Siとの多接合型太陽電池への応用が期待されるGaPN混晶はS添加することでn型とした場合、ドナーの活性化率が低く、電子の移動度が低下する。そこで、有機金属気相成長法により、N原料であるUDMHyを交互供給することで、Nの取り込みを制御し、キャリア濃度及び電子移動度の改善を行ったHall効果測定により、連続供給n-GaPN:Sと比較してN交互供給n-GaPN:S は、同じN組成においてもキャリア濃度の増加が見られ、電子移動度はn-GaP:Sと同程度まで改善した。