth of dilute GaAsN alloys by surface nitridation

Noriyuki Urakami, Keisuke Yamane, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 435 19-23 2016年2月査読有り
Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of GaPN alloys Assisted by Surface nitridation with ammonia

Kerlee Boualiong, Keisuke Yamane, Masashi Moriyama, Hiroto Sekiguchi, Hiroshi Okada, Akihiro Wakahara

2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS) 2016年査読有り

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MISC

工学系大学の視点からみたリベラルアーツ教育

岡田浩

豊橋技術科学大学紀要論文 (42) 97-105 2020年3月31日筆頭著者
超大規模光電子融合チップのための基板構造およびモノリシック集積型GaN-μLED用駆動回路の開発 (レーザ・量子エレクトロニクス)

土山和晃, 宇都宮脩, 中川翔太, 山根啓輔, 関口寛人, 岡田浩, 若原昭浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(358) 79-83 2016年12月12日
絶縁ゲート型トランジスタに向けた絶縁体/窒化物半導体界面形成プロセスの検討 (電子デバイス)

近藤佑隆, 篠原正俊, 彦坂朋輝, 馬場真人, 岡田浩, 関口寛人, 山根啓輔, 若原昭浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(48) 19-23 2016年5月19日
Ⅲ-Ⅴ/Siヘテロエピタキシーのための界面制御 (シリコン材料・デバイス)

山根啓輔, 関口寛人, 岡田浩, 若原昭浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(50) 61-65 2016年5月19日
Poly-Si TFTを用いたハイブリッド型温度センサの特性比較 (シリコン材料・デバイス)

川上恭平, 石丸貴博, 篠原正俊, 岡田浩, 古川雅一, 若原昭浩, 関口寛人

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(360) 55-59 2014年12月12日
表面波プラズマを用いたシリコン窒化膜の化学気相堆積とデバイス応用 (電子部品・材料)

川上恭平, 石丸貴博, 篠原正俊, 岡田浩, 古川雅一, 若原昭浩, 関口寛人

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(57) 55-58 2014年5月28日
表面波プラズマを用いたシリコン窒化膜の化学気相堆積とデバイス応用 (電子デバイス)

川上恭平, 石丸貴博, 篠原正俊, 岡田浩, 古川雅一, 若原昭浩, 関口寛人

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(56) 55-58 2014年5月28日
表面窒化によるGaAsN混晶の形成 (電子部品・材料)

浦上法之, 若原昭浩, 関口寛人, 岡田浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(40) 23-26 2013年5月16日
表面窒化によるGaAsN混晶の形成 (シリコン材料・デバイス)

浦上法之, 若原昭浩, 関口寛人, 岡田浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(41) 23-26 2013年5月16日
表面窒化によるGaAsN混晶の形成 (電子デバイス)

浦上法之, 若原昭浩, 関口寛人, 岡田浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(39) 23-26 2013年5月16日
Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製

大谷龍輝, 関口寛人, 高木康文, 岡田浩, 若原昭浩

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 112(328) 65-70 2012年11月22日
Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製

大谷龍輝, 関口寛人, 高木康文, 岡田浩, 若原昭浩

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 112(327) 65-70 2012年11月22日
Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製

大谷龍輝, 関口寛人, 高木康文, 岡田浩, 若原昭浩

電子情報通信学会技術研究報告. LQE, レーザ・量子エレクトロニクス 112(329) 65-70 2012年11月22日
高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上

深見太志, 浦上法之, 関口寛人, 岡田浩, 若原昭浩

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 112(34) 7-10 2012年5月10日
Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価

伊藤宏成, 熊谷啓助, 関口寛人, 岡田浩, 若原昭浩

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 112(34) 11-14 2012年5月10日
N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討

永本勇矢, 松岡勝彦, 関口寛人, 岡田浩, 若原昭浩

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 112(34) 57-61 2012年5月10日
高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上

深見太志, 浦上法之, 関口寛人, 岡田浩, 若原昭浩

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 112(33) 7-10 2012年5月10日
Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価

伊藤宏成, 熊谷啓助, 関口寛人, 岡田浩, 若原昭浩

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 112(33) 11-14 2012年5月10日
N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討

永本勇矢, 松岡勝彦, 関口寛人, 岡田浩, 若原昭浩

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 112(33) 57-61 2012年5月10日
高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上

深見太志, 浦上法之, 関口寛人, 岡田浩, 若原昭浩

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 112(32) 7-10 2012年5月10日

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講演・口頭発表等

131

窒化物半導体電子デバイスのプロセス開発と応用

岡田浩

第76回CVD研究会 2021年12月17日招待有り
AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたモノリシック集積回路の検討

川内智瑛, 吹中茉生, 真下智昭, 岡田浩

第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月19日
Fabrication of AlGaN/GaN transistors with SiO2 gate insulator formed by atomic oxygen at ground state extracted from a surface-wave generated plasma

H.Okada, M. Baba, K. Nakamura, M. Furukawa, K.Yamane, H.Sekiguchi and A.Wakahara

13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics 2019年8月27日
GaN-based Inverter by Monolithic Integration of Threshold Controlled MOSFETs

Hiroto Sekiguchi, Kiyomasa Miwa, Keisuke Yamane, Akihiro Wakahara, Hiroshi Okada

Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019) 2019年5月19日
窒化物半導体集積回路プロセスの検討～ Siイオン注入による閾値制御の試み～

岡田浩, 横山太一, 三輪清允, 山根啓輔, 若原昭浩, 関口寛人

電子情報通信学会研究会 2019年5月17日
基底状態酸素原子を用いた化学気相堆積法で形成した絶縁ゲート型GaN系トランジスタの検討

中村健人, 馬場真人, 岡田浩, 古川雅一, 山根啓輔, 関口寛人, 若原昭浩

第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月11日
Correlation between the surface morphology and diffusion lengths of Ga adatom in GaP growth by MBE

J. A. Piedra-Lorenzana, 山根啓輔, 塩田幸輝, 関口寛人, 岡田浩, 若原昭浩

第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月11日
GaNナノコラム光共振器構造の設計と作製

高木俊裕, 関口寛人, 玉井良和, 山根啓輔, 岡田浩, 岸野克巳, 若原昭浩

第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月11日
第一原理計算を用いたGaPN混晶中の窒素起因点欠陥の消滅過程に関する考察

牧唯人, 山根啓輔, 関口寛人, 岡田浩, 若原昭浩

第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月11日
モノリシックIII-V/Si多接合太陽電池に向けたGaAsPNセルの作製

高地俊貴, 山根啓輔, 彦坂宗, 藤本純弥, 関口寛人, 岡田浩, 若原昭浩

第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月11日
RF-MBE法を用いたAlN/Si基板上への規則配列Eu添加GaNナノコラムの成長

藤原慎二郎, 関口寛人, 助川睦, 玉井良和, 山根啓輔, 岡田浩, 若原昭浩, 岸野克巳

第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月11日
基底状態酸素原子を用いた化学気相堆積法によるシリコン酸化膜の窒化物半導体応用

馬場真人, 垣内佑斗, 岡田浩, 古川雅一, 山根啓輔, 関口寛人, 若原昭浩

第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月11日
Growth of Eu doped GaN nanocolumns grown by rf-plasma-assisted molecular beam epitaxy

H. Sekiguchi, A. Sukegawa, K. Yamane, H. Okada, K. Kishino, A. Wakahara

United Kingdom Nitrides Consortium Winter Conference 2019 2019年
RF-MBE growth of regularly arranged Europium doped GaN nanocolumns on AlN/Si template for single photon emitter

A. Sukegawa, H. Sekiguchi, Y. Tamai, S. Fujiwara, K. Yamane, H. Okada, K. Kishino, A. Wakahara

International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 2018年11月11日
Fabrication of regularly arranged Eu-doped GaN nanocolumns on AlN/Si substrate grown by RF-MBE

藤原慎二郎, 関口寛人, 助川睦, 玉井良和, 山根啓輔, 岡田浩, 若原昭浩, 岸野克巳

第37回電子材料シンポジウム 2018年10月10日
集積回路実現に向けた窒化物半導体によるMOSFETの作製

三輪清允, 横山太一, 関口寛人, 山根啓輔, 若原昭浩, 岡田浩

第37回電子材料シンポジウム 2018年10月10日
Effect of Column Diameter and Height on Optical Properties of Regularly Arranged GaN Nanocolumn Grown by rf-MBE

Hiroto Sekiguchi, Y. Higashi, K. Yamane, H. Okada, A. Wakahara

North America Molecular Beam Epitaxy Conferecne 2018年9月30日
GaN系ヘテロ構造デバイスのイオン注入素子分離

中村健人, 馬場真人, 岡田浩, 古川雅一, 山根啓輔, 関口寛人, 若原昭浩

第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月18日
窒化物半導体デバイス応用に向けた表面波プラズマ励起化学気相堆積法によるシリコン系絶縁膜の検討

馬場真人, 岡田浩, 古川雅一, 山根啓輔, 関口寛人, 若原昭浩

第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月18日
GaPのMBE成長におけるGa吸着子の表面拡散長の定量化

塩田幸輝, 山根啓輔, J. A. Piedra-Lorenzana, 関口寛人, 岡田浩, 若原昭浩

第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月18日

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

「センサネットワークのための窒化物半導体集積回路の検討」

日比科学技術振興財団研究助成 2018年 - 2019年

岡田浩
「過酷環境で動作する窒化物半導体集積エレクトロニクスの検討」

日本学術振興会科学研究費補助金基盤研究(C) 2017年 - 2019年

岡田浩
窒化物半導体絶縁ゲート型トランジスタの開発と過酷環境動作

立松財団一般研究助成 2017年 - 2018年3月
「窒化物半導体パワーデバイスの界面制御技術としきい値制御」

スズキ財団研究助成 2014年 - 2015年

岡田浩
「窒化物半導体集積デバイスとSi-CMOS集積回路のウェハレベル融合とセンサ応用」

日本学術振興会科学研究費補助金基盤研究(C) 2013年 - 2015年

岡田浩
「窒化物半導体高効率パワーデバイスのための低ダメージ絶縁膜堆積技術の開発」

立松財団研究助成 2013年 - 2013年

岡田浩
「希土類添加窒化物半導体を用いた集積型微小光源の開発とナノシステムへの応用」

日本学術振興会科学研究費補助金基盤研究(C) 2010年 - 2012年

岡田浩
「III-N-RE混晶半導体/Siを用いた光電子融合デバイス・システムの開発」

日本学術振興会科学研究費補助金基盤研究(B) 2005年 - 2007年

若原昭浩
「カーボンナノチューブの位置制御形成と新しい集積回路配

カシオ科学技術財団研究助成 2002年 - 2003年

岡田浩
線技術の開発」

日本学術振興会科学研究費補助金若手研究(B) 2001年 - 2002年

岡田浩
「カーボンナノチューブの電界効果およびトランジスタへの応用」

日本学術振興会科学研究費補助金萌芽的研究 2000年 - 2001年

吉田明
半導体量子構造を用いた量子デバイスの作製と評価
Fabrication and characterization of Semi-conductor Quantum Devices

社会貢献活動

TUT Jr.技術科学教育プロジェクト

講師, 助言・指導, 企画, 実演

2018年4月 - 2018年9月

岡田浩

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