松畑洋文 (Hirofumi Matsuhata) - マイポータル

基本情報

所属: 独立行政法人産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センターウェハプロセスチーム

学位: 工学博士

J-GLOBAL ID: 200901079006710780
researchmap会員ID: 0000045354

外部リンク: http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=H66944455

研究キーワード

回折物理ナノ構造評価半導体機能性化合物結晶学

研究分野

MISC

Studies of the annihilation mechanism of threading dislocation in AlN films grown on vicinal sapphire (0001) substrates using transmission electron microscopy

XQ Shen, H Okumura, H Matsuhata

APPLIED PHYSICS LETTERS 87(10) 101910-1-101910-3 2005年9月
Crystal and magnetic structure of Ca3Ru2O7

Y Yoshida, SI Ikeda, H Matsuhata, N Shirakawa, CH Lee, S Katano

PHYSICAL REVIEW B 72(5) 054412-1-054412-7 2005年8月
Reference sample for the evaluation of SEM image resolution at a high magnification-nanometer-scale Au particles on an HOPG substrate

S Okayama, S Haraichi, H Matsuhata

JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY 54(4) 345-350 2005年
Reduction of the threading dislocation density in GaN films grown on vicinal sapphire(0001) substrates

XQ Shen, H Matsuhata, H Okumura

APPLIED PHYSICS LETTERS 86(2) 021912-1-021912-3 2005年1月
GaN/AlN super-lattice structures on vicinal sapphire (0001) substrates grown by rf-MBE

phys. stat. sol. (c) 2(7) 2385-2388 2005年
Charge-density-wave ordering in the metal-insulator transition compound PrRu4P12

CH Lee, H Matsuhata, H Yamaguchi, C Sekine, K Kihou, T Suzuki, T Noro, Shirotani, I

PHYSICAL REVIEW B 70(15) 153105-153108 2004年10月
Crystal structure of Sr3Ir2O7 investigated by transmission electron microscopy

H Matsuhata, Nagai, I, Y Yoshida, S Hara, S Ikeda, N Shirakawa

JOURNAL OF SOLID STATE CHEMISTRY 177(10) 3776-3783 2004年10月
Phase separation in Y1-xCaxTiO3 associated with the insulator-to-metal transition

PHYSICAL REVIEW B 70 134109-134115 2004年
Behaviors of surfactant atoms on Si(001) surface

H Matsuhata, K Sakamoto, K Miki

JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY 53(4) 325-337 2004年
Termination mechanism of inversion domains by stacking faults in GaN

C Iwamoto, XQ Shen, H Okumura, H Matsuhata, Y Ikuhara

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 93(6) 3264-3269 2003年3月
MOCVD growth and AFM observation of non c-axis oriented Bi-2223 surperconducting thin films

K Endo, H Ishikawa, P Badica, H Matsuhata, T Yoshizawa, K Abe, J Itoh, K Kajimura

PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS 372 1071-1074 2002年8月
AFM and TEM observation of surface morphology of Bi-2223 superconducting thin films by MOCVD

K Endo, H Matsuhata, K Nakamura, T Yoshizawa, K Abe, J Itoh, K Kajimura

PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS 372 687-691 2002年8月
Structure analysis of GaN thin film with inversion domains by high voltage atomic resolution microscopy

C Iwamoto, XQ Shen, H Okumura, H Matsuhata, Y Ikuhara

MATERIALS TRANSACTIONS 43(7) 1542-1546 2002年7月
Low-temperature structural change and magnetic anomaly in superconducting Cd2Re2O7

PHYSICAL REVIEW B 66 1005091-1005094 2002年
Drastic improvements of GaN film quality by applying Si irradiation during growth interruption in rf-MBE

X. Q. Shen, H. K. Cho, T. Ide, M. Shimizu, H. Matsuhata, H. Okumura

Physica Status Solidi C: Conferences (1) 179-182 2002年
原子直視によるGaN界面の観察

岩本知広, 松畑洋文, 幾原雄一

電子顕微鏡 37(2) 134-136 2002年
超高圧超高分解能透過電子顕微鏡によるGaN極性直接評価とその応用

電子情報通信学会技術研究報告 ED2002-64(LQE2002-39) 81-84 2002年
ARHVEM Observation of Indium iraradiated GaN film grown by MBE

PROCEEDINGS OG THE 7TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON ADVANCED PHYSICAL FIELDS 326-329 2001年
Nanometric inversion domain in the conventional MBE GaN thin film observed by atomic resolution high voltage electron microscopy

IWAMOTO C, SHEN X Q, OKUMURA H, MATUHATA H, IKUHARA Y

APPLIED PHYSICS LETTERS 79(24) 3941-3943 2001年
An Improved Method for Obtaining Single-Phase Sr2MoO4 underControlled Ultra-Low Oxygen Partial Pressure

SHIRAKAWA N, IKEDA S, MATSUHATA H, BANDO H

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 40(7B) L741-L743 2001年

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