2013年5月16日
表面窒化によるGaAsN混晶の形成 (シリコン材料・デバイス)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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- 巻
- 113
- 号
- 41
- 開始ページ
- 23
- 終了ページ
- 26
- 記述言語
- 日本語
- 掲載種別
- 出版者・発行元
- 一般社団法人電子情報通信学会
GaAsN混晶を表面窒化により量子井戸として形成し、成長様式および発光特性を評価した。窒化時のAs_2分子線圧力を減少することにより、N組成の増加が示唆され、Nの取り込みがAsおよびN原子のサイト競合に依存していること明らかになった。窒化時間を変化させた場合、窒化後の待ち時間を経過した後の反射高速電子線回折像において、As安定化(2×4)およびN安定化(3×3)構造が観測された。(2×4)構造が観測された場合のみ鋭いPLスペクトルが得られ、N安定化(3×3)構造が観測された場合ではNクラスタが結晶内に形成され、非発光再結合中心が増加したため、強いPL強度は得られなかったと推測される。GaP基板上GaAsN量子井戸ではN添加量の増加につれ、Type-IIからType-I量子構造になったことにより、発光強度が増加した。
- リンク情報
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- CiNii Articles
- http://ci.nii.ac.jp/naid/110009768790
- CiNii Books
- http://ci.nii.ac.jp/ncid/AN10013254
- URL
- http://id.ndl.go.jp/bib/024583137
- ID情報
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- ISSN : 0913-5685
- CiNii Articles ID : 110009768790
- CiNii Books ID : AN10013254