平本 俊郎

J-GLOBALへ         更新日: 19/01/10 11:26
 
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研究者氏名
平本 俊郎
 
ヒラモト トシロウ
URL
http://www.vlsi.iis.u-tokyo.ac.jp/index-j.html
所属
東京大学
部署
生産技術研究所 情報・エレクトロニクス系部門
職名
教授
学位
工学博士(東京大学)

研究分野

 
 

経歴

 
1989年
 - 
1994年
 (株)日立製作所デバイス開発センタ勤務
 
1993年
 - 
1994年
 スタンフォード大学客員研究員
 
1994年
 - 
1996年
 東京大学生産技術研究所助教授
 
1996年
 - 
2002年
 東京大学大規模集積システム設計教育研究センター助教授
 
2002年
   
 
-    東京大学生産技術研究所教授
 

学歴

 
1984年4月
 - 
1989年3月
東京大学 工学系研究科 電子工学専攻
 
1982年4月
 - 
1984年3月
東京大学 工学部 電子工学科
 

委員歴

 
2018年4月
 - 
現在
電子通信情報学会ELEX  編集委員長
 
2012年4月
 - 
現在
IEC TC91国内委員会  委員長
 
2009年11月
 - 
現在
日本学術振興会シリコン超集積システム第165委員会  委員長
 
1999年
 - 
現在
電子情報通信学会シリコンデバイス・材料研究会  委員
 
2016年4月
 - 
2018年3月
応用物理学会  理事
 
2016年
   
 
SSDM  論文委員長
 
2015年
   
 
VLSI Symposium on Technology  General Chair
 
2011年4月
 - 
2013年3月
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会  幹事長
 
2003年
 - 
2009年
IEDM  Executive Committee Member
 
2001年
 - 
2006年
IEEE Electron Device Society  Elected AdCom Member
 

受賞

 
2018年7月
IEEE Nanotechnology Council 2017 IEEE Best Paper Award for the IEEE Transactions on Nanotechnology Negative Capacitance for Boosting Tunnel FET Performance
 
2016年10月
ICSICT 30-Year Anniversary Contribution Award
 
2015年3月
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会 論文賞 3-D Silicon-on-Insulator Integrated Circuits With NFET and PFET on Separate Layers Using Au/SiO2 Hybrid Bonding
 
2014年6月
映像情報メディア学会 藤尾フロンティア賞 画素並列信号処理3次元構造撮像デバイスの研究
 
2009年9月
応用物理学会 応用物理学会フェロー
 
2009年9月
電子情報通信学会 電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ賞
 
2000年
丸文学術奨励賞
 

Misc

 
LEE Youngmin, LEE Sejoon, HIRAMOTO Toshiro
Curr Appl Phys   14(3) 428-432   2014年3月
LEE Sejoon, LEE Youngmin, SONG Emil B., HIRAMOTO Toshiro
Nano Lett   14(1) 71-77   2014年1月
WANG Qi, WANG Qi, ITOH Yaomi, ITOH Yaomi, TSURUOKA Tohru, TSURUOKA Tohru, HASEGAWA Tsuyoshi, HASEGAWA Tsuyoshi, WATANABE Satoshi, WATANABE Satoshi, YAMAGUCHI Shu, YAMAGUCHI Shu, HIRAMOTO Toshiro, HIRAMOTO Toshiro, AONO Masakazu
Key Eng Mater   596 111-115   2014年
LEE Sejoon, LEE Youngmin, SONG Emil B., HIRAMOTO Toshiro
J Appl Phys   114(16) 164513-164513-7   2013年10月
SUZUKI Ryota, NOZUE Motoki, SARAYA Takuya, HIRAMOTO Toshiro
Jpn J Appl Phys   52(10,Issue 1) 104001.1-104001.10   2013年10月
LEE Sejoon, LEE Youngmin, SONG Emil B., HIRAMOTO Toshiro
Appl Phys Lett   103(10) 103502-103502-4   2013年9月
WANG Qi, ITOH Yaomi, HASEGAWA Tsuyoshi, TSURUOKA Tohru, YAMAGUCHI Shu, WATANABE Satoshi, HIRAMOTO Toshiro, AONO Masakazu
Appl Phys Lett   102(23) 233508-233508-5   2013年6月
MIZUTANI Tomoko, KUMAR Anil, HIRAMOTO Toshiro
IEICE Trans Electron (Inst Electron Inf Commun Eng)   E96-C(5) 630-633   2013年5月
ALIAS Nurul Ezaila, KUMAR Anil, SARAYA Takuya, MIYANO Shinji, HIRAMOTO Toshiro
IEICE Trans Electron (Inst Electron Inf Commun Eng)   E96-C(5) 620-623   2013年5月
MAO Ke, SARAYA Takuya, HIRAMOTO Toshiro
Jpn J Appl Phys   52(4,Issue 2) 04CC11.1-04CC11.5   2013年4月
MIZUTANI Tomoko, YAMAMOTO Yoshiki, MAKIYAMA Hideki, IWAMATSU Toshiaki, ODA Hidekazu, SUGII Nobuyuki, HIRAMOTO Toshiro
Jpn J Appl Phys   52(4,Issue 2) 04CC02.1-04CC02.5   2013年4月
MAO Ke, SARAYA Takuya, HIRAMOTO Toshiro
Jpn J Appl Phys   52(4,Issue 2) 04CC08.1-04CC08.6   2013年4月
SUZUKI Ryota, NOZUE Motoki, SARAYA Takuya, HIRAMOTO Toshiro
Jpn J Appl Phys   52(4,Issue 2) 04CJ05.1-04CJ05.6   2013年4月
LEE Sejoon, LEE Youngmin, SONG Emil B., WANG Kang L., HIRAMOTO Toshiro
Appl Phys Lett   102(8) 083504-083504-4   2013年2月
NOZUE Motoki, SUZUKI Ryota, NOMURA Hirotoshi, SARAYA Takuya, HIRAMOTO Toshiro
Solid-State Electron   88 61-64   2013年
HIRAMOTO Toshiro, KUMAR Anil, SARAYA Takuya, MIYANO Shinji
IEICE Trans Electron (Inst Electron Inf Commun Eng)   E96-C(6) 759-765 (J-STAGE)   2013年
MIZUTANI Tomoko, KUMAR Anil, HIRAMOTO Toshiro
Tech Dig Int Electron Devices Meet   2013 826-829   2013年
MAO Ke, MIZUTANI Tomoko, KUMAR Anil, SARAYA Takuya, HIRAMOTO Toshiro
Jpn J Appl Phys   51(2,Issue 2) 02BC06.1-02BC06.5   2012年2月
HIRAMOTO Toshiro, SUZUKI Makoto, SONG Xiaowei, SHIMIZU Ken, SARAYA Takuya, NISHIDA Akio, TSUNOMURA Takaaki, KAMOHARA Shiro, TAKEUCHI Kiyoshi, MOGAMI Tohru
IEEE Trans Electron Devices   58(8) 2249-2256   2011年8月

競争的資金等の研究課題

 
新世代Si-IGBTと応用基本技術の研究開発
NEDO: 低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクスプロジェクト
研究期間: 2014年4月 - 2020年2月    代表者: 平本 俊郎
マルチモーダルな超低消費電力エッジシステムに向けたAIコンピューティング技術の研究開発
NEDO: 革新的AIエッジコンピューティグ技術の開発
研究期間: 2018年7月 - 2019年7月    代表者: 平本 俊郎
電源電圧0.1V動作に向けたトランジスタの特性ばらつきの自己収束機構に関する研究
JSPS: 科研費挑戦的萌芽研究
研究期間: 2017年4月 - 2019年3月    代表者: 平本 俊郎
超低消費電力データ収集システムの研究開発
NEDO: IoT推進のための横断技術開発プロジェクト
研究期間: 2016年7月 - 2019年3月    代表者: 平本 俊郎
室温動作シリコン単電子トランジスタとナノワイヤCMOSによる新機能回路の低電圧化
JSPS: 科研費基盤研究(A)
研究期間: 2015年4月 - 2019年3月    代表者: 平本 俊郎
しきい値電圧自己調整機構を有する超低電圧動作シリコンナノワイヤトランジスタ
JSPS: 科研費挑戦的萌芽研究
研究期間: 2015年4月 - 2017年3月    代表者: 平本 俊郎
SRAM セルへの一括高電圧ストレス印加による不揮発性メモリの研究
半導体理工学研究センター: フィージビリティ・スタディ
研究期間: 2013年4月 - 2016年3月    代表者: 平本 俊郎
単一不純物が微細トランジスタ特性の統計的性質に与える影響に関する基礎研究
JSPS: 科研費挑戦的萌芽研究
研究期間: 2014年4月 - 2015年3月    代表者: 平本 俊郎
室温動作集積単電子トランジスタと大規模CMOS回路との融合による新機能創出
JSPS: 科研費基盤研究(A)
研究期間: 2011年4月 - 2015年3月    代表者: 平本 俊郎
サブ100mV動作を目指した超低電圧MOSトランジスタの基礎研究
JSPS: 科研費挑戦的萌芽研究
研究期間: 2013年4月 - 2014年3月    代表者: 平本 俊郎

特許

 
特願2014-021398 : 半導体装置及び記憶装置並びにその制御方法
平本 俊郎
特願2011-158981 : 電気化学素子および電気化学素子を用いた相補型回路
平本 俊郎
特許5331204 : ラッチ回路の電圧特性調整方法および半導体装置の電圧特性調整方法並びにラッチ回路の電圧特性調整器
平本 俊郎
特許3174852 : しきい値電圧を制御しうるMOSトランジスタを有する回路及びしきい値電圧制御方法
平本 俊郎
特許3260009 : 半導体装置及びその製造方法
平本 俊郎
特許3371971 : 半導体記憶装置
平本 俊郎
特許3149248 : 半導体集積回路
平本 俊郎
特許3290459 : 半導体集積回路装置およびその製造方法
平本 俊郎