2008年9月
Ambipolar, single-component, metal-organic thin-film transistors with high and balanced hole and electron mobilities
ADVANCED MATERIALS
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- 巻
- 20
- 号
- 18
- 開始ページ
- 3399
- 終了ページ
- +
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- DOI
- 10.1002/adma.200800558
- 出版者・発行元
- WILEY-V C H VERLAG GMBH
High and balanced mobilities: Metal-organic thin-film transistors (MOTFTs) that employ metal complexes with narrow band gaps and less pi-conjugated structures are fabricated. These devices show high-performance ambipolar characteristics in comparison with other reported single-component ambipolar TFTs.
- リンク情報
- ID情報
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- DOI : 10.1002/adma.200800558
- ISSN : 0935-9648
- Web of Science ID : WOS:000259688800004