Si上発光デバイスの活性層材料としてGaAsN混晶は有望である460℃で成長した試料に比べ、600℃で成長したGaAsN混晶のPLスペクトルは半値全幅が狭く、高エネルギー側の裾が小さくなった。また、PLピークエネルギーの温度依存性において、局在状態が少ないことが示唆された600℃付近で成長したGaAsN/GaP SQWでは、PL積分強度の温度依存性において温度消光が少なくなった。これは、成長温度を高くすることにより、Nに起因する点欠陥の抑制が出来たためであると考えられる。以上のことから、高温で成長することによりGaAsN混晶の結晶性の向上が可能であることが分かった。