2020年
Low-Voltage Operating Ferroelectric FET with Ultrathin IGZO Channel for High-Density Memory Application
IEEE Journal of the Electron Devices Society
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- 巻
- 8
- 号
- 開始ページ
- 717
- 終了ページ
- 723
- 記述言語
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- DOI
- 10.1109/jeds.2020.3008789
- 出版者・発行元
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- リンク情報
- ID情報
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- DOI : 10.1109/jeds.2020.3008789
- eISSN : 2168-6734