神谷利夫 (Toshio Kamiya) - マイポータル

基本情報

所属: 東京工業大学科学技術創成研究院教授

学位: 博士(工学)(東京工業大学)

研究者番号: 80233956
J-GLOBAL ID: 200901018708640195
researchmap会員ID: 1000015256

研究キーワード

研究分野

自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理 /

経歴

2002年 - 2003年

:
2002年 - 2003年

:東京工業大学講師
2003年

-:
2003年

-:東京工業大学助教授
1991年 - 2002年

:
1991年 - 2002年

:東京工業大学助手

学歴

受賞

MISC

482

Josephson junction in cobalt-doped BaFe2As2 epitaxial thin films on (La,Sr)(Al,Ta)O-3 bicrystal substrates

Takayoshi Katase, Yoshihiro Ishimaru, Akira Tsukamoto, Hidenori Hiramatsu, Toshio Kamiya, Keiichi Tanabe, Hideo Hosono

APPLIED PHYSICS LETTERS 96(14) 142507 2010年4月
Josephson junction in cobalt-doped BaFe2As2 epitaxial thin films on (La,Sr)(Al,Ta)O-3 bicrystal substrates

Takayoshi Katase, Yoshihiro Ishimaru, Akira Tsukamoto, Hidenori Hiramatsu, Toshio Kamiya, Keiichi Tanabe, Hideo Hosono

APPLIED PHYSICS LETTERS 96(14) 142507 2010年4月
Fabrication of Atomically Flat ScAlMgO4 Epitaxial Buffer Layer and Low-Temperature Growth of High-Mobility ZnO Films

Takayoshi Katase, Kenji Nomura, Hiromichi Ohta, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

CRYSTAL GROWTH & DESIGN 10(3) 1084-1089 2010年3月
Device characteristics improvement of a-In-Ga-Zn-O TFTs by low-temperature annealing

Yutomo Kikuchi, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

THIN SOLID FILMS 518(11) 3017-3021 2010年3月
Comprehensive studies on the stabilities of a-In-Ga-Zn-O based thin film transistor by constant current stress

Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Yutomo Kikuchi, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

THIN SOLID FILMS 518(11) 3012-3016 2010年3月
Steady-state photoconductivity of amorphous In-Ga-Zn-O

Dong Hee Lee, Ken-ichi Kawamura, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

THIN SOLID FILMS 518(11) 3000-3003 2010年3月
Fabrication of GaN epitaxial thin film on InGaZnO4 single-crystalline buffer layer

Tomomasa Shinozaki, Kenji Nomura, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

THIN SOLID FILMS 518(11) 2996-2999 2010年3月
Fabrication of Atomically Flat ScAlMgO4 Epitaxial Buffer Layer and Low-Temperature Growth of High-Mobility ZnO Films

Takayoshi Katase, Kenji Nomura, Hiromichi Ohta, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

CRYSTAL GROWTH & DESIGN 10(3) 1084-1089 2010年3月
Origin of definite Hall voltage and positive slope in mobility-donor density relation in disordered oxide semiconductors

Toshio Kamiya, Kenji Nomura, Hideo Hosono

APPLIED PHYSICS LETTERS 96(12) 122103 2010年3月
Device characteristics improvement of a-In窶敵a窶纏n窶徹 TFTs by low-temperature annealing

Yutomo Kikuchi, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

Thin Solid Films 518(11) 3017-3021 2010年3月
Comprehensive studies on the stabilities of a-In-Ga-Zn-O based thin film transistor by constant current stress

Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Yutomo Kikuchi, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

THIN SOLID FILMS 518(11) 3012-3016 2010年3月
Steady-state photoconductivity of amorphous In窶敵a窶纏n窶徹

Dong Hee Lee, Ken-ichi Kawamura, Kenji Nomura, Hiroshi Yanagi, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

Thin Solid Films 518(11) 3000-3003 2010年3月
Fabrication of GaN epitaxial thin film on InGaZnO4 single-crystalline buffer layer

Tomomasa Shinozaki, Kenji Nomura, Takayoshi Katase, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

THIN SOLID FILMS 518(11) 2996-2999 2010年3月
Fabrication and electron transport properties of epitaxial films of electron-doped 12CaO center dot 7Al(2)O(3) and 12SrO center dot 7Al(2)O

Masashi Miyakawa, Hidenori Hiramatsu, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

JOURNAL OF SOLID STATE CHEMISTRY 183(2) 385-391 2010年2月
Fabrication and electron transport properties of epitaxial lms of electron-doped 12CaO窶｢7Al₂O₃ and 12SrO窶｢7Al₂O₃

Masashi Miyakawa, Hidenori Hiramatsu, Toshio Kamiya, Masahiro Hirano, Hideo Hosono

Journal of Solid State Chemistry 183(2) 385-391 2010年2月
Material characteristics and applications of transparent amorphous oxide semiconductors

Toshio Kamiya, Hideo Hosono

NPG Asia Mater. 2 1522 2010年
Origin of denite Hall voltage and positive slope in mobility-donor density relation in disordered oxide semiconductors

Toshio Kamiya, Kenji Nomura, Hideo Hosono

Appl. Phys. Lett. 96(12) 122103 2010年
High Critical Current Density 4 MA/cm(2) in Co-Doped BaFe2As2 Epitaxial Films Grown on (La, Sr)(Al, Ta)O-3 Substrates without Buffer Layers

Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

APPLIED PHYSICS EXPRESS 3(6) 063101 2010年
Material characteristics and applications of transparent amorphous oxide semiconductors

Toshio Kamiya, Hideo Hosono

NPG Asia Mater. 2 1522 2010年
High Critical Current Density 4 MA/cm(2) in Co-Doped BaFe2As2 Epitaxial Films Grown on (La, Sr)(Al, Ta)O-3 Substrates without Buffer Layers

Takayoshi Katase, Hidenori Hiramatsu, Toshio Kamiya, Hideo Hosono

APPLIED PHYSICS EXPRESS 3(6) 063101 2010年

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書籍等出版物

Transparent Conductive Oxide Thin Films 2007

2008年
Transparent Conductive Oxide Thin Films 2007

2008年
薄膜トランジスタ

コロナ社 2008年
酸化物薄膜トランジスタ: 透明結晶TFTからフレキシブルアモルファスTFTまで

シーエムシー出版 2007年
自然超格子構造をもつ透明酸化物半導体の単結晶薄膜成長と透明トランジスタへの応用「材料開発のための顕微鏡法と応用写真集」

日本金属学会 2006年
2.2 電子状態の理解はセラミックスの研究にどう役立つか～酸化物半導体のバンドラインアップを例として～

社団法人日本セラミックス協会 2006年
p型アモルファス酸化物半導体と室温で形成したpn接合ダイオード「透明酸化物機能材料とその応用」

2006年
透明酸化物の電子構造概論

シーエムシー出版 2006年
透明金属が拓く驚異の世界不可能に挑むナノテクノロジーの錬金術

ソフトバンククリエイティブ株式会社 2006年
透明導電膜の技術改訂第2版第4章透明導電膜の新しい展開

オーム社 2006年
Chap. 4 Ceramics, in Hartree-Fock-Slater Method for Materials Science -The DV-X Alpha Method for Design and Characterization of Materials- (Eds. Hirohiko Adachi, Takeshi Mukoyama, Jun Kawai)

Springer 2005年
単一電子デバイス実験化学講座第5版 28巻ナノテクノロジーの化学

日本化学会編、丸善株式会社 2005年
Chap. 4 Ceramics, in Hartree-Fock-Slater Method for Materials Science -The DV-X Alpha Method for Design and Characterization of Materials- (Eds. Hirohiko Adachi, Takeshi Mukoyama, Jun Kawai)

Springer 2005年
透明酸化物のナノ構造を活用した機能開拓

化学工業 2004年
透明酸化物半導体：材料設計からデバイス応用まで

セラミックデータブック 2004年
ナノ構造を利用した透明酸化物の高機能化－ユビキタス元素を使って新機能に迫る－

セラミックスと建築材料 (応用セラミックス研究所創立70周年記 2004年
透明酸化物半導体とデバイスへの展開

オプトロニクス「機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス－ERATO細野透明電子活性プロジェクト成果」 2004年
透明ナノポ－ラス結晶：12CaO・7Al_2_O_3_

オプトロニクス「機能性透明酸化物とオプトエレクトロニクス－ERATO細野透明電子活性プロジェクト成果」 2004年
台湾工業技術研究院に招かれて

東工大クロニクル 2003年
電子状態の理解はセラミックスの研究にどう役立つか～酸化物半導体のバンドラインナップを例として～

セラミックス 2003年

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講演・口頭発表等

Low Temperature Oxidation of Si Using Novel Ceramic Atomic Oxygen Source

The Third International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-3) 2009年
What have been clarified for amorphous oxide semiconductors?

IDMC窶｢3DSA窶｢Asia Display'09 2009年
Amorphous oxide semiconductor: Factors determining TFT performance and stability

9th Int. Meeting on Inf. Display (IMID2009) 2009年
Defects and doping in amorphous oxide semiconductor studied by first-principles calculations

Ext. Abstract of the 26th Int. Japan-Korea Seminar on Ceramics 2009年
Electronic structures of defects and impurities in layered mixed anion compounds

Ext. Abstract of the 26th Int. Japan-Korea Seminar on Ceramics 2009年
Impact of Subgap States on Peculiar Characteristics of Amorphous Oxide Thin-Film Transistor

Proc. IDW'09 2009年
Low Temperature Oxidation of Si Using Novel Ceramic Atomic Oxygen Source

The Third International Conference on the Science and Technology for Advanced Ceramics (STAC-3) 2009年
固体酸化物を放出源とした真空中への原子状酸素の発生とその照射効果

応用物理学会2009年秋季学術講演会 2009年
What have been clarified for amorphous oxide semiconductors?

IDMC窶｢3DSA窶｢Asia Display'09 2009年
Amorphous oxide semiconductor: Factors determining TFT performance and stability

9th Int. Meeting on Inf. Display (IMID2009) 2009年
Defects and doping in amorphous oxide semiconductor studied by first-principles calculations

Ext. Abstract of the 26th Int. Japan-Korea Seminar on Ceramics 2009年
Electronic structures of defects and impurities in layered mixed anion compounds

Ext. Abstract of the 26th Int. Japan-Korea Seminar on Ceramics 2009年
Impact of Subgap States on Peculiar Characteristics of Amorphous Oxide Thin-Film Transistor

Proc. IDW'09 2009年
Photosensitivity of Amorphous IGZO TFTs for Active-Matrix Flat-Panel Displays

SID '08 Proc. 2008年
Photosensitivity of Amorphous IGZO TFTs for Active-Matrix Flat-Panel Displays

SID '08 Proc. 2008年
Interfacial electronic structure and electron injection property at C12A7:e- cathode/Alq3 interface.

E-MRS 2007 Spring Meeting 2007年
Interfacial electronic structure and electron injection property at C12A7:e- cathode/Alq3 interface.

E-MRS 2007 Spring Meeting 2007年

所属学協会

Works(作品等)

CREST, "Neosilicon: A Novel Functional Material for Future Electronics"

1999年 - 2002年芸術活動
CREST, 「ネオシリコン創製に向けた構造制御と機能探索」

1999年 - 2002年芸術活動
物質・材料の自己組織化機構の解析と制御に関する研究

1996年 - 2000年芸術活動

共同研究・競争的資金等の研究課題

nanodevice

2004年
ナノデバイス

2004年
semiconductor

2002年 - 2002年
半導体

2002年 - 2002年
Calculation of Properties by ab-initio method
第一原理計算による材料物性評価