Pt触媒を利用したギ酸処理による新しい低温接合技術を新たに提案した。接合のメカニズムを解析するとともに、この手法をさまざまなデバイスの集積化に適用し、その有効性を検証した。接合の基本的メカニズムについては、発生する水素ラジカルによる二段階の還元反応によって低温接合を実現することを示した。これらのプロセスパラメータの最適化により、Cu-Cu低温接合、SnAg-Cu直接接合、TSV積層接合、Cuと樹脂のハイブリッド接合、ポリマフィルムヘのナノ密着層などの様々な対象に適用し、半導体デバイスやMEMSの3D積層、パワーデバイスの大ボンディングや高温超電導線材の接合に直接適用可能であることを示した。