Takayoshi Oshima

Profile Information

Affiliation: Senior Researcher, National Institute for Materials Science

Degree: Doctor of Engineering(Mar, 2010, Kyoto University)

Contact information: OSHIMA.Takayoshinims.go.jp
Researcher number: 60583151
ORCID ID: https://orcid.org/0000-0001-8550-9735
J-GLOBAL ID: 201801019877235719
researchmap Member ID: B000292131

Research Interests

Research Areas

Research History

Apr, 2023 - Present

Senior Researcher, Research Center for Electronic and Optical Materials, National Institute for Materials Science
Nov, 2021 - Mar, 2023

Senior Researcher, Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science
Apr, 2019 - Oct, 2021

Senior Researcher, Department of Research and Development, FLOSFIA Inc.
Apr, 2018 - Mar, 2019

Accociate Professtor, Department of Electrical and Electronic Engineering, Faculty of Science and Engineering, Saga University
Feb, 2016 - Mar, 2018

Assistant Professor, Department of Electrical and Electronic Engineering, Graduate School of Science and Engineering, Saga University
Apr, 2010 - Jan, 2016

Assistant Professor, Department of Applied Chemistry, Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
Apr, 2008 - Mar, 2010

Researcher, Japan Society for the Promotion of Science

Education

Apr, 2007 - Mar, 2010

Department of Electonic Science and Engineering, Doctor's course, Graduate School of Engineering, Kyoto University
Apr, 2005 - Mar, 2007

Department of Electonic Science and Engineering, Master's course, Graduate School of Engineering, Kyoto University
Apr, 2001 - Mar, 2005

Electrical and Electronic Engineering, Bachelor's course, Faculty of Engineering, Kyoto University

Papers

Using selective-area growth and selective-area etching on (−102) β-Ga2O3 substrates to fabricate plasma-damage-free vertical fins and trenches

Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima

Applied Physics Letters, 124(4) 042110, Jan 22, 2024 Peer-reviewed
Rutile-type GexSn1−xO2 alloy layers lattice-matched to TiO2 substrates for device applications

Hitoshi Takane, Takayoshi Oshima, Takayuki Harada, Kentaro Kaneko, Katsuhisa Tanaka

Applied Physics Express, 17(1) 011008, Jan 3, 2024 Peer-reviewed
Epitaxial relationship of NiO on ( 1̅ 02) β-Ga2O3

Takayoshi Oshima, Shinji Nakagomi

Japanese Journal of Applied Physics, 62(12) 128001, Nov 23, 2023 Peer-reviewed
Homoepitaxial growth of (-102) β-Ga₂O₃ by halide vapor phase epitaxy

Yuichi Oshima, Takayoshi Oshima

Semiconductor Science and Technology, 38(10) 105003, Aug 31, 2023 Peer-reviewed
Effect of the temperature and HCl partial pressure on selective-area gas etching of (001) β-Ga₂O₃

Yuichi Oshima, Takayoshi Oshima

Japanese Journal of Applied Physics, 62(8) 080901, Aug 21, 2023 Peer-reviewed
Anisotropic non-plasma HCl gas etching of a (010) β-Ga₂O₃ substrate

Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima

Applied Physics Express, 16(6) 066501, Jun 15, 2023 Peer-reviewed
Plasma-free dry etching of (001) β-Ga₂O₃ substrates by HCl gas

Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima

Applied Physics Letters, 122(16) 162102, Apr 17, 2023 Peer-reviewed
Growth dynamics of selective-area-grown rutile-type SnO₂ on TiO₂ (110) substrate

Hitoshi Takane, Takayoshi Oshima, Katsuhisa Tanaka, Kentaro Kaneko

Applied Physics Express, 16(4) 045503, Apr 14, 2023 Peer-reviewed
Self-aligned patterning on β-Ga2O3 substrates via backside-exposure photolithography

Takayoshi Oshima

Japanese Journal of Applied Physics, 62(1) 018004, Jan 18, 2023 Peer-reviewed
Tackling Disorder in γ‐Ga ₂ O ₃

Laura E. Ratcliff, Takayoshi Oshima, Felix Nippert, Benjamin M. Janzen, Elias Kluth, Rüdiger Goldhahn, Martin Feneberg, Piero Mazzolini, Oliver Bierwagen, Charlotte Wouters …

Advanced Materials, 34(37) 2204217-2204217, Aug 17, 2022 Peer-reviewed
Selective area growth of β-Ga2O3 by HCl-based halide vapor phase epitaxy

Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima

Applied Physics Express, 15(7) 075503, Jul 14, 2022 Peer-reviewed
In-plane anisotropy in the direction of the dislocation bending in α-Ga2O3 grown by epitaxial lateral overgrowth

Katsuaki Kawara, Takayoshi Oshima, Mitsuru Okigawa, Takashi Shinohe

Applied Physics Express, 13(11) 115502-115502, Nov 1, 2020 Peer-reviewed
In-plane orientation control of (001) κ-Ga2O3 by epitaxial lateral overgrowth through a geometrical natural selection mechanism

Yuichi Oshima, Katsuaki Kawara, Takayoshi Oshima, Takashi Shinohe

Japanese Journal of Applied Physics, 59(11) 115501-115501, Nov 1, 2020 Peer-reviewed
Rapid growth of α-Ga2O3 by HCl-boosted halide vapor phase epitaxy and effect of precursor supply conditions on crystal properties

Yuichi Oshima, Katsuaki Kawara, Takayoshi Oshima, Mitsuru Okigawa, Takashi Shinohe

Semiconductor Science and Technology, 35(5) 055022-055022, May 1, 2020 Peer-reviewed
Phase-controlled epitaxial lateral overgrowth of α-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy

Yuichi Oshima, Katsuaki Kawara, Takayoshi Oshima, Mitsuru Okigawa, Takashi Shinohe

Japanese Journal of Applied Physics, 59(2) 025512-025512, Feb 1, 2020 Peer-reviewed
Photodetectors

Takayoshi Oshima

Gallium Oxide, 2020
Microwave Power Rectification Using β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes

Toshiyuki Oishi, Kosuke Urata, Makoto Hashikawa, Kosuke Ajiro, Takayoshi Oshima

IEEE Electron Device Letters, 40(9) 1393-1395, Sep, 2019 Peer-reviewed
Fabrication of coherent γ-Al2O3/Ga2O3 superlattices on MgAl2O4 substrates

Yuji Kato, Masataka Imura, Yoshiko Nakayama, Masaki Takeguchi, Takayoshi Oshima

Applied Physics Express, 12(6) 065503, May, 2019 Peer-reviewed
Characterization of pseudomorphic γ-Ga2O3 and γ-Al2O3 films on MgAl2O4 substrates and the band-alignment at the coherent γ-Ga2O3/Al2O3 heterojunction interface

Takayoshi Oshima, Yuji Kato, Eisuke Magome, Eiichi Kobayashi, Kazutoshi Takahashi

Japanese Journal of Applied Physics, 58(6) 060910-060910, May, 2019 Peer-reviewed
Demonstration of lateral field-effect transistors using Sn-doped β-(AlGa)2O3 (010)

Hironori Okumura, Yuji Kato, Takayoshi Oshima, Tomás Palacios

Japanese Journal of Applied Physics, 58({SB}) SBBD12, Mar, 2019 Peer-reviewed

Presentations

194

(−102)面β-Ga2O3への大気圧下での窒素希釈水素ガスエッチング

大島孝仁, 富樫理恵, 大島祐一

第71回応用物理学会春季学術講演会, Mar 23, 2024
α-Cr2O3基板に格子整合したα-(Al,Ga)2O3の成長

神野莉衣奈, 大島孝仁, 大島祐一, 深津晋

第71回応用物理学会春季学術講演会, Mar 23, 2024
(−102)面β-Ga2O3基板上NiO膜のエピタキシャル構造

大島孝仁, 中込真二

第71回応用物理学会春季学術講演会, Mar 23, 2024
GaN正ベベル終端形成のための選択成長結晶に対する逆テーパーエッチングの提案

大島孝仁, 井村将隆, 大島祐一, 大石敏之

第71回応用物理学会春季学術講演会, Mar 23, 2024
ファセット形成を利用したβ-Ga2O3の微細加工

大島孝仁, 大島祐一

日本学術振興会第R032委員会「ワイドギャップパワー半導体：β-Ga2O3とダイヤモンド」, Jan 12, 2024 Invited
β-Ga2O3基板に対するHClガスエッチングの温度とHCl分圧依存性

大島祐一, 大島孝仁

第84回応用物理学会秋季学術講演会, Sep 21, 2023
(−102)面β-Ga2O3基板に対する選択成長と選択エッチング

大島孝仁, 大島祐一

第84回応用物理学会秋季学術講演会, Sep 20, 2023
(−102)面β-Ga2O3基板上のホモエピタキシャル成長

大島祐一, 大島孝仁

第84回応用物理学会秋季学術講演会, Sep 20, 2023
r-GexSn1–xO2の成長機構とコヒーレント薄膜の作製

高根倫史, 大島孝仁, 田中勝久, 金子健太郎

第84回応用物理学会秋季学術講演会, Sep 20, 2023
Comparative Study of Temperature-Dependent Bandgap Transitions in Ga2O3 Polymorphs

B. M. Janzen, N. Hajizadeh, M. Meißner, M. N. Marggraf, C. V. Hartung, A. Wüthrich, N. Bernhard, F. Nipper, Z. Galazka, P. Mazzolini, A. Sacchi, R. Fornari. Petersen, H. von Wenckstern, M. Grundmann, E. Kluth, M. Feneberg, R. Goldhahn, A. Ardenghi, O. Bierwagen, T. Oshima, T. Kato, H. Nishinaka, J. B. Varley, M. R. Wagner

The 6th U.S. Gallium Oxide Workshop, Aug 14, 2023
HCl gas etching of (010) and (001) β-Ga2O3 substrates for the fabrication of plasma-damage-free trenches and fins

Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima

Compound Semiconductor Week 2023, Jun 2, 2023
Selective area growth of r-SnO2 on r-TiO2 (110) substrate

Hitoshi Takane, Takayoshi Oshima, Katsuhisa Tanaka, Kentaro Kaneko

Compound Semiconductor Week 2023, May 31, 2023
(010)面β-Ga2O3基板に対する異方性HCl ガスエッチング

大島孝仁, 大島祐一

第70回応用物理学会春季学術講演会, Mar 17, 2023
(001)面β-Ga2O3基板に対する異方性HCl ガスエッチング

大島孝仁, 大島祐一

第70回応用物理学会春季学術講演会, Mar 16, 2023
TiO2 (110)基板上ルチル型SnO2の選択成長

高根倫史, 大島孝仁, 田中勝久, 金子健太郎

第70回応用物理学会春季学術講演会, Mar 15, 2023
TiO2基板上に選択成長したルチル型SnO2の成長ダイナミクス

日本セラミックス協会2023年年会, Mar 10, 2023
β型酸化ガリウム半導体の選択成長

大島孝仁, 大島祐一

SATテクノロジー・ショーケース2023, Jan 26, 2023
Self-aligned photolithography using backside exposure through metal patterns on β-Ga2O3 substrates

Takayoshi Oshima

4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Oct 24, 2022
Selective-area-grown high-aspect-ratio β-Ga2O3 structures fabricated by HCl-based halide vapor phase epitaxy

Takayoshi Oshima, Yuichi Oshima

4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Oct 24, 2022
HCl支援ハライド気相成長法を用いたβ-Ga2O3の選択成長

大島孝仁, 大島祐一

第83回応用物理学会秋季学術講演会, Sep 20, 2022

Misc.

Artificial Surface Control of Gallium Oxide Semiconductors and Growth of High Quality Single-crystalline Thin Films

FUJITA Shizuo, OSHIMA Takayoshi, KANEKO Kentaro

J. Surf. Sci. Soc. Jpn., 31(12) 643-650, Dec, 2010 Peer-reviewed
Study on Characterization and Application of Gallium Oxide and Related Semiconductors

Takayoshi Oshima

Thesis or Dissertation, Mar, 2010 Peer-reviewedLead authorCorresponding author
ワイドバンドギャップ酸化ガリウム半導体

藤田静雄, 大島孝仁, 金子健太郎

応用物理, 78(12) 1150-1154, Dec, 2009 Peer-reviewed

Awards

Mar, 2018

電子・情報・システム部門技術委員会奨励賞, 酸化ガリウム系ヘテロ接合界面におけるキャリア閉じ込めの観察, 電子・情報・システム部門電子デバイス研究会

大島孝仁
Feb, 2016

井上リサーチアウォード, 酸化ガリウム系半導体の開拓研究とヘテロ接合デバイスへの展開, 井上科学振興財団

大島孝仁
Sep, 2014

東工大工系若手奨励賞, 酸化ガリウム系ヘテロ接合の開発, 東京工業大学大学院理工学研究科

大島孝仁
Aug, 2012

東工大挑戦的研究賞, Ga2O3系新規ワイドギャップ半導体の開拓, 東京工業大学研究戦略室

大島孝仁
Sep, 2009

応用物理学会講演奨励賞, β-Ga2O3基板を用いて作製した炎センサ, 応用物理学会

大島孝仁
Jul, 2009

EMS賞, β-Ga2O3-based sensor for flame detection, 電子材料シンポジウム

大島孝仁
Jun, 2009

若手研究助成報告会最優秀賞, 酸化ガリウムを用いた殺菌ランプ監視用深紫外光検出システムの実用化, 京都大学VBL

大島孝仁

Professional Memberships

THE JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS

Industrial Property Rights

特開2021-118266 半導体装置

大島孝仁
特開2021-080127 剥離方法および結晶性酸化物膜の製造方法

鳥山達矢, 大島孝仁
特許6679478 アバランシェフォトダイオード

佐々木公平, 大島孝仁
特願2020-010927 結晶膜の製造方法

大島孝仁
特願2020-010926 半導体装置の製造方法

大島孝仁
特願2020-010925 半導体装置

大島孝仁
特願2020-010924 半導体装置

大島孝仁
特願2019-179862 積層構造体および半導体装置

大島孝仁, 鳥山達矢
特願2019-179861 積層構造体および半導体装置

大島孝仁, 鳥山達矢
特開2019-151922 積層体および半導体装置

大島孝仁, 四戸孝, ▲高▼橋勲
特開2018-032662 ダイヤモンドコンタクト構造とこれを用いた電子素子

白石賢二, 嘉数誠, 宮崎誠一, 大石敏之, 大島孝仁
特開2016-050248 深紫外発光材料

須山敏尚, 藤井俊輔, 大友明, 大島孝仁, 向井章
特開2016-050249 深紫外発光材料

須山敏尚, 藤井俊輔, 大友明, 大島孝仁, 向井章
特開2014-205899 電気化学反応装置

大友明, 大島孝仁, 佐々木公平
WO2013-035841 Ga2O3系HEMT

佐々木公平, 東脇正高, 藤田静雄, 大友明, 大島孝仁
特許第5103683号酸化ガリウム基板用電極の製造方法及びそれにより製造される酸化ガリウム基板用電極

大平重男, 鈴木悟仁, 新井直樹, 大島孝仁, 藤田静雄
特許6333004 酸化物半導体膜及びその製造方法

大友明, 大島孝仁, 入野将昂
特開2009-302257 酸化ガリウム単結晶基板用オーミック電極及びその製造方法

大平重男, 新井直樹, 藤田静雄, 大島孝仁
特開2009-302259 酸化ガリウム単結晶基板用ショットキー電極及びその製造方法

大平重男, 新井直樹, 藤田静雄, 大島孝仁
特開2009-130012 紫外線用フォトディテクタ、およびその製造方法

大平重男, 新井直樹, 大島孝仁, 藤田静雄

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Research Interests

Research Areas

Research History

Education

Papers

Presentations

Misc.

Awards

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Industrial Property Rights

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