2013年 - 2013年 「窒化物半導体高効率パワーデバイスのための低ダメージ絶縁膜堆積技 術の開発」 立松財団 研究助成 岡田 浩 担当区分 研究代表者 配分額 (総額) 1,000,000円 (直接経費) 1,000,000円 (間接経費) 0円 資金種別 競争的資金
