有機電界効果トランジスタ(OFET)の代表格であるペンタセンOFETのキャリア輸送バンドには、素子がオン状態において振幅0.5-10meV程度以下のランダムなバンド端ゆらぎが存在していることが確認されている。この振幅は、ちょうどTHzフォトンエネルギー(0.41-41meV)に相当することから、OFETにおける蓄積キャリアがTHzフォトンからエネルギーを受けることができれば、OFETの出力電流がTHz波に応答して変化することが期待される。本研究では、ペンタセンOFETのゲート電圧を変化させて、THz時間領域分光法(THz-TDS)によってTHz吸収スペクトルを測定した。その結果、ペンタセンOFET中のゲート電界誘起キャリアがTHzフォトンからエネルギーを受けとっていることが確認された。