田中敦之 (Atsushi Tanaka) - マイポータル

基本情報

所属: 名古屋大学未来材料・システム研究所附属未来エレクトロニクス集積研究センター未来デバイス部特任准教授

研究者番号: 30774286
J-GLOBAL ID: 202201003227543418
researchmap会員ID: R000034323

研究キーワード

パワーデバイス、デバイス設計、デバイスプロセス、結晶欠陥、転位、レーザ加工、GaN、SiC、半導体デバイス物理

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

経歴

2017年3月 - 現在

名古屋大学, 特任准教授
2017年3月 - 2022年2月

物質・材料研究機構, 特別研究員
2015年7月 - 2017年2月

名古屋大学, 研究員
2010年4月 - 2015年6月

産業技術総合研究所, 研究員
2008年6月 - 2015年6月

富士電機株式会社, 社員
2005年4月 - 2008年5月

東京工業大学, 研究員

学歴

2005年4月 - 2008年3月

東京工業大学, 理工学研究科, 電子物理工学専攻博士課程
2003年4月 - 2005年3月

東京工業大学, 理工学研究科, 電子物理工学専攻
1999年4月 - 2003年3月

東京工業大学, 工学部, 電子物理工学科

論文

Impacts of vacancy complexes on the room-temperature photoluminescence lifetimes of state-of-the-art GaN substrates, epitaxial layers, and Mg-implanted layers

Shigefusa F. Chichibu, Kohei Shima, Akira Uedono, Shoji Ishibashi, Hiroko Iguchi, Tetsuo Narita, Keita Kataoka, Ryo Tanaka, Shinya Takashima, Katsunori Ueno …

Journal of Applied Physics 135(18) 2024年5月8日
Junction Diameter Dependence of Oscillation Frequency of GaN IMPATT Diode Up to 21 GHz

Kawasaki S, Kumabe T, Ando Y, Deki M, Watanabe H, Tanaka A, Honda Y, Arai M, Amano H

IEEE Electron Device Letters 44(8) 1328-1331 2023年8月1日
Reverse Leakage Mechanism of Dislocation-Free GaN Vertical p-n Diodes

Kwon W, Kawasaki S, Watanabe H, Tanaka A, Honda Y, Ikeda H, Iso K, Amano H

IEEE Electron Device Letters 44(7) 1172-1175 2023年7月1日
Impact of Sidewall Conditions on Internal Quantum Efficiency and Light Extraction Efficiency of Micro-LEDs

Park J.H, Pristovsek M, Cai W, Cheong H, Tanaka A, Furusawa Y, Han D.P, Seong T.Y, Amano H

Advanced Optical Materials 11(10) 2023年5月19日
Investigation of Electrical Properties of N‐Polar AlGaN/AlN Heterostructure Field Effect Transistors

Daisuke Inahara, Shunsuke Matsuda, Wataru Matsumura, Ryo Okuno, Koki Hanasaku, Taketo Kowaki, Minagi Miyamoto, Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Atsushi Tanaka …

physica status solidi (a) 2023年5月16日
Development of High-Resolution Nuclear Emulsion Plates for Synchrotron X-Ray Topography Observation of Large-Size Semiconductor Wafers

Shunta Harada, Taketo Nishigaki, Nobuko Kitagawa, Kotaro Ishiji, Kenji Hanada, Atsushi Tanaka, Kunihiro Morishima

Journal of Electronic Materials 52(5) 2951-2956 2023年
Laser slice thinning of GaN-on-GaN high electron mobility transistors

Tanaka A, Sugiura R, Kawaguchi D, Wani Y, Watanabe H, Sena H, Ando Y, Honda Y, Igasaki Y, Wakejima A …

Scientific Reports 12(1) 2022年12月
Author Correction: Laser slice thinning of GaN-on-GaN high electron mobility transistors (Scientific Reports, (2022), 12, 1, (7363), 10.1038/s41598-022-10610-4)

Tanaka A, Sugiura R, Kawaguchi D, Wani Y, Watanabe H, Sena H, Ando Y, Honda Y, Igasaki Y, Wakejima A …

Scientific Reports 12(1) 2022年12月
Substitutional diffusion of Mg into GaN from GaN/Mg mixture

Itoh Y, Lu S, Watanabe H, Deki M, Nitta S, Honda Y, Tanaka A, Amano H

Applied Physics Express 15(11) 2022年11月
Evaluation of electroluminescence of AlGaN/GaN HEMT on free-standing GaN substrate

Ma Q, Ando Y, Tanaka A, Wakejima A

Applied Physics Express 15(9) 2022年9月
"regrowth-free" fabrication of high-current-gain AlGaN/GaN heterojunction bipolar transistor with N-p-n configuration

Kumabe T, Watanabe H, Ando Y, Tanaka A, Nitta S, Honda Y, Amano H

Applied Physics Express 15(4) 2022年4月
Improved device performance of vertical GaN-on-GaN nanorod Schottky barrier diodes with wet-etching process

Liao Y, Chen T, Wang J, Cai W, Ando Y, Yang X, Watanabe H, Tanaka A, Nitta S, Honda Y …

Applied Physics Letters 120(12) 2022年3月21日
Effect of beam current on defect formation by high-temperature implantation of Mg ions into GaN

Yuta Itoh, Hirotaka Watanabe, Yuto Ando, Emi Kano, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Atsushi Tanaka, Nobuyuki Ikarashi, Hiroshi Amano

Applied Physics Express 15(2) 2022年2月
Bias-Dependence of Electroluminescence in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors on SiC Substrate

Ma Q, Urano S, Tanaka A, Ando Y, Wakejima A

IEEE Journal of the Electron Devices Society 10 297-300 2022年
Smart-cut-like laser slicing of GaN substrate using its own nitrogen

Atsushi Tanaka, Ryuji Sugiura, Daisuke Kawaguchi, Toshiki Yui, Yotaro Wani, Tomomi Aratani, Hirotaka Watanabe, Hadi Sena, Yoshio Honda, Yasunori Igasaki …

Scientific Reports 11(1) 2021年12月
Gallium nitride wafer slicing by a sub-nanosecond laser: effect of pulse energy and laser shot spacing

Hadi Sena, Atsushi Tanaka, Yotaro Wani, Tomomi Aratani, Toshiki Yui, Daisuke Kawaguchi, Ryuji Sugiura, Yoshio Honda, Yasunori Igasaki, Hiroshi Amano

Applied Physics A: Materials Science and Processing 127(9) 2021年9月
Demonstration of high thermal performance GaN-on-graphite composite bonded substrate for application in III-V nitride electronics

Lei Li, Tomohiro Obata, Aozora Fukui, Kai Takeuchi, Tadatomo Suga, Atsushi Tanaka, Akio Wakejima

Applied Physics Express 14(9) 2021年9月
Impact of gate electrode formation process on Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>/GaN interface properties and channel mobility

Yuto Ando, Manato Deki, Hirotaka Watanabe, Noriyuki Taoka, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hisashi Yamada, Mitsuaki Shimizu, Tohru Nakamura …

Applied Physics Express 14(8) 2021年8月
Vertical GaN-on-GaN nanowire Schottky barrier diodes by top-down fabrication approach

Yaqiang Liao, Tao Chen, Jia Wang, Yuto Ando, Wentao Cai, Xu Yang, Hirotaka Watanabe, Jun Hirotani, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta …

Japanese Journal of Applied Physics 60(7) 2021年7月
Low temperature bonding of GaN and carbon composite via Au capping layer activated by Ar fast atom bombardment

Kai Takeuchi, Suga Tadatomo, Atsushi Tanaka, Akio Wakejima

2021 International Conference on Electronics Packaging, ICEP 2021 43-44 2021年5月12日

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MISC

Impact of SiN passivation film stress on electroluminescence characteristics of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors

Qiang Ma, Shiyo Urano, Yuji Ando, Atsushi Tanaka, Akio Wakejima

Applied Physics Express 14(9) 2021年9月

書籍等出版物

シリコンと化合粒半導体の超精密・微細加工プロセス技術

(担当:共著, 範囲:第7章レーザスライスによるGaN基板の切り出し加工)

シーエムシー出版 2023年10月
次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術

(担当:共著, 範囲:第1章第2節 GaNのパワーデバイスの動向と技術課題)

S＆T出版 2022年7月27日

主要な共同研究・競争的資金等の研究課題

５Gの普及・展開のための基盤技術に関する研究開発

電波資源拡大のための研究開発 2018年4月 - 2020年3月

田中敦之

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産業財産権

特許出願2021-174661 窒化物半導体装置の製造方法及び窒化物半導体基板

本田善央, 天野浩, 田中敦之, 伊藤佑太
特許出願2021-032709 基板製造方法

田中敦之, 瀬奈ハディ
公開特許20202102536 レーザ加工方法、半導体部材製造方法、および半導体対象物

田中敦之, 笹岡千秋, 天野浩, 河口大祐, 和仁陽太郎, 伊ケ崎泰則
公開特許 3674451 基板製造方法

田中敦之, 河口大祐
公開特許WO2020/130054 レーザ加工方法、半導体部材製造方法、および半導体対象物

田中敦之, 笹岡千秋, 天野浩, 河口大祐, 和仁陽太郎, 伊ケ崎泰則
公開特許WO2020/130055 レーザ加工方法、半導体部材製造方法及びレーザ加工装置

田中敦之, 笹岡千秋, 天野浩, 河口大祐, 和仁陽太郎, 伊ケ崎泰則, 油井俊樹
公開特許 US2020/0180082 基板製造方法

田中敦之, 河口大祐
公開特許 CN111065765 基板製造方法

田中敦之, 河口大祐
特許出願2020-015056 レーザ加工方法、半導体部材製造方法、及び、レーザ加工装置

田中敦之, 笹岡千秋, 天野浩, 河口大祐, 油井俊樹, 和仁陽太郎, 杉浦隆二
特許出願2020-015060 レーザ加工方法、半導体部材製造方法、及び、レーザ加工装置

田中敦之, 笹岡千秋, 天野浩, 河口大祐, 油井俊樹, 和仁陽太郎
特許出願108146614 レーザ加工方法、半導体部材製造方法及びレーザ加工装置

田中敦之, 笹岡千秋, 天野浩, 河口大祐, 和仁陽太郎, 伊ケ崎泰則
特許出願108146615 レーザ加工方法、半導体部材製造方法及びレーザ加工装置

田中敦之, 笹岡千秋, 天野浩, 河口大祐, 和仁陽太郎, 伊ケ崎泰則
特許出願108146331 レーザ加工方法、半導体部材製造方法、及び半導体対象物

田中敦之, 笹岡千秋, 天野浩, 河口大祐, 和仁陽太郎, 伊ケ崎泰則
特許出願PCT/JP2019/046656 レーザ加工方法、半導体部材製造方法、及び半導体対象物

田中敦之, 笹岡千秋, 天野浩, 河口大祐, 和仁陽太郎, 伊ケ崎泰則
公開特許2019-043808 基板の製造方法

田中敦之, 河口大祐
公開特許 WO2019/044142 基板製造方法

田中敦之, 河口大祐
特許出願2018-239883 レーザ加工方法、半導体部材製造方法及びレーザ加工装置

田中敦之, 笹岡千秋, 天野浩, 河口大祐, 和仁陽太郎, 伊ケ崎泰則
特許第6347188 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置

田中敦之, 俵武志
公開特許2017-168674 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法

田中敦之, 辻崇
特許第6083129 半導体装置の製造方法および製造装置

田中敦之, 辻崇

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