論文

1993年

高温高ドーズMeVイオン注入によるSiC埋め込み層の形成

真空

茶谷原昭義
木内正人
木野村淳
杢野由明
堀野裕治
藤井兼栄

巻: 36
号: 11
開始ページ: 856
終了ページ: 861
記述言語: 英語
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
DOI: 10.3131/jvsj.36.856

リンク情報

DOI: https://doi.org/10.3131/jvsj.36.856
J-GLOBAL: https://jglobal.jst.go.jp/detail?JGLOBAL_ID=200902149258941271
URL: http://jglobal.jst.go.jp/public/200902149258941271

ID情報

DOI : 10.3131/jvsj.36.856
ISSN : 0559-8516
J-Global ID : 200902149258941271
SCOPUS ID : 85007751122

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