毎田修 (Osamu Maida) - マイポータル

基本情報

所属: 大阪大学大学院工学研究科助教

J-GLOBAL ID: 202001006083720411
researchmap会員ID: R000007707

経歴

2007年4月 - 現在

大阪大学工学研究科電気電子情報工学専攻, 助教
2006年4月 - 現在

大阪大学・大学院工学研究科・助手
2006年4月 - 2007年3月

大阪大学工学研究科電気電子情報工学専攻, 助手
2000年10月 - 2006年3月

大阪大学産業科学研究所, 助手
2000年10月 - 2006年3月

大阪大学・産業科学研究所・助手

論文

101

Compressed Sensing EEG Measurement Technique with Normally Distributed Sampling Series

Yuki OKABE, Daisuke KANEMOTO, Osamu MAIDA, Tetsuya HIROSE

IEICE Transactions on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences E105.A(10) 1429-1433 2022年10月1日
Image Quality Improvement for Capsule Endoscopy Based on Compressed Sensing with K-SVD Dictionary Learning

Yuuki HARADA, Daisuke KANEMOTO, Takahiro INOUE, Osamu MAIDA, Tetsuya HIROSE

IEICE Transactions on Fundamentals of Electronics, Communications and Computer Sciences E105.A(4) 743-747 2022年4月1日
Characterization of deep interface states in SiO2/B-doped diamond using the transient photocapacitance method

Osamu Maida, Daiskuke Kanemoto, Tetsuya Hirose

Thin Solid Films 741 139026-139026 2022年1月
A self-bias NAND gate and its application to non-overlapping clock generator for extremely low-voltage CMOS LSIs

Hikaru Sebe, Kaori Matsumoto, Ryo Matsuzuka, Osamu Maida, Daisuke Kanemoto, Tetsuya Hirose

Japanese Journal of Applied Physics 60(SB) SBBL06-SBBL06 2021年5月1日
A 35-mV supply ring oscillator consisting of stacked body bias inverters for extremely low-voltage LSIs

Masaya Nishi, Kaori Matsumoto, Nobutaka Kuroki, Masahiro Numa, Hikaru Sebe, Ryo Matsuzuka, Osamu Maida, Daisuke Kanemoto, Tetsuya Hirose

IEICE ELECTRONICS EXPRESS 18(6) 2021年3月
An 11.8 nA ultra-low power active diode using a hysteresis common gate comparator for low-power energy harvesting systems

Kaori Matsumoto, Hiroki Asano, Yuichiro Nakazawa, Nobutaka Kuroki, Masahiro Numa, Osamu Maida, Daisuke Kanemoto, Tetsuya Hirose

IEICE Electronics Express 17(11) 20200103-20200103 2020年6月10日
A 34-mV Startup Ring Oscillator Using Stacked Body Bias Inverters for Extremely Low-Voltage Thermoelectric Energy Harvesting

Masaya Nishi, Kaori Matsumoto, Nobutaka Kuroki, Masahiro Numa, Hikaru Sebe, Ryo Matsuzuka, Osamu Maida, Daisuke Kanemoto, Tetsuya Hirose

2020 18th IEEE International New Circuits and Systems Conference (NEWCAS) 2020年6月査読有り
Sub-0.1V Input, Low-Voltage CMOS driver circuit for multi-stage switched capacitor voltage boost converter

Masaya Nishi, Yuichiro Nakazawa, Kaori Matsumoto, Nobutaka Kuroki, Masahiro Numa, Ryo Matsuzuka, Osamu Maida, Daisuke Kanemoto, Tetsuya Hirose

2019 26th IEEE International Conference on Electronics, Circuits and Systems, ICECS 2019 530-533 2019年11月査読有り
Transient photocapacitance measurement for characterization of deep defects in B-doped diamond films

Osamu Maida, Ryosuke Yamashita

2019年7月査読有り
Development of Highly-Sensitive Transient Photocapacitance Mesurement System for Deep Defects in Boron-Doped Diamond (100) Films

Kenta Miyawaki, Ryosuke Yamashita, Taishi Kodama, Osamu Maida

2018 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK) 2018年6月
Characterization of the high-quality CVD diamond films for quantum information device

Osamu Maida, Toshimichi Ito

2018年2月査読有り招待有り
Improvement on p-type CVD diamond semiconducting properties by fabricating thin heavily-boron-doped multi-layer clusters isolated each other in unintentionally boron-doped diamond layer

Osamu Maida, Tomohiro Tabuchi, Toshimichi Ito

Journal of Crystal Growth 480 51-55 2017年12月15日査読有り
Characterization of deep defects in boron-doped CVD diamond films using transient photocapacitance method

Osamu Maida, Takanori Hori, Taishi Kodama, Toshimichi Ito

Materials Science in Semiconductor Processing 70 203-206 2017年11月1日査読有り
Behavior of nitrogen-related luminescence centers in laser-cut single-crystalline diamond under irradiation with keV electron beam

Kenji Maruoka, Taiki Naito, Osamu Maida, Toshimichi Ito

MRS Advances 2(43) 2355-2360 2017年査読有り
Transient photocapacitance study of deep-level defects in boron-doped diamond films

O. Maida, T. Hori, T. Kodama, T. Ito

2016年9月査読有り
Characterization of Deep Defects in Boron-Doped CVD Diamond Films Using Transient Photocapacitance Method

O. Maida, T. Hori, T. Kodama, T. Ito

2016年6月査読有り
Substrate temperature optimization for heavily-phosphorus-doped diamond films grown on vicinal (001) surfaces using high-power-density microwave-plasma chemical-vapor-deposition

Osamu Maida, Shuhei Tada, Haruki Nishio, Toshimichi Ito

Journal of Crystal Growth 424 33-37 2015年8月15日査読有り
Characterization of boron-doped CVD diamond films using transient photocapasitance method

O. Maida, T. Hori, T. Ito

2015年5月査読有り
Mutual relation among lattice distortion, Hall effect property and band edge cathodoluminescence of heavily-boron-doped microwave-plasma CVD diamond films homoepitaxially grown on vicinal (001) high-pressure/high-temperature-synthesized Ib substrates

Reona Mori, Osamu Maida, Toshimichi Ito

Journal of Crystal Growth 415 84-92 2015年4月1日査読有り
単結晶CVDダイヤモンド積層構造の半導体特性における高濃度ホウ素ドープ薄膜層の分散状態依存性

田渕智大, 毎田修, 伊藤利道

表面科学学術講演会要旨集 35 127-127 2015年

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MISC

Fabrication of the a-Si solar cells with the light trapping structure by the Al 2O 3 fine particles

Osamu Maida, Asako Okafuji, Katsutoshi Kobayashi, Hikaru Kobayashi

Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan 50(8) 534-536 2007年
Preparation and characterization of high-k praseodymium and lanthanoid oxide thin films prepared by pulsed laser deposition

S Kitai, O Maida, T Kanashima, M Okuyama

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 42(1) 247-253 2003年1月

講演・口頭発表等

直接遷移型半導体自立結晶における外部量子効率と自己吸収の関係

佐野昂志, 市川修平, 毎田修, 小島一信

第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月17日
スパッタアニールAlNテンプレート上AlGaN薄膜の局在発光特性の評価

市川修平, 上杉謙次郎, 齊藤一輝, 肖世玉, 正直花奈子, 中村孝夫, 毎田修, 三宅秀人, 小島一信

2023年3月17日
時間分解二光子光電子分光法によるInGaN (0001)の表面キャリア寿命測定

市川修平, 松田祥伸, 道上平士郎, 毎田修, 船戸充, 川上養一, 小島一信

第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月17日
ナノピラー型メタ表面を用いた円偏光InGaN発光素子の設計

鈴木恭平, 村田雄生, 市川修平, 戸田晋太郎, 毎田修, 小島一信

第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月15日
二光子光電子分光による GaAs (110) における表面再結合寿命の評価

市川修平, 毎田修, 小島一信

第42回ナノテスティングシンポジウム 2022年11月10日
ホモエピタキシャル成長ホウ素ドープダイヤモンド半導体結晶の深い欠陥準位評価

毎田修, 市川修平, 小島一信

第42回ナノテスティングシンポジウム 2022年11月10日
Characterization of deep level defects in boron-doped (001) and (111) diamond

O. Maida, S. Ichikawa, K. Kojima

21th International Vacuum Congress 2022年9月12日
時間分解2光子光電子分光法を用いた表面再結合寿命の直接評価

市川修平, 毎田修, 小島一信

第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月招待有り
Transient photocapacitance measurement for characterization of deep level defects in boron-doped (001) and (111) diamond films

O. Maida, T. Kodama, D. Kanemoto, Tetsuya Hirose

The 9th International Symposium on Surface Science
FVFを応用したPSRR帯域拡張回路を搭載した脳波計測ウェアラブルデバイス向け低消費LDO

三井健司, 兼本大輔, 毎田修, 廣瀬哲也

第196回システムとLSIの設計技術研究発表会 2021年12月1日
圧縮センシングを活用した心電図計測フレームワークの一設計法

松村侑紀, 兼本大輔, 毎田修, 廣瀬哲也

第196回システムとLSIの設計技術研究発表会 2021年12月1日
SiO2/ホウ素添加CVDダイヤモンド界面の過渡光容量法を用いた界面準位評価

毎田修, 児玉大志, 兼本大輔, 廣瀬哲也

2021年日本表面真空学会学術講演会 2021年11月4日
過渡光容量分光法による (111)ホウ素ドープCVDダイヤモンド薄膜の結晶欠陥評価

毎田修, 児玉大志, 兼本大輔, 廣瀬哲也

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月23日
高精度参照電流源回路を不要とする品質劣化モニタセンサLSI

渥美光真, 瀬部光, 中野太地, 池田隆希, 毎田修, 兼本大輔, 廣瀬哲也

LSIとシステムのワークショップ2021 2021年5月10日
微小温度差発電のための極低電圧昇圧コンバータ用ドライバ回路

三原柊平, 瀬部光, 毎田修, 兼本大輔, 廣瀬哲也

LSIとシステムのワークショップ2021 2021年5月10日
超低消費電力で動作するオンチップ電圧検知回路の設計

笹谷昌平, 中野太地, 瀬部光, 毎田修, 兼本大輔, 廣瀬哲也

LSIとシステムのワークショップ2021 2021年5月10日
圧縮センシングを用いた低消費電力脳波計測フレームワークのサンプリング間隔の検討

岡部勇樹, 兼本大輔, 望月智弥, 毎田修, 廣瀬哲也

VLSI設計技術研究会 2021年1月25日
OD-ICAを利用した圧縮センシング脳波計測フレームワークにおけるICAアルゴリズムの比較

奥村渡, 兼本大輔, 毎田修, 廣瀬哲也

VLSI設計技術研究会 2021年1月25日
A Self-Bias NAND Gate and its Application to Non-Overlapping Clock Generator for Extremely Low-Voltage CMOS LSIs

H. Sebe, K. Matsumoto, R. Matsuzuka, O. Maida, D. Kanemoto, T. Hirose

2020 International Conference on Solid State Devices and Materials
A 34-mV startup ring oscillator using stacked body bias inverters for extremely low-voltage thermoelectric energy harvesting

M. Nishi, K. Matsumoto, N. Kuroki, M. Numa, H. Sebe, R. Matsuzuka, O. Maida, D. Kanemoto, T. Hirose

18th IEEE international new circuits and systems conference

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担当経験のある科目(授業)

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

非輻射型欠陥生成機構の解明によるダイヤモンド半導体デバイスの特性改善

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2022年4月 - 2025年3月

毎田修
ヘテロエピタキシャル法による様々な面方位を持つダイヤモンド結晶成長の研究

Orbray株式会社 2023年4月 - 2024年3月

毎田修, 小島一信, 市川修平, 金聖祐, 小山浩司
ダイヤモンド半導体結晶の非輻射欠陥生成機構の解明とデバイス特性改善

関西エネルギー・リサイクル科学研究振興財団試験研究助成 2023年4月 - 2024年3月

毎田修
ヘテロエピタキシャル法による様々な面方位を持つダイヤモンド結晶成長の研究

アダマンド並木精密宝石(株) 共同研究 2022年10月 - 2023年3月

毎田修, 小島一信, 市川修平, 金聖祐, 小山浩司
ダイヤモンド半導体結晶の不純物導入技術の確立とデバイス特性の改善

池谷科学技術振興財団研究助成 2022年4月 - 2023年3月

毎田修
ダイヤモンド半導体結晶の非輻射型欠陥生成メカニズム解明によるデバイス特性の改善

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2019年4月 - 2022年3月

毎田修
ダイヤモンド半導体結晶の非輻射型欠陥の生成機構の解明とその制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2016年4月 - 2020年3月

毎田修
ダイヤモンド半導体結晶の新規非輻射欠陥評価系の開発とその欠陥生成機構の解明

池谷科学技術振興財団 2018年4月 - 2019年3月

毎田修
成長モード制御によるダイヤモンド半導体結晶の高品質化と導電性制御技術の確立

日本板硝子材料工学助成会 2016年4月 - 2019年3月

毎田修
高濃度不純物ドープ縮退ダイヤモンド層の巨大クラスター化とその高機能デバイス応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2015年4月 - 2018年3月

伊藤利道, 毎田修
ダイヤモンド半導体結晶の新規非輻射欠陥評価系の開発とその欠陥生成メカニズムの解明

村田学術振興財団 2015年7月 - 2016年6月

毎田修
高品質CVDダイヤモンドを用いた高機能電子デバイス開発の基礎研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2009年 - 2012年

伊藤利道, 毎田修
ダイヤモンド半導体評価のための高感度非輻射欠陥評価系の開発

文部科学省科学研究費助成事業若手研究(B) 若手研究(B) 2010年 - 2011年

毎田修
高品質ダイヤモンドの放射線センサーへの応用（産学共同シーズイノベーション化事業顕在化ステージ）

科学技術振興機構 2009年
巨大増幅機能を有する高感度ダイヤモンド検出器の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2007年 - 2008年

伊藤利道, 毎田修
巨大増幅機能を有する高感度ダイヤモンド検出器の開発

日本学術振興会 2008年
セラミック微粒子分散構造による非晶質シリコン太陽電池の高効率化

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 若手研究(B) 2006年 - 2007年

毎田修
欠陥消滅機能を持つ半導体洗浄液の実用化研究

科学技術振興機構 2005年
ゲート絶縁膜中固定電荷によるMOSFETのしきい値制御

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 若手研究(B) 2003年 - 2004年

毎田修
ゲート絶縁膜中固定電荷によるMOSFETのしきい値制御

2004年

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