2011年 - 2011年
理想MIS界面の形成による有機FETの極限性能追求
文部科学省 科学研究費補助金(挑戦的萌芽研究) 挑戦的萌芽研究
- 課題番号
- 23655171
- 体系的課題番号
- JP23655171
- 担当区分
- 研究代表者
- 配分額
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- (総額)
- 4,160,000円
- (直接経費)
- 3,200,000円
- (間接経費)
- 960,000円
- 資金種別
- 競争的資金
原子スケールで平坦なゲート絶縁層と有機半導体層による理想MIS界面を作製することを目指し、厚さ1μm以下のマイカ絶縁層を導電性基板の上に形成する方法を確立した。また、従来分子配向の再現性が乏しかったマイカ劈開面上でのペンタセン薄膜成長において、ペルオキソ二硫酸ナトリウム水溶液で基板表面処理を行うことで、キャリア輸送に適した垂直配向の薄膜相多結晶膜がエピタキシャル成長することを明らかにした。また、このような多結晶薄膜において汎用的に用いることができるキャリア移動度解析モデルを提案し、それを用いた解析によって平坦マイカ上でのエピタキシャル成長がキャリア輸送に及ぼす影響を考察した。
- リンク情報
- ID情報
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- 課題番号 : 23655171
- 体系的課題番号 : JP23655171